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  • CCS概念

    CCS概念

    标签: CCS

    上传时间: 2013-07-08

    上传用户:cjf0304

  • s_int

    s_int

    标签: s_int

    上传时间: 2013-07-08

    上传用户:奈雁归dxh

  • CCS的安装与CCS操作

    CCS的安装与CCS操作

    标签: CCS 操作

    上传时间: 2013-07-08

    上传用户:ligong

  • protel99常用电子元件封装介绍

    pcb制作

    标签: protel 99 常用电子 元件封装

    上传时间: 2014-01-23

    上传用户:emhx1990

  • MOS开关管参数手册

    ID 型号厂家用途构造沟道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 东芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 东芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 东芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A

    标签: MOS 开关管 参数

    上传时间: 2013-10-10

    上传用户:13162218709

  • 浅议模拟电子技术的学习要点与方法

    浅议_模拟电子技术_的学习要点与方法

    标签: 模拟电子技术

    上传时间: 2013-12-23

    上传用户:lanjisu111

  • 一种带振幅调节的晶体振荡器

    设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。

    标签: 振幅 调节 晶体振荡器

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:maricle

  • 利用AD7142和电容传感器开发单键数字快门按钮

    本应用笔记描述如何利用AD7142和电容传感器环,实现类似于传统35 mm单反(SLR)相机的单一位置数码相机快门按钮。除了更容易控制快门按钮的启动之外,其它优势包括:预对焦速度更快、快门按钮更便宜。

    标签: 7142 AD 电容传感器 单键

    上传时间: 2013-10-26

    上传用户:13925096126

  • 低功耗高速跟随器的设计

    提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明,在典型的转角下,打开2个辅助模块时,静态功耗约为35 μA;关掉辅助模块时,主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为10 μs;没有外接1μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明,该跟随器能满足CSTN-LCD系统低功耗、高转换速率性能要求。

    标签: 低功耗 跟随器

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:kxyw404582151

  • 什么是超电解电容器

    什么是超级电容器? ◆ 超级电容器(supercapacitor,ultracapacitor),又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黄金电容、法拉电容,通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件,但在其储能的过程并不发生化学反应,这种储能过程是可逆的,也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。 ◆ 超级电容器可以被视为悬浮在电解质中的两个无反应活性的多孔电极板,在极板上加电,正极板吸引电解质中的负离子,负极板吸引正离子,实际上形成两个容性存储层,被分离开的正离子在负极板附近,负离子在正极板附近。

    标签: 电解电容器

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:qzhcao