用双线性变换法设计IIR数字滤波器 （1）用双线性变换法设计一个巴特沃斯低通IIR 数字滤波器。设计指标参数为：在通 带内频率低于0.2π 时，最大衰减小于1dB；在阻带内[0.3π ,π ] 频率区间上，最小衰减大于15dB。 （2）以0.02π 为采样间隔，打印出数字滤波器在频率区间[0,π / 2] 上的幅频响应特性 曲线。 （3）用所设计的滤波器对实际心电图信号采样序列（在本实验后面给出）进行仿真滤 波处理，并分别打印出滤波前后的心电图信号波形图，观察总结滤波作用与效果。
上传时间： 2014-01-12
上传用户：杜莹12345
多媒体5.1声道遥控功放全套方案(原理图+制作元件参数全套)各功能描述: 1. 当A为低电平时,AC-3灯点亮,即是AC-3的输入方式 当A为高电平时,STEREO灯点亮,即是STEREO的输入方式 2. 当STANDBY灯点亮时，为待机状态；此LED闪动时为MUTE状态,PT2258为静音状态,同时STANDBY为低电平 3. 各声道（FRONT，SUB，REAR，CENT）其微调音量调节+/-5dB；音量调节从01~80dB 4. 面板无任何按键,均为遥控器控制 5. 刚开机时为待机状态，开机时音量为50dB状态,各微调为0dB, 6. 按遥控器的REST键后,系统为开机时状态， 7. PT2258音量衰减共80DB,按遥控器每按一次衰减1dB,
上传时间： 2017-02-21
上传用户：黄华强
自己做的： （一）用双线性变换法设计并用实验系统实现一个三阶的契比雪夫Ⅰ型低通数字滤波器，其采样频率Fs =8KHz，1dB通带边界频率为fp=2KHz。 （二）用双线性变换法设计并用实验系统实现一个三阶的契比雪夫Ⅱ型高通数字滤波器，其采样频率Fs =16KHz，阻带边界频率为fst =4KHz，As=20dB。
上传时间： 2013-12-25
上传用户：D&L37
随着个人通信和移动通信技术在世界范围内的迅猛发展，人们对移动通信的服务质量要求也越来越高.WCDMA（Wideband Code Division Multiple Access）作为第三代移动通信系统的三大标准之一，因为具有优良的通信质量和较高的频谱利用率而被广泛应用.在WCDMA接收机中，射频前端电路占有重要的地位，其性能优劣直按影响着接收机的接收灵敏度以及后继信号处理部分的性能.因此，进行WCDMA射频电路的研究和设计具有重要的现实意义.天线和低噪声放大器（LNA）是射频（RF）接收机芯片的重要组成部分。本文在广泛查阅国内、外参考文献的基础上，对微带天线的宽频带技术和LNA的设计原理进行了深入地研究.综合多种宽频带技术，本文采用L形探针馈电与双E形槽贴片相结合的方法，提出了一款适合于WCDMA基站的宽频带微带天线结构。利用电磁仿真软件HFSS对该天线的性能进行了研究，研究了天线贴片尺寸对天线性能的影响。在此基础上，优化设计了适用于WCDMA基站的宽频带微带天线，并对其进行了加工、测试和分析，仿真和测试结果均表明，该天线-10dB回波损耗带宽为520MHz，天线在2GHz的增益为7.88dBi，满足WCDMA基站的要求.另外，本文还根据WCDMA基站对LNA性能的要求，利用仿真软件ADS（Advanced Design System）设计了一款高线性的两级平衡低噪声放大器，给出了电路原理图，并制作了版图，结果表明，该低噪声放大器在1.92GH2~1.98GHz频段增益不低于30dB，噪声系数小于1dB，满足WCDMA的要求，具有一定的实用价值。
上传时间： 2022-06-20
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射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：shjgzh
在现代无线通信系统中，射频终端的功率放大器的性能指标影响着整个通信系统的好坏，它的线性特性和功率转换效率等的研究正成为研究热点。在此背景下，研究设计出了一个工作在800MHz，用于移动设备终端的功率放大器。研究中，我们采用ADS进行了性能仿真，得到了该放大器的性能指标。针对制板时的电路原理图和布线，分析了板图布局的电磁兼容特性，并给出了仿真结果。最后采用Protel根据电路原理图设计了板图。本文的主要贡献如下：1、介绍了射频功率放大器的基本技术，包括分类、性能指标、演进和设计要求等。研究了当前如何改进放大器的线性性能的主要技术，如功率回退法、前馈技术、反馈技术及预失真技术等。同时研究了功率放大器的功率转换效率特性和提高效率的一些措施。2、研究设计了一个工作在800MHz用于移动终端的功率放大器。完成了从系统到电路的匹配和优化的全过程，并进行了性能仿真。3、采用功率回退线性化技术，进一步优化该放大器的性能指标，包括输出功率、增益、三阶交调、1dB增益压缩点、效率、频谱特性等性能参数。仿真结果表明，放大器的性能得到了进一步的提升。
标签： 射频功率放大器
上传时间： 2022-06-20
上传用户：默默
