第1 章 体系结构 ARM经典300问与答第1 问:Q:请问在初始化CPU 堆栈的时候一开始在执行mov r0, LR 这句指令时处理器是什么模式A:复位后的模式,即管理模式.第2 问:Q:请教:MOV 中的8 位图立即数,是怎么一回事 0xF0000001 是怎么来的A:是循环右移,就是一个0—255 之间的数左移或右移偶数位的来的,也就是这个数除以4一直除, 直到在0-255 的范围内它是整数就说明是可以的!A:8 位数(0-255)循环左移或循环右移偶数位得到的,F0000001 既是0x1F 循环右移4 位,符合规范,所以是正确的.这样做是因为指令长度的限制,不可能把32 位立即数放在32 位的指令中.移位偶数也是这个原因.可以看一看ARM 体系结构(ADS 自带的英文文档)的相关部分.第3 问:Q:请教:《ARM 微控制器基础与实战》2.2.1 节关于第2 个操作数的描述中有这么一段:#inmed_8r 常数表达式.该常数必须对应8 位位图,即常熟是由一个8 位的常数循环移位偶数位得到.合法常量:0x3FC,0,0xF0000000,200,0xF0000001.非法常量:0x1FE,511,0xFFFF,0x1010,0xF0000010.常数表达式应用举例:......LDR R0,[R1],#-4 ;读取 R1 地址上的存储器单元内容,且 R1 = R1-4针对这一段,我的疑问:1. 即常数是由一个8 位的常数循环移位偶数位得到,这句话如何理解2. 该常数必须对应8 位位图,既然是8 位位图,那么取值为0-255,怎么0x3FC 这种超出255 的数是合法常量呢3. 所举例子中,合法常量和非法常量是怎么区分的 如0x3FC 合法,而0x1FE 却非法0xF0000000,0xF0000001 都合法,而0xF0000010 又变成了非法4. 对于汇编语句 LDR R0,[R1],#-4,是先将R1 的值减4 结果存入R1,然后读取R1 所指单元的 值到R0,还是先读取R1 到R0,然后再将R1 减4 结果存入R1A:提示,任何常数都可用底数*2 的n 次幂 来表示.1. ARM 结构中,只有8bits 用来表示底数,因此底数必须是8 位位图.2. 8 位位图循环之后得到常数,并非只能是8 位.3. 0xF0000010 底数是9 位,不能表示.4. LDR R0, [R1], #-4 是后索引,即先读,再减.可以看一看ARM 体系结构对相关寻址方式的说明.
上传时间： 2013-11-22
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LTE基站误码率测试是基站射频测试中最为关键的测试项目之一，提出一种快速、高效的测试方法和测试架构。该方案采用基站射频板作为数据采集卡、完成上行链路的解调和模拟信号转换成I/Q数据功能，利用ADS、MATLAB搭建上行信道的同步、解码功能。测试表明该方案的测试精度达到 0.2dB，完全满足研发和生产中测试上行相关射频指标的功能需求， 同时本设计还具有开发周期短、投资成本低，操作简便、很强的跨系统移植能力。
上传时间： 2013-11-17
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介绍了光双二进制归零码DRZ和改进的双二进制归零码MD-RZ 的产生原理和特点，通过光通信仿真软件产生了这两种信号，并给出了光谱图。重点设计了一个40Gb/ s 的单信道光纤传输系统，对两种码型进行了模拟，通过对Q值的结果来分析其非线性容限和传输距离，并与CSRZ 码的传输性能进行对比。
上传时间： 2013-11-04
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因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ，占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%.
上传时间： 2013-10-31
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本书罗列了一些电子元件非常有用的知识，有些还是工作中经常会碰到的。
标签： 电子元器件
上传时间： 2013-10-31
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创新、效能、卓越是ADI公司的文化支柱。作为业界公认的全球领先数据转换和信号调理技术领先者，我们除了提供成千上万种产品以外，还开发了全面的设计工具，以便客户在整个设计阶段都能轻松快捷地评估电路。
上传时间： 2013-11-25
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上传时间： 2013-10-18
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频谱分析仪的主要工作原理 接收到的中频模拟信号经过A/D转换为14位的数字信 号，首先对数字信号进行数字下变频（DDC），得到I路、Q路信号，然后根据控制信号对I路、Q路信号进行抽取滤波，使用CIC抽取滤波器完成，然后在分 别对I路、Q路信号分别进行低通滤波，滤波器采用FIR滤波器和半带滤波器相结合的方式，然后对信号进行加窗、FFT（对频谱进行分析时进行FFT运算， 对功率谱进行分析时不进行FFT运算）、I路和Q路平方求和、求平均。最后将输出的数据送入到DSP中进行显示与控制的后续处理。
上传时间： 2013-11-14
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
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GDWI型绕线片式电感器 一 特征 绕线贴片结构，高Q值 大电流，低直流电阻，自谐频率较高 二 用途 适用于电子设备信息处理系统
上传时间： 2013-11-07
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