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  • 电位计讯号转换器

    电位计讯号转换器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1.产品说明 AT系列转换器/分配器主要设计使用于一般讯号迴路中之转换与隔离;如 4~20mA、0~10V、热电偶(Type K, J, E, T)、热电阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、电位计(三線式)、电阻(二線式)及交流电压/电流等讯号,机种齐全。 此款薄型设计的转换器/分配器,除了能提供两组讯号输出(输出间隔离)或24V激发电源供传送器使用外,切换式电源亦提供了安装的便利性。上方并设计了电源、输入及输出指示灯及可插拔式接线端子方便现场施工及工作状态检视。 2.产品特点 可选择带指拨开关切换,六种常规输出信号0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切换。 双回路输出完全隔离,可选择不同信号。 设计了电源、输入及输出LED指示灯,方便现场工作状态检视。 规格选择表中可指定选购0.1%精度 17.55mm薄型35mm导轨安装。 依据CE国际标准规范设计。 3.技术规格 用途:信号转换及隔离 过载输入能力:电流:10×额定10秒 第二组输出:可选择 输入范围:P1:0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ P2:0 Ω ~ 2.0 KΩ / ~ 100.0 KΩ 精确度: ≦±0.2% of F.S. ≦±0.1% of F.S. 侦测电压:1.6V 输入耗损: 交流电流:≤ 0.1VA; 交流电压:≤ 0.15VA 反应时间: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 输出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 满量程校正范围:≤ ±10% of F.S.,2组输出可个别调整 零点校正范围:≤ ±10% of F.S.,2组输出可个别调整 隔离:AC 2.0 KV 输出1与输出2之间 隔离抗阻:DC 500V 100MΩ 工作电源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (选购规格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作湿度: 20~95% RH, 无结露 温度系数: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 储存温度: -10~70 ºC 保护等级: IP 42 振动测试: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外观尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外壳材质: ABS防火材料,UL94V0 安装轨道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全规范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用规格:AT-PM1-P1-DN-ADL 电位计讯号转换器,一组输出,输入范围:0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ,输出一组输出4-20mA,工作电源AC/DC20-56V

    标签: 电位计 讯号 转换器

    上传时间: 2013-11-05

    上传用户:feitian920

  • COOLMOS全面认识

    Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.

    标签: COOLMOS

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:zhyiroy

  • CoolMos的原理、结构及制造

    对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢? 对于常规VDMOS,反向耐压,主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结,对于一个PN结,耐压时主要靠的是耗尽区承受,耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积,也就是下图中的浅绿色部分,就是承受电压的大小。常规VDMOS,P body浓度要大于N EPI, PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散,所以此结构下,P body区域一侧,耗尽区扩展很小,基本对承压没有多大贡献,承压主要是P body--N EPI在N型的一侧区域,这个区域的电场强度是逐渐变化的,越是靠近PN结面(a图的A结),电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。

    标签: CoolMos 制造

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:小眼睛LSL

  • 应用笔记-校准激光驱动器POT和DAC

    Abstract: A laser module designer can use a fixed resistor, mechanical pot, digital pot, or a digital-to-analogconverter (DAC) to control the laser driver's modulation and bias currents. The advantages of a programmablemethod (POT or DAC) are that the manufacturing process can be automated and digital control can be applied(e.g., to compensate for temperature). Using POTs can be a more simple approach than a DAC. There can be aslight cost advantage to using a POT, but this is usually not significant relative to other pieces of the design.Using a DAC can offer advantages, including improved linearity (translating to ease of software implementationand ability to hit the required accuracy), increased board density, a wider range of resolutions, a betteroptimization range, ease of use with a negative voltage laser driver, and unit-to-unit consistency

    标签: POT DAC 应用笔记 校准

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:ca05991270

  • 西门子S7-200 CPU PID控制图解

    PID控制器由比例单元(P)、积分单元(I)和微分单元(D)组成。其输入e (t)与输出u (t)的关系为 u(t)=kp[e(t)+1/TI∫e(t)dt+TD*de(t)/dt] 式中积分的上下限分别是0和t 因此它的传递函数为:G(s)=U(s)/E(s)=kp[1+1/(TI*s)+TD*s] 其中kp为比例系数; TI为积分时间常数; TD为微分时间常数.  

    标签: 200 CPU PID 西门子

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:jiiszha

  • LTC1099半闪速8位AD转换数字光电二极管阵列

    This application note describes a Linear Technology "Half-Flash" A/D converter, the LTC1099, being connected to a 256 element line scan photodiode array. This technology adapts itself to handheld (i.e., low power) bar code readers, as well as high resolution automated machine inspection applications..  

