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  • 基于第二代电流传输器的积分器设计

    介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器(CCII)的电流模式积分器电路,能广泛应用于无线通讯、射频等高频模拟电路中。通过采用0.18 μm工艺参数,进行Hspice仿真,结果表明:电流传输器电压跟随的线性范围为-1.04~1.15 V,电流跟随的线性范围为-9.02~6.66 mA,iX/iZ的-3 dB带宽为1.6 GHz。输出信号的幅度以20dB/decade的斜率下降,相位在低于3 MHz的频段上保持在90°。

    标签: 电流传输器 积分器

    上传时间: 2014-06-20

    上传用户:lvchengogo

  • 带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

    设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺,在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结果表明,在2.5 V单电源电压下驱动2 pF负载时,运放的直流增益可达到124 dB,单位增益带宽720 MHz,转换速率高达885 V/μs,达到0.1%的稳定精度的建立时间只需4 ns,共模抑制比153 dB。

    标签: CMOS 增益提高 运算 放大器设计

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:jiiszha

  • 5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计

    采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5~12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动<0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。

    标签: GHz 12 复合管 功率

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:marten

  • 用Step7中SFB4x实现PID控制

    本文中所讨论的功能块(SFB41/FB41,SFB42/FB42,SFB43/FB43)仅仅是使用于S7 和C7 的CPU 中的循环中断程序中。该功能块,定期计算所需要的数据,保存在指定的DB 中(背景数据块)。允许多次调用该功能块.

    标签: Step7 SFB4x PID 控制

    上传时间: 2013-10-13

    上传用户:wdq1111

  • ADC转换器技术用语 (A/D Converter Defi

    ANALOG INPUT BANDWIDTH is a measure of the frequencyat which the reconstructed output fundamental drops3 dB below its low frequency value for a full scale input. Thetest is performed with fIN equal to 100 kHz plus integer multiplesof fCLK. The input frequency at which the output is −3dB relative to the low frequency input signal is the full powerbandwidth.APERTURE JITTER is the variation in aperture delay fromsample to sample. Aperture jitter shows up as input noise.APERTURE DELAY See Sampling Delay.BOTTOM OFFSET is the difference between the input voltagethat just causes the output code to transition to the firstcode and the negative reference voltage. Bottom Offset isdefined as EOB = VZT–VRB, where VZT is the first code transitioninput voltage and VRB is the lower reference voltage.Note that this is different from the normal Zero Scale Error.CONVERSION LATENCY See PIPELINE DELAY.CONVERSION TIME is the time required for a completemeasurement by an analog-to-digital converter. Since theConversion Time does not include acquisition time, multiplexerset up time, or other elements of a complete conversioncycle, the conversion time may be less than theThroughput Time.DC COMMON-MODE ERROR is a specification which appliesto ADCs with differential inputs. It is the change in theoutput code that occurs when the analog voltages on the twoinputs are changed by an equal amount. It is usually expressed in LSBs.

    标签: Converter Defi ADC 转换器

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:pans0ul

  • 低噪声放大器(LNA)

    LNA的功能和指标二端口网络的噪声系数Bipolar LNAMOS LNA非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配参考文献LNA 的功能和指标• 第一级有源电路,其噪声、非线性、匹配等性能对整个接收机至关重要• 主要指标– 噪声系数(NF)取决于系统要求,可从1 dB 以下到好几个dB, NF与工作点有关– 增益(S21)较大的增益有助于减小后级电路噪声的影响,但会引起线性度的恶化– 输入输出匹配(S11, S22)决定输入输出端的射频滤波器频响– 反向隔离(S12)– 线性度(IIP3, P1dB)未经滤除的干扰信号可通过互调(Intermodulation) 等方式使接收质量降低

    标签: LNA 低噪声放大器

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:xaijhqx

  • 一种增益增强型套筒式运算放大器的设计

    设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为26.2 mW.运放在4 ns的时间内可以达到0.01%的建立精度,满足系统设计要求.

