单片开关电源最新应用技术:突出实用性，全面系统深入地阐述了单片开关电源的最新应用技术。全书共十二章。第一章为单片开关电源综述。第二章至第十一章分别介绍了当今国际上最流行的TOPSwitch-Ⅱ系列、TOPSwitch-FX系列、TOPSwitch-GX系列、Tiny Switch-II、LinkSwitch、LinkSwitch-TN、LinkSwitch-HF、DPA-Switch、TEA1520、NCP1050、NCP1000、VIPer12A/22A等系列几百种单片开关电源的原理与应用。第十二章专门介绍了单片开关电源的设计要点及关键元器件选择。本书充分反映了近年来国内外在该领域的最新科研及应用成果。 第2版前言第一章 单片开关电源综述第一节 单片开关电源的发展概况及主要特点第二节 单片开关电源的产品分类第三节 单片开关电源的性能指标第二章 TOPSwitch-Ⅱ系列第二代单片开关电源的应用第一节 TOPSwitch-Ⅱ系列单片开关电源的性能特点第二节 TOPSwitch-Ⅱ系列单片开关电源的工作原理第三节 TOPSwitch-Ⅱ系列单片开关电源的快速设计法第四节 TOPSwitch-Ⅱ系列单片开关电源的典型应用第五节 TOPSwitch-Ⅱ系列产品在开关电源模块中的应用第六节 由TOPSwitch-Ⅱ系列产品构成的特种开关电源第七节 TOPSwitch-Ⅱ系列单片开关电源的设计要点第八节 TOPSwitch-Ⅱ系列单片开关电源的测试技术第三章 TOPSwitch-FX系列第三代单片开关电源的应用第一节 TOPSwitch-FX系列单片开关电源的性能特点第二节 TOPSwitch-FX系列单片开关电源的工作原理第三节 TOPSwitch-FX系列单片开关电源控制电路的设计第四节 TOPSwitch-FX系列单片开关电源的快速设计法第五节 TOPSwitch-FX系列单片开关电源的应用第六节 TOPSwitch-FX系列单片开关电源的设计要点第七节 TOPSwitch-FX系列单片开关电源的测试技术第四章 TOPSwitch-GX系列第四代单片开关电源的应用第一节 TOPSwitch-GX系列单片开关电源的性能特点第二节 TOPSwitch-GX系列单片开关电源的工作原理第三节 TOPSwitch-GX系列单片开关电源的快速设计法第四节 TOPSwitch-GX系列单片开关电源的应用第五节 TOPSwitch-GX系列单片开关电源的设计要点第六节 TOPSwitch-GX系列单片开关电源测试技术第五章 Tiny Switch-II系列第二代微型单片开关电源的应用第一节 Tiny Switch-II系列微型单片开关电源的性能特点第二节 Tiny Switch-II系列微型单片开关电源的工作原理第三节 Tiny Switch-II系列单片开关电源的应用第四节 Tiny Switch-II系列单片开关电源的设计要点及测试技术第六章 LinkSwitch系列单片开关电源的应用第一节 LinkSwitch系列单片开关电源的工作原理第二节 LinkSwitch系列单片开关电源的典型应用第三节 LinkSwitch系列单片开关电源的设计要点第四节 LinkSwitch系列单片开关电源模块中的应用第七章 LinkSwitch-TN系列单片开关电源的应用第八章 LinkSwitch-HF系列单片开关电源的应用第九章 DPA-Switch系列单片DC/DC电源变换器的应用第十章 TEA1520系列单片开关电源的应用第十一章 NCP1050系列单片开关电源的应用第十二章 单片开关电源的设计要点
上传时间： 2013-11-23
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82C55A是高性能，工业标准，并行I/O的LSI外围芯片；提供24条I/O脚线。 在三种主要的操作方式下分组进行程序设计82C88A的几个特点：(1)与所有Intel系列微处理器兼容；(2)有较高的操作速度；(3)24条可编程I/O脚线；(4)底功耗的CHMOS；(5)与TTL兼容；(6)拥有控制字读回功能；（7）拥有直接置位/复位功能；（8）在所有I/O输出端口有2.5mA DC驱动能力；（9）适应性强。方式0操作称为简单I/O操作，是指端口的信号线可工作在电平敏感输入方式或锁存输出。所以，须将控制寄存器设计为：控制寄存器中:D7=1; D6 D5=00; D2=0。D7位为1代表一个有效的方式。通过对D4 D3 D1和D0的置位/复位来实现端口A及端口B是输入或输出。P56表2-1列出了操作方式0端口管脚功能。
上传时间： 2013-10-26
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FPGA与ARM EPI通信，控制16路步进电机和12路DC马达 VHDL编写的，，，，，
上传时间： 2013-10-21
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特点 精确度0.05%满刻度 ±1位数 显示范围-19999-99999可任意规划 可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩定性高 分离式端子,配线容易 CE 认证 主要規格 辅助电源: None 精确度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 输入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 输入电压降: max. DC5V with 20mA input 最大过载能力: < ±50mA 取样时间: 2.5 cycles/sec. 显示值范围: -19999 - 99999 digit adjustable 归零调整范围: -999-999 digit adjustable 最大值调整范围: -999-999 digit adjustable 过载显示: " doFL " or "-doFL" 极性显示: " 一 " for negative readings 显示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 温度系数 : 50ppm/℃ (0-50℃) 参数设定方式: Touch switches 记忆型式: Non-volatile E2 外壳材料: ABS 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用环境条件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间： 2013-10-09
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TKS仿真器B系列快速入门
上传时间： 2013-10-31
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DC-DC经典PCB布局
上传时间： 2013-11-25
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FPGA与ARM EPI通信，控制16路步进电机和12路DC马达 VHDL编写的，，，，，
上传时间： 2013-10-31
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
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特点 精确度0.1%满刻度±1位數 可直接量測交直流电压(AC/DC 20~265V)无需另接电源 精密濾波整流,均方根值校正 尺寸小(24x48x50mm),穩定性 分离式端子,配線容易 CE认证
上传时间： 2013-11-05
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一个简单好用的B+树算法实现
上传时间： 2015-01-04
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