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DMA-FLASH-Ram

  • 基于Samsung2410平台的PCMCIA中的DMA测试程序和Wait程序

    基于Samsung2410平台的PCMCIA中的DMA测试程序和Wait程序,还有经编译后的CPLD参数。

    标签: Samsung PCMCIA 2410 Wait

    上传时间: 2013-08-24

    上传用户:黄华强

  • 重要代码,FPGA CYCLONE FLASH DRIVER

    重要代码,FPGA CYCLONE FLASH DRIVER

    标签: CYCLONE DRIVER FLASH FPGA

    上传时间: 2013-08-28

    上传用户:1079836864

  • 使8051能访问整个128KB的RAM空间和128KB的FlashRom空间,在CPLD内建两个寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM扩展为128KB的628128,FlashRom扩展为128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4个区(Bank) 地址分配为0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8个区(Bank) 地址分配为0x8000-0xBFFF\r\n 为了使8051能访问整个128KB的RAM空间和128KB的FlashRom空间,在CPLD内建两个寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    标签: 128 FlashRom 8051 KB

    上传时间: 2013-08-30

    上传用户:cainaifa

  • 这是一款USB接口ISP1582器件实现DMA传输的辅助电路的硬件设计源代码

    这是一款USB接口ISP1582器件实现DMA传输的辅助电路的硬件设计源代码

    标签: 1582 USB ISP DMA

    上传时间: 2013-09-05

    上传用户:1142895891

  • XAPP983-从 Flash存储器执行和调试软件

    This document and the associated reference design provide guidance for assigning anddebugging software to or in FLASH memory, specifically for a MicroBlaze™ embeddedprocessor design.

    标签: Flash XAPP 983 存储器

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:dgann

  • Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配

    Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例,简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计),其中DRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度,低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片),DRAM时钟频率133M。因为频率较高,设计过程中我们需要考虑DRAM的数据、地址和控制线是否需加串阻。下面,我们以数据线D0仿真为例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司网站下载各器件IBIS模型。然后打开Hyperlynx,新建LineSim File(线路仿真—主要用于PCB前仿真验证)新建好的线路仿真文件里可以看到一些虚线勾出的传输线、芯片脚、始端串阻和上下拉终端匹配电阻等。下面,我们开始导入主芯片DSP的数据线D0脚模型。左键点芯片管脚处的标志,出现未知管脚,然后再按下图的红线所示线路选取芯片IBIS模型中的对应管脚。 3http://bbs.elecfans.com/ 电子技术论坛 http://www.elecfans.com 电子发烧友点OK后退到“ASSIGN Models”界面。选管脚为“Output”类型。这样,一样管脚的配置就完成了。同样将DRAM的数据线对应管脚和3245的对应管脚IBIS模型加上(DSP输出,3245高阻,DRAM输入)。下面我们开始建立传输线模型。左键点DSP芯片脚相连的传输线,增添传输线,然后右键编辑属性。因为我们使用四层板,在表层走线,所以要选用“Microstrip”,然后点“Value”进行属性编辑。这里,我们要编辑一些PCB的属性,布线长度、宽度和层间距等,属性编辑界面如下:再将其它传输线也添加上。这就是没有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最远直线间距1.4inch,对线长为1.7inch)。现在模型就建立好了。仿真及分析下面我们就要为各点加示波器探头了,按照下图红线所示路径为各测试点增加探头:为发现更多的信息,我们使用眼图观察。因为时钟是133M,数据单沿采样,数据翻转最高频率为66.7M,对应位宽为7.58ns。所以设置参数如下:之后按照芯片手册制作眼图模板。因为我们最关心的是接收端(DRAM)信号,所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手册的输入需求设计。芯片手册中要求输入高电平VIH高于2.0V,输入低电平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一个NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信号(不长于3ns):按下边红线路径配置眼图模板:低8位数据线没有串阻可以满足设计要求,而其他的56位都是一对一,经过仿真没有串阻也能通过。于是数据线不加串阻可以满足设计要求,但有一点需注意,就是写数据时因为存在回冲,DRAM接收高电平在位中间会回冲到2V。因此会导致电平判决裕量较小,抗干扰能力差一些,如果调试过程中发现写RAM会出错,还需要改版加串阻。