    标签: 增益 增强型 运算放大器

    上传时间: 2013-10-16

    上传用户:563686540

  • 运算放大器中的虚断虚短应用

      虚短和虚断的概念   由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的,一般在 10 V~14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV,两输入端近似等电位,相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接近相等。   “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时,可把两输入端视为等电位,这一特性称为虚假短路,简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。   由于运放的差模输入电阻很大,一般通用型运算放大器的输入电阻都在1MΩ以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1uA,远小于输入端外电路的电流。故 通常可把运放的两输入端视为开路,且输入电阻越大,两输入端越接近开路。“虚断”是指在分析运放处于线性状态时,可以把两输入端视为等效开路,这一特性 称为虚假开路,简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。   在分析运放电路工作原理时,首先请各位暂时忘掉什么同向放大、反向放大,什么加法器、减法器,什么差动输入……暂时忘掉那些输入输出关系的公式……这些东东只会干扰你,让你更糊涂﹔也请各位暂时不要理会输入偏置电流、共模抑制比、失调电压等电路参数,这是设计者要考虑的事情。我们理解的就是理想放大器(其实在维修中和大多数设计过程中,把实际放大器当做理想放大器来分析也不会有问题)。

    标签: 运算放大器 虚断

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:181992417

  • 磁芯电感器的谐波失真分析

    磁芯电感器的谐波失真分析 摘  要:简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB,从而降低总谐波失真THD的历史过程,分析了诸多因数对谐波测量的影响,提出了磁心性能的调控方向。 关键词:比损耗系数, 磁滞常数ηB ,直流偏置特性DC-Bias,总谐波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年来,变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家,在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上,进行了深入的探讨和广泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施,促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。  一、 历史回顾 总谐波失真(Total harmonic distortion) ,简称THD,并不是什么新的概念,早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17-78“载波用铁氧体罐形磁心”中,规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示,利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法,专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统,其非线性失真有很严格的要求。  图中  ZD   —— QF867 型阻容式载频振荡器,输出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通滤波器,阻抗 150Ω,阻带衰耗大于61dB,       Lg88 ——并联高低通滤波器,阻抗 150Ω,三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器,阻抗 150Ω,三次谐波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 选频电平表,输入高阻抗, L ——被测无心罐形磁心及线圈, C  ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时,所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝, (线架为一格) , 其空心电感值为 318μH(误差1%) 被测磁心配对安装好后,先调节振荡器频率为 36.6~40KHz,  使输出电平值为+17.4 dB, 即选频表在 22′端子测得的主波电平 (P2)为+17.4 dB,然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平(P3), 则三次谐波衰耗值为:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 为放大器增益dB 从以往的资料引证, 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作,其中测量系统的高、低通滤波器,信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严,阻抗必须匹配,薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成,以保证本身的“洁净” ,不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求, 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初,1409 所和四机部、邮电部各厂,从工艺上改变了推板空气窑烧结,出窑后经真空罐冷却的落后方式,改用真空炉,并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料,在此基础上,还实现了高μ7000~10000材料的突破,从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM(频率划分调制)向PCM(脉冲编码调制) 转换时期, 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ,100KHz)的超优铁氧体材料<3>,其磁滞系数降为优铁

    标签: 磁芯 电感器 谐波失真

    上传时间: 2014-12-24

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  • 一种发动机高温差环境下的基准电压源电路

    根据汽车发动机控制芯片的工作环境,针对常见的温度失效问题,提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺,采用电流型带隙基准电压源结构,具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法,实现了较宽温度范围内的低温度系数。仿真结果表明,该带隙基准电路在-50℃~+125℃的温度范围内,实现平均输出电压误差仅5.2 ppm/℃,可用于要求极端严格的发动机温度环境。该电路电源共模抑制比最大为99 dB,可以有效缓解由发动机在不同工况下产生的电源纹波对输出参考电压的影响。

    标签: 发动机 温差 基准电压源 环境

    上传时间: 2014-01-09

    上传用户:ecooo