基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
上传时间： 2014-08-01
上传用户：1109003457
红外接收发射管
上传时间： 2013-10-08
上传用户：hzakao
介绍了晶闸管调速粗动装原理, 分析了典型故障的原因
上传时间： 2013-11-16
上传用户：cmc_68289287
针对准确测量油气水多相流各分相含量的问题，采用了电容层析成像技术完成油气水多相流各分相含量测量。通过仿真分析了采用有限元分析方法的电极间的灵敏度特性，探讨了测量中的"软场"特性；结合灵敏度的分析，对单元滤波图象重建进行了仿真对比，得到单元滤波对图像重建有很大的改善。说明采用电容层析成像技术测量各分相含量的方案是可行的。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：hustfanenze
电路连接 由于数码管品种多样，还有共阴共阳的，下面我们使用一个数码管段码生成器（在文章结尾） 去解决不同数码管的问题： 本例作者利用手头现有的一位不知品牌的共阳数码管：型号D5611 A/B，在Eagle 找了一个 类似的型号SA56-11，引脚功能一样可以直接代换。所以下面电路图使用SA56-11 做引脚说明。 注意： 1. 将数码管的a~g 段，分别接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的数码管未知的话，可以通过通电测量它哪个引脚对应哪个字段，然后找出a~g 即可。 2. 分清共阴还是共阳。共阴的话，接220Ω电阻到电源负极；共阳的话，接220Ω电阻到电源+5v。 3. 220Ω电阻视数码管实际工作亮度与手头现有原件而定，不一定需要准确。 4. 按下按钮即停。 源代码 由于我是按照段码生成器默认接法接的，所以不用修改段码生成器了，直接在段码生成器选择共阳极，再按“自动”生成数组就搞定。 下面是源代码，由于偷懒不用写循环，使用了部分AVR 语句。 PORTD 这个是AVR 的端口输出控制语句，8 位对应D7~D0，PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高电平。 PORTD = a;就是找出相应的段码输出到D7~D0。 DDRD 这个是AVR 语句中控制引脚作为输出/输入的语句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作为输出脚了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 单数码管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定义段码表，表中十个元素由LED 段码生成器生成，选择了共阳极。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定义PortD 的低七位全部用作输出使用。即0xFF=B11111111对 应D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用来做骰子暂停的开关 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //将段码输出PortD 的低7位，即Arduino 的引脚D0~D6，这样需要取出PORTD 最高位，即 D7的状态，与段码相加，之后再输出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延时50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引脚高电平，则在此死循环,暂停LED 跑 动 } }
上传时间： 2013-10-15
上传用户：baitouyu
1N系列稳压管参数
上传时间： 2013-10-11
上传用户：d815185728
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：文993
本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是60CoC和电子辐照损伤的主要原因, 而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位.
上传时间： 2013-11-12
上传用户：gououo
MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。
上传时间： 2013-12-09
上传用户：qlpqlq
闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路
上传时间： 2013-10-20
上传用户：缥缈