    标签: 1099 LTC 8位 AD转换

    上传时间: 2013-11-21

    上传用户:lchjng

  • 电子学名词介绍

    电子学名词1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量,以字母ρ表示,单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线,在温度20C时的电阻值,电阻率越大,导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量,其数值等于温度每升高1C时,电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值,通常以字母α表示,单位为1/C。2、 电阻的温度系数----表示物质的电阻率随温度而变化的物理量,其数值等于温度每升高1C时,电阻率的增加量与原来的电阻率的比值,通常以字母α表示,单位为1/C。3、 电导----物体传导电流的本领叫做电导。在直流电路里,电导的数值就是电阻值的倒数,以字母ɡ表示,单位为欧姆。4、 电导率----又叫电导系数,也是衡量物质导电性能好坏的一个物理量。大小在数值上是电阻率的倒数,以字母γ表示,单位为米/欧姆*毫米平方。5、 电动势----电路中因其他形式的能量转换为电能所引起的电位差,叫做电动势或者简称电势。用字母E表示,单位为伏特。6、 自感----当闭合回路中的电流发生变化时,则由这电流所产生的穿过回路本身磁通也发生变化,因此在回路中也将感应电动势,这现象称为自感现象,这种感应电动势叫自感电动势。7、 互感----如果有两只线圈互相靠近,则其中第一只线圈中电流所产生的磁通有一部分与第二只线圈相环链。当第一线圈中电流发生变化时,则其与第二只线圈环链的磁通也发生变化,在第二只线圈中产生感应电动势。这种现象叫做互感现象。8、 电感----自感与互感的统称。9、 感抗----交流电流过具有电感的电路时,电感有阻碍交流电流过的作用,这种作用叫做感抗,以Lx表示,Lx=2πfL。10、容抗----交流电流过具有电容的电路时,电容有阻碍交流电流过的作用,这种作用叫做容抗,以Cx表示,Cx=1/12πfc。11、脉动电流----大小随时间变化而方向不变的电流,叫做脉动电流。12、振幅----交变电流在一个周期内出现的最大值叫振幅。13、平均值----交变电流的平均值是指在某段时间内流过电路的总电荷与该段时间的比值。正弦量的平均值通常指正半周内的平均值,它与振幅值的关系:平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在两个相同的电阻器件中,分别通过直流电和交流电,如果经过同一时间,它们发出的热量相等,那么就把此直流电的大小作为此交流电的有效值。正弦电流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流电的瞬时功率不是一个恒定值,功率在一个周期内的平均值叫做有功功率,它是指在电路中电阻部分所消耗的功率,以字母P表示,单位瓦特。16、视在功率----在具有电阻和电抗的电路内,电压与电流的乘积叫做视在功率,用字母Ps来表示,单位为瓦特。17、无功功率----在具有电感和电容的电路里,这些储能元件在半周期的时间里把电源能量变成磁场(或电场)的能量存起来,在另半周期的时间里对已存的磁场(或电场)能量送还给电源。它们只是与电源进行能量交换,并没有真正消耗能量。我们把与电源交换能量的速率的振幅值叫做无功功率。用字母Q表示,单位为芝。

    标签: 电子学

    上传时间: 2013-11-23

    上传用户:zhoujunzhen

  • 三极管代换手册下载

    三极管代换手册下载 前言 使用说明 三极管对照表 A B C D E F G H K L M …… 外形与管脚排列图

    标签: 三极管 代换手册

    上传时间: 2013-10-24

    上传用户:zjf3110

  • LVDS与高速PCB设计

    LVDS(低压差分信号)标准ANSI/TIA /E IA26442A22001广泛应用于许多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探讨了LVDS的特点及其PCB (印制电路板)设计,纠正了某些错误认识。应用传输线理论分析了单线阻抗、双线阻抗及LVDS差分阻抗计算方法,给出了计算单线阻抗和差分阻抗的公式,通过实际计算说明了差分阻抗与单线阻抗的区别,并给出了PCB布线时的几点建议。关键词: LVDS, 阻抗分析, 阻抗计算, PCB设计 LVDS (低压差分信号)是高速、低电压、低功率、低噪声通用I/O接口标准,其低压摆幅和差分电流输出模式使EM I (电磁干扰)大大降低。由于信号输出边缘变化很快,其信号通路表现为传输线特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件进行PCB (印制电路板)设计时,超高速PCB设计和差分信号理论就显得特别重要。

    标签: LVDS PCB

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:水中浮云

  • pci e PCB设计规范

    This document provides practical, common guidelines for incorporating PCI Express interconnect layouts onto Printed Circuit Boards (PCB) ranging from 4-layer desktop baseboard designs to 10- layer or more server baseboard designs. Guidelines and constraints in this document are intended for use on both baseboard and add-in card PCB designs. This includes interconnects between PCI Express devices located on the same baseboard (chip-to-chip routing) and interconnects between a PCI Express device located “down” on the baseboard and a device located “up” on an add-in card attached through a connector. This document is intended to cover all major components of the physical interconnect including design guidelines for the PCB traces, vias and AC coupling capacitors, as well as add-in card edge-finger and connector considerations. The intent of the guidelines and examples is to help ensure that good high-speed signal design practices are used and that the timing/jitter and loss/attenuation budgets can also be met from end-to-end across the PCI Express interconnect. However, while general physical guidelines and suggestions are given, they may not necessarily guarantee adequate performance of the interconnect for all layouts and implementations. Therefore, designers should consider modeling and simulation of the interconnect in order to ensure compliance to all applicable specifications. The document is composed of two main sections. The first section provides an overview of general topology and interconnect guidelines. The second section concentrates on physical layout constraints where bulleted items at the beginning of a topic highlight important constraints, while the narrative that follows offers additional insight.  

    标签: pci PCB 设计规范

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:busterman