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DMA-FLASH-Ram

  • PLB Block RAM(BRAM)接口控制器

    基于RAM块的应用

    标签: Block BRAM PLB RAM

    上传时间: 2015-01-01

    上传用户:13681659100

  • XAPP483 - 利用 Platform Flash PROM 实现多重启动功能

      一些应用利用 Xilinx FPGA 在每次启动时可改变配置的能力,根据所需来改变 FPGA 的功能。Xilinx Platform Flash XCFxxP PROM 的设计修订 (Design Revisioning) 功能,允许用户在单个PROM 中将多种配置存储为不同的修订版本,从而简化了 FPGA 配置更改。在 FPGA 内部加入少量的逻辑,用户就能在 PROM 中存储的多达四个不同的修订版本之间进行动态切换。多重启动或从多个设计修订进行动态重新配置的能力,与 Spartan™-3E FPGA 和第三方并行 flashPROM 一起使用时所提供的 MultiBoot 选项相似。本应用指南将进一步说明 Platform Flash PROM 如何提供附加选项来增强配置失败时的安全性,以及如何减少引脚数量和板面积。此外,Platform Flash PROM 还为用户提供其他优势:iMPACT 编程支持、单一供应商解决方案、低成本板设计和更快速的配置加载。本应用指南还详细地介绍了一个包含 VHDL 源代码的参考设计。

    标签: Platform Flash XAPP PROM

    上传时间: 2013-10-10

    上传用户:wangcehnglin

  • XAPP482 - MicroBlaze Platform Flash,PROM 引导加载器和用户数据存储

        本应用指南讲述一种实用的 MicroBlaze™ 系统,用于在非易失性 Platform Flash PROM 中存储软件代码、用户数据和配置数据,以简化系统设计和降低成本。另外,本应用指南还介绍一种可移植的硬件设计、一个软件设计以及在实现流程中使用的其他脚本实用工具。   简介许多 FPGA 设计都集成了使用 MicroBlaze 和 PowerPC™ 处理器的软件嵌入式系统,这些设计同时使用外部易失性存储器来执行软件代码。使用易失性存储器的系统还必须包含一个非易失性器件,用来在断电期间存储软件代码。大多数 FPGA 系统都在电路板上使用 Platform FlashPROM (在本文中称作 PROM),用于在上电时加载 FPGA 配置数据。另外,许多应用还可能使用其他非易失性器件(如 SPI Flash、Parallel Flash 或 PIC)来保存 MAC 地址等少量用户数据,因此导致系统电路板上存在大量非易失性器件。

    标签: MicroBlaze Platform Flash XAPP

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:rocwangdp

  • 基于Actel FPGA的双端口RAM设计

    基于Actel FPGA 的双端口RAM 设计双端口RAM 芯片主要应用于高速率、高可靠性、对实时性要求高的场合,如实现DSP与PCI 总线芯片之间的数据交换接口电路等。但普通双端口RAM 最大的缺点是在两个CPU发生竞争时,有一方CPU 必须等待,因而降低了访问效率。IDT 公司推出的专用双端口RAM 芯片解决了普通双端口RAM 内部竞争问题,并融合了中断、旗语、主从功能。它具有存取速度快、功耗低、可完全异步操作、接口电路简单等优点,但缺点也非常明显,那就是价格太昂贵。为解决IDT 专用双端口RAM 芯片的价格过高问题,广州致远电子有限公司推出了一种全新的基于Actel FPGA 的双端口RAM 的解决方案。该方案采用Actel FPGA 实现,不仅具有IDT 专用双端口RAM 芯片的所有性能特点,更是在价格上得到了很大改善,以A3P060双端口RAM 为例,在相同容量(2K 字节)下,其价格仅为IDT 专用芯片的六分之一。

