通信领域的主导技术有两种：用于内部商业通信的局域网(LAN)中的以太网(Ethernet)和广域网(WAN)中的SDH(SynchronousDigitalHierarchy)。因为在SDH网络上不直接支持以太网，当企业(客户)间需要彼此通信或企业(客户)内需要将其总部与分部连至同一LAN网时互连问题便应运而生。 该研究课题的目的是研究在EOS(EthernetoverSDH)实现过程中存在的技术难题和协议实现的复杂性，提出一种简单、快速、高效的协议实现方法。主要关注的是EOS系统中与协议帧映射相关的关键技术，例如：自定义帧结构、帧定位、全数字锁相技术、流量控制技术等，最终完成EOS中这些关键技术模块的设计。 该课题简单分析EOS系统相关协议帧结构及EOS系统的原理，阐述了FPGA技术的实现方法，重点在于利用业界最先进的EDA工具实现EOS系统中帧映射技术。系统中采用一种简化了的点对点实现方案，对以太网的数据帧直接进行HDLC帧格式封装，采用多通道的E1信道承载完整的HIDLC帧方式将HDLC帧映射到E1信道中，然后采用单通道承载多个完整的E1帧方式将E1映射到SDH信道中，从而把以太网帧有效地映射到SDH的负荷中，实现“透明的局域网服务”。这对在现有的SDH传输设备上承载以太网，开发实现以太网的广域连接设备，将会具有重要的意义。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：bugtamor
HDF多种数据格式,对于使用EOS进行数据处理等有帮助.可以了解HDF数据的详细信息.
上传时间： 2015-05-09
上传用户：xzt
用于EOS芯片的驱动程序, 供参考 参考
上传时间： 2015-05-18
上传用户：小宝爱考拉
EOS WORKFLOW EXAMPLE
上传时间： 2015-06-15
上传用户：498732662
文件是基于IDL开发环境的读取EOS的HDF文件格式的代码，并且提供了在IDL中实现循环、判断等操作，以及以一定的格式写文件的方法。
上传时间： 2015-09-24
上传用户：小眼睛LSL
EOS的一个很好的例子.包括页面构件、展现构件，业务构件，运算构件，数据构件，流程构件
上传时间： 2014-12-05
上传用户：gxmm
用于处理EOS卫星传感器Modis探测数据的程序源码
上传时间： 2013-12-13
上传用户：gundan
嵌入式操作系统EOS（Embedded OperatingSystem）是一种用途广泛的系统软件，它主要应用于工业控制和国防系统领域。EOS负责嵌人系统的全部软、硬件资源的分配、调度工作，控制协调并发活动；它必须体现其所在系统的特征，能够通过装卸某些模块来达到系统所要求的功能。本示例给出了EOS在InfineonXC167CI处理器上面的实现示例。
标签： OperatingSystem Embedded EOS 嵌入式操作系统
上传时间： 2016-07-09
上传用户：lyy1234
大陆电力信息系统V2.0 EOS构件开发 南京邮电大学创新杯参赛作品
上传时间： 2013-12-25
上传用户：diets
电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
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