·300M内部时钟频率 ·可进行频移键控（FSK），二元相移键控（BPSK），相移键控（PSK），脉冲调频（CHIRP），振幅调制（AM）操作 ·正交的双通道12位D/A转换器 ·超高速比较器，3皮秒有效抖动偏差 ·外部动态特性： 80 dB无杂散动态范围（SFDR）@ 100 MHz (±1 MHz) AOUT ·4倍到20倍可编程基准时钟乘法器 ·两个48位可编程频率寄存器 ·两个14位可编程相位补偿寄存器 ·12位振幅调制和可编程的通断整形键控功能 ·单引脚FSK和BPSK数据输入接口 ·PSK功能可由I/O接口实现 ·具有线性和非线性的脉冲调频（FM CHIRP）功能，带有引脚可控暂停功能 ·具有过渡FSK功能 ·在时钟发生器模式下，有小于25 ps RMS抖动偏差 ·可自动进行双向频率扫描 ·能够对信号进行sin(x)/x校正 ·简易的控制接口： 可配置为10MHZ串行接口，2线或3线SPI兼容接口或100MHZ 8位并行可编程接口 ·3.3V单电源供电 ·具有多路低功耗功能 ·单输入或差分输入时钟 ·小型80脚LQFP 封装
上传时间： 2019-08-06
上传用户：fuxy
对PL/0作以下修改和扩充，并使用测试用例验证： （1）修改单词：不等号# 改为 != ，只有！符号为非法单词，同时#成为非法 符号。 （2）增加单词(只实现词法分析部分)： 保留字 ELSE，FOR，STEP，UNTIL，DO,RETURN 运算符 *=（TIMESBECOMES），/=(SLASHBECOMES)，&(AND)，||(OR) 注释符 //（NOTE） （3）增加条件语句的ELSE子句（实现语法语义目标代码）， 要求：写出相关文法和语法图，分析语义规则的实现。
上传时间： 2020-06-30
上传用户：12345a
邻域： 以为中心的任何开区间； 2. 定义域： ； . 二、极限 1. 极限定义：（了解） 若对于，， 当时，有； Note： ，， 当时，有； Note： ，， 当时，有； Note： 2.函数极限的计算（掌握） （1） 定理：
标签： 高数总结
上传时间： 2020-07-08
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2021东三省数学建模竞赛省题C题-配电网可靠性和故障软自愈研究
上传时间： 2021-08-11
上传用户：INEVER
2021东三省数学建模竞赛省题B题-背向瑞利散射光纤激光传感器设计
上传时间： 2021-08-11
上传用户：INEVER
2021东三省数学建模竞赛省题A题-火星探测器着陆控制方案
上传时间： 2021-08-11
上传用户：INEVER
遥控直流立扇FSA-TM888FLZ控制说明
上传时间： 2021-11-11
上传用户：william1687
三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求，三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发，为人类的节能和环保不断努力。第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅片CSTBTIM技术，并具有正温度系数特征，与传统的沟槽型构造IGBT相比，降低了集电极一发射极间饱和电压，从而实现了更低损耗。同时改进了封装技术，大大减小了模块内部分布电感。本应用手册的出版，旨在帮助用户了解第5代IGBT和IPM模块的特性和工作原理，更加方便的使用三菱电机的半导体产品。三菱电机谨向所有购买和支持三菱半导体产品的用户表示诚挚的感谢。1.IGBT模块的一般认识1.1 NF系列IGBT模块的特点NF系列IGBT模块主要具有以下两大特点：1，采用第5代IGBT硅片在沟槽型IGBT的基础上增加电荷蓄积层的新结构（CSTBT）改善了关断损耗（Eoff）和集电极-发射极问饱和电压VEisat的折衷。插入式组合元胞（PCM）的使用增强了短路承受能力（SCSOA）并降低了栅极电容，从而降低驱动功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor载流子存储式沟槽硼型双极晶体臂
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
上传用户：shjgzh
AR0231AT7C00XUEA0-DRBR（RGB滤光）安森美半导体推出采用突破性减少LED闪烁 (LFM)技术的新的230万像素CMOS图像传感器样品AR0231AT，为汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)应用确立了一个新基准。新器件能捕获1080p高动态范围(HDR)视频，还具备支持汽车安全完整性等级B(ASIL B)的特性。LFM技术(专利申请中)消除交通信号灯和汽车LED照明的高频LED闪烁，令交通信号阅读算法能于所有光照条件下工作。AR0231AT具有1/2.7英寸(6.82 mm)光学格式和1928(水平) x 1208(垂直)有源像素阵列。它采用最新的3.0微米背照式(BSI)像素及安森美半导体的DR-Pix™技术，提供双转换增益以在所有光照条件下提升性能。它以线性、HDR或LFM模式捕获图像，并提供模式间的帧到帧情境切换。 AR0231AT提供达4重曝光的HDR，以出色的噪声性能捕获超过120dB的动态范围。AR0231AT能同步支持多个摄相机，以易于在汽车应用中实现多个传感器节点，和通过一个简单的双线串行接口实现用户可编程性。它还有多个数据接口，包括MIPI(移动产业处理器接口)、并行和HiSPi(高速串行像素接口)。其它关键特性还包括可选自动化或用户控制的黑电平控制，支持扩频时钟输入和提供多色滤波阵列选择。封装和现状：AR0231AT采用11 mm x 10 mm iBGA-121封装，现提供工程样品。工作温度范围为-40℃至105℃(环境温度)，将完全通过AEC-Q100认证。
标签： 图像传感器
上传时间： 2022-06-27
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gauss-seidel迭代法解Ax=b的解
标签： gauss-seidel Ax 迭代法
上传时间： 2013-12-16
上传用户：问题问题