    标签: Hyperlynx 仿真 阻抗匹配

    上传时间: 2013-11-05

    上传用户:dudu121

  • N79E8132移动电源方案

    N79E8132移动电源方案功能介绍     本方案的特色是采用新唐生产的兼容MCS-51核心的N79E8132单片机,可以在-40度到85度温度范围内安全工作,具备4K FLASH,4K DATAFLASH,512B RAM,高精度10位ADC,内置带隙电压可省去外部参考电压,内置22.1184M、11.0592M振荡器,并具有可分频的时钟供单片机核心使用,可以根据性能需要灵活选择工作时钟,提高工作效率,具备外部中断、按键中断,可以灵活实现单片机进入掉电模式后的唤醒功能,具备停机、掉电模式,在产品不使用的时候进入掉电模式,实现环保节能,支持ICE仿真工具,ICP、串口ISP烧写,开发硬件成本低。软件开发可以使用KEIL C,容易上手。     充电部分采用通用的TP4056,价格便宜,容易采购,可以通过外部元件灵活配置充电电流。     升压部分采用日本精工的S8365,工作频率1.2M,外置MOS,容易实现大电流,高效率,电感小型化节省成本。 技术参数 1. 输入: USB 5V/1A ,充电电流可达500-850mA,可根据需要进行设置 2. 输出: USB 5V/1A,效率最高可达到90%以上,可根据需要提高到2A 3. 电量指示: (可根据需要自行设定)     四灯全亮 75%-100%     三个指示灯亮 50%-75%     两个灯亮 25%-55%     一个指示灯亮 5%-25%     无指示灯亮 5%以下 4.充电指示:     25%以下 一个指示灯闪     25%-50% 一个指示灯亮 第二个闪     50%--75% 二个指示灯亮 第三个闪     75%-99% 三个指示灯亮 第四个闪     100% 四个指示灯长亮。 5.智能保护:     低电保护:电池电压低于3V时自动关闭升压     放电保护:放电电流大于额定电流自动关闭升压输出(1A模式设置为1.5A保护)     温度保护:检测电池温度,高于55度自动关闭升压输出(可选)     低电流关机:当外部设备的电流需求小于100mA时,关闭升压输出以节省电力。 6.按键操作:     短按按键,4个LED显示剩余电量3~5秒自动关闭   按键长按, LED点亮,闪烁3次后开启升压,显示电量,30秒内没有连接外部设备自动关机。   开机状态长按,点亮照明LED,再长按熄灭照明LED,照明LED点亮状态不会进入自动关机 带照明功能。(可选)8.原理图 9.BOM 序号 类型 参数 位号 封装 数量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 贴片电阻 0.1R R25 1206 1 5 贴片电阻 1A R28 1812 1 6 贴片电阻 22R R24 0603 1 7 贴片电阻 22R R30 0805 1 8 贴片电阻 100R R3 0805 1 9 贴片电阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 贴片电阻 2.4K R4 0603 1 11 贴片电阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 贴片电阻 43.2KF R46 0603 1 13 贴片电阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 贴片电阻 68KF R27 0603 1 15 贴片电阻 75KF R48 0603 1 16 贴片电阻 100K R2 R16 0603 2 17 贴片电阻 220KF R17 R26 0603 2 18 贴片电阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 贴片电容 47P C1 C7 0603 2 20 贴片电容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 贴片电容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 贴片电容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 贴片电感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二极管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二极管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能说明

    标签: N79E8132 移动电源 方案

    上传时间: 2013-11-16

    上传用户:sxdtlqqjl

  • 写XS128的D-Flash的三个程序案例

    写XS128的D-Flash的三个程序案例

    标签: D-Flash 128 XS 程序

    上传时间: 2013-10-16

    上传用户:13925096126

  • 安芯一号规格书

    深联华集成电路有限公司推出一款防破解,堵漏洞的单片机,可以很好的保护到您的知识产权, 此单片机兼容51系列,且与51系列内置相似。我们产品的优势: 1.在同样振荡频率下,较之传统的8051芯片它具有运行更快,性能更优越的特性; 2.这些特性包括内置256字节RAM和2个16位定时器/计数器,1个UART和外 部中断INT0和INT1; 3.可兼容8052芯片的16位定时器/计数器(Timer2)。包括适合于程序和数据的 62K字节Flash存储器。 4.集成了EUART,SPI等标准通讯模块,还集成了具有内建比较功能的ADC,PWM定时器以及模拟比 较器(CMP)等模块; 5.内建看门狗定时器,采用低电压复位、低电压检测、振荡器失效检测等功能,提供了2种低功耗省电模式; 6.高达32位的密码生成器-1/50亿(1/1G)的破解概率; 7.白噪声密码,没有规律可循,加密后原厂也无法破解;每颗芯片都有自己的 密码,同样的密码不可重用; 8.程序有防盗措施,即使破解后获得芯片中的程序也是乱码。

    标签: 规格书

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:维子哥哥

  • 最新微波炉的设计

    鉴于市场上常见的51系列8位单片机的售价比较低廉,我们的设计采用了P89V51RB2FN单片机作为主控制器,P89V51RB2FN 是一款80C51 微控制器,包含16kB Flash 和256 字节的数据RAM ,3 个16 位定时器/计数器,8 个中断源,4 个中断优先级,2 个DPTR 寄存器[19];主要负责系统的控制与协调工作。具体方案如下:首先,利用单片机检测各种模拟信号,通过接收键盘送来的命令,确认功能设置,实现数据装入和实时监控,其次,根据CPU发出的信号控制语音播报、显示等功能,用软件实现系统定时功能,节省了硬件成本的开销。这样的设计使安装和调试工作可以并行进行,极大地缩短了总体设计和制造的时间,综合考虑以上因素。

    标签: 微波炉

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:wanqunsheng