    标签: Actel FPGA RAM 双端口

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:18165383642

  • Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配

    Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例,简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计),其中DRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度,低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片),DRAM时钟频率133M。因为频率较高,设计过程中我们需要考虑DRAM的数据、地址和控制线是否需加串阻。下面,我们以数据线D0仿真为例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司网站下载各器件IBIS模型。然后打开Hyperlynx,新建LineSim File(线路仿真—主要用于PCB前仿真验证)新建好的线路仿真文件里可以看到一些虚线勾出的传输线、芯片脚、始端串阻和上下拉终端匹配电阻等。下面,我们开始导入主芯片DSP的数据线D0脚模型。左键点芯片管脚处的标志,出现未知管脚,然后再按下图的红线所示线路选取芯片IBIS模型中的对应管脚。 3http://bbs.elecfans.com/ 电子技术论坛 http://www.elecfans.com 电子发烧友点OK后退到“ASSIGN Models”界面。选管脚为“Output”类型。这样,一样管脚的配置就完成了。同样将DRAM的数据线对应管脚和3245的对应管脚IBIS模型加上(DSP输出,3245高阻,DRAM输入)。下面我们开始建立传输线模型。左键点DSP芯片脚相连的传输线,增添传输线,然后右键编辑属性。因为我们使用四层板,在表层走线,所以要选用“Microstrip”,然后点“Value”进行属性编辑。这里,我们要编辑一些PCB的属性,布线长度、宽度和层间距等,属性编辑界面如下:再将其它传输线也添加上。这就是没有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最远直线间距1.4inch,对线长为1.7inch)。现在模型就建立好了。仿真及分析下面我们就要为各点加示波器探头了,按照下图红线所示路径为各测试点增加探头:为发现更多的信息,我们使用眼图观察。因为时钟是133M,数据单沿采样,数据翻转最高频率为66.7M,对应位宽为7.58ns。所以设置参数如下:之后按照芯片手册制作眼图模板。因为我们最关心的是接收端(DRAM)信号,所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手册的输入需求设计。芯片手册中要求输入高电平VIH高于2.0V,输入低电平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一个NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信号(不长于3ns):按下边红线路径配置眼图模板:低8位数据线没有串阻可以满足设计要求,而其他的56位都是一对一,经过仿真没有串阻也能通过。于是数据线不加串阻可以满足设计要求,但有一点需注意,就是写数据时因为存在回冲,DRAM接收高电平在位中间会回冲到2V。因此会导致电平判决裕量较小,抗干扰能力差一些,如果调试过程中发现写RAM会出错,还需要改版加串阻。

    标签: Hyperlynx 仿真 阻抗匹配

    上传时间: 2013-12-17

    上传用户:debuchangshi

  • 三菱PLC的学习FLASH

    三菱PLC的学习FLASH

    标签: FLASH PLC 三菱

    上传时间: 2013-12-29

    上传用户:leyesome

  • FLASH短接图(解决U盘

    FLASH短接图

    标签: FLASH U盘

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:shus521

  • SL811开发资料_包含源程序_电路图_芯片资料

    SL811开发资料_包含源程序_电路图_芯片资料:SL811HS Embedded USB Host/Slave Controller.The SL811HS is an Embedded USB Host/Slave Controller capable of communicate with either full-speed or low-speed USB peripherals. The SL811HS can interface to devices such as microprocessors, microcontrollers, DSPs, or directly to a variety of buses such as ISA, PCMCIA, and others. The SL811HS USB Host Controller conforms to USB Specification 1.1.The SL811HS USB Host/Slave Controller incorporates USB Serial Interface functionality along with internal full-/low-speed transceivers.The SL811HS supports and operates in USB full-speed mode at 12 Mbps, or at low-speed 1.5-Mbps mode.The SL811HS data port and microprocessor interface provide an 8-bit data path I/O or DMA bidirectional, with interrupt support to allow easy interface to standard microprocessors or microcontrollers such as Motorola or Intel CPUs and many others. Internally,the SL811HS contains a 256-byte RAM data buffer which is used for control registers and data buffer.The available package types offered are a 28-pin PLCC (SL811HS) and a 48-pin TQFP package (SL811HST-AC). Both packages operate at 3.3 VDC. The I/O interface logic is 5V-tolerant.

    标签: 811 SL 开发资料 源程序

    上传时间: 2013-12-22

    上传用户:a82531317

  • NAND FLASH在储存测试系统中的应用

    NAND FLASH在储存测试系统中的应用

    标签: FLASH NAND 储存 中的应用

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:star_in_rain

  • TinyM0配套教程 串行NOR Flash存储方案

    串行NOR Flash是用串口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗Flash存储器;相对于并行Flash,它用更少的引脚传送数据,这降低了系统空间、功耗、成本。它内部的地址空间是线性的,随机访问速度快;它的传输效率高,在1~ 4MB的小容量时具有很高的性价比。更重要的是,串行NOR Flash的读写操作十分简单。这些优势使得串行NOR Flash被广泛地用于微型、低功耗的数据存储系统。串行NOR Flash 可通过SPI进行操作。用户根据NOR Flash芯片自定义的协议,通过SPI发送命令到芯片,并接收NOR Flash芯片返回的状态信息和数据信息。此外,用户在使用串行NOR Flash时需要注意其支持哪些类型的SPI操作方式。

    标签: TinyM0 Flash NOR 教程

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:wangjin2945