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D-Flash

  • PSGJR-D硅橡胶电加热板

    PSGJR-D硅橡胶电加热板介绍

    标签: PSGJR-D 橡胶 电加热板

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:远远ssad

  • 三菱PLC的学习FLASH

    三菱PLC的学习FLASH

    标签: FLASH PLC 三菱

    上传时间: 2013-12-29

    上传用户:leyesome

  • PSGKC-D高压开关测试仪

    PSGKC-D型开关机械特性测试仪,是我公司针对各种高压开关研制的一种通用型电脑智能化测试仪器。该仪器应用光电脉冲技术,单片计算机技术及可靠的抗电磁辐射技术,配以精确可靠的速度/距离传感器,可用于各种电压等级的真空、六氟化硫、少油、多油等高压开关的机械性参数的调试与测量。 公司:扬州品胜电气科技有限公司 地址:江苏宝应开发区安宜东路284号 电话:0514-88992611 传真:0514-88268181 88992611 手机:13382732611 13705255281 网址:http://www.yzpsdq.com 邮箱:88992611@yzpsdq.com QQ: 987006099 1014936215 联系人:张春华

    标签: PSGKC-D 高压开关 测试仪

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:脚趾头

  • D泵性能测试系统研制

    进行了D泵测试系统的机械结构设计和计算机测试系统设计,构建了测试系统软、硬件体系结构,阐述了D泵性能参数(如流量、扬程、效率、轴功率等)的测试原理和测量方法,并使用数据采集卡对相关的参数、数据进行了采集与处理,得到了相关性能参数的测试值,绘制出了D泵的性能曲线,并进行了误差分析。

    标签: 性能测试

    上传时间: 2013-11-01

    上传用户:徐孺

  • 绕线片式功率电感GDRH-D系列

    名称:绕线功率电感器 编号:Pro201257114027 型号:GDRH-D系列 类别:屏蔽式绕线电感器 品牌: 绕线片式功率电感GDRH-D系列 一 特征 采用磁屏蔽结构 低直流阻抗、高饱和电流 厚度薄、体积小,适合表面贴装 二 用途 录像机、液晶显示器、笔记本电脑、通讯、 设备、办公自动化等电子设备的电源扼流

    标签: GDRH-D 绕线 片式 功率电感

    上传时间: 2013-12-12

    上传用户:2525775

  • FLASH短接图(解决U盘

    FLASH短接图

    标签: FLASH U盘

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:shus521

  • NAND FLASH在储存测试系统中的应用

    NAND FLASH在储存测试系统中的应用

    标签: FLASH NAND 储存 中的应用

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:star_in_rain

  • TinyM0配套教程 串行NOR Flash存储方案

    串行NOR Flash是用串口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗Flash存储器;相对于并行Flash,它用更少的引脚传送数据,这降低了系统空间、功耗、成本。它内部的地址空间是线性的,随机访问速度快;它的传输效率高,在1~ 4MB的小容量时具有很高的性价比。更重要的是,串行NOR Flash的读写操作十分简单。这些优势使得串行NOR Flash被广泛地用于微型、低功耗的数据存储系统。串行NOR Flash 可通过SPI进行操作。用户根据NOR Flash芯片自定义的协议,通过SPI发送命令到芯片,并接收NOR Flash芯片返回的状态信息和数据信息。此外,用户在使用串行NOR Flash时需要注意其支持哪些类型的SPI操作方式。

    标签: TinyM0 Flash NOR 教程

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:wangjin2945

  • LPC1300用户手册 Flash存储器编程固件

    引导装载程序(boot loader)控制复位后的初始化操作,并提供对Flash存储器进行编程的方法。这可以对空片进行初始编程、对事先已编程的芯片进行擦除和再编程或者是在系统运行时通过系统中的应用程序对Flash存储器进行编程。19.3特性在系统编程:在系统编程(ISP)是通过使用引导装载程序软件和UART0串口对片内Falsh存储器进行编程/再编程的方法。这种方法也可以在芯片位于终端用户板时使用;在应用编程:在应用编程(IAP)是通过终端用户的应用代码对片内Flash存储器进行擦除/写操作的方法;只有LPC134x系列Cortex-M3微控制器支持从USB端口引导,通过将其枚举为大容量存储器等级(MSC)设备来连接到USB主机接口(仅适用于Windows操作系统);Flash访问时间可通过Flash控制器模块中的寄存器来配置;每个扇区的擦除时间为100ms±5%;而每个256字节的模块,其编程时间为1ms±5%。

    标签: Flash 1300 LPC 用户手册

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:weixiao99

  • NAND和NOR flash详解

    NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

    标签: flash NAND NOR

    上传时间: 2013-10-09

    上传用户:haojiajt