波形质量更好。论文介绍了五电平功率单元级联变频器的主电路拓扑结构特点、探讨了输入移相整流技术，运用坐标变换的方法推导和分析了单元级联变频器及异步电机矢量控制系统的数学模型。研究和比较了级联式变频器的几种PWM算法的特点，并选取载波相移层叠混合PWM方式为变频器的控制方式。提出了三点式五电平功率单元的开关控制策略，以及单元平衡控制的解决方案。并研究了矢量控制方法在中压级联变频器系统的应用。研究和完成了控制系统的软件、硬件方案设计，对于系统的两级旁路保护与实现、在线故障识别系统，DSP／CPLD冗余控制系统等关键技术进行了研究。同时对采取该变频器供电的异步电机PWM控制系统和异步电机矢量控制系统分别进行了仿真研究，成功研制了中压五电平单元级联变频器样机。在不同负载和不同实验条件下对变频器样机进行了满功率大电流实验，结果表明五电平功率单元级联变频器输出稳定，动态响应好，得到了满意的预期效果。论文最后对研究工作进行了总结，并提出了一些需要进一步探讨和解决的问题。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：上善若水
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
1.1 特征1.2 稳定度1.3 反电动势1.4 电容C的充放电电流与电感L的充放电电压1.5 无变压器的最简单开关稳压电源1.5.1 降压型开关稳压电源1.5.2 升压型开关稳压电源1.5.3 极性反转型开关稳压电源1.6 iE激式电路与回扫式电路1.7 输入电压与输出功率决定的电路方式1.7.1 输入电压低的场合1.7.2 输入电压高的场合1.7.3 小功率的场合
标签： 开关稳压电源
上传时间： 2013-11-19
上传用户：laozhanshi111
背光组件中主要的发光器件冷阴极荧光灯(CCFL)具有特定的电气特性．通过实验研究了CCFL的与发光亮度和发光效率有关的特性．定性地分析了CCFL的自激振荡电路的工作原理。并在此基础上，对逆变振荡电路进行了定量的理论分析．为设计高效率驱动电路提供参考依据。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：love1314
半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件，微小的电流变化将导致光功率输出的极大变化和器件参数（如激射波长、噪声性能、模式跳动）的变化，这些变化直接影响器件的安全工作和应用要求。 本公司设计和生产的半导体激光电源LDD-AAVV-T是连续可调恒流电源，采用了目前国际先进的半导体激光电源方案，选用优质元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点，并具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路，保证激光器的稳定工作和使用寿命。LDD-AAVV型半导体激光电源采用单片机管理和控制，是一种智能化高精度恒流型开关电源，可作为半导体激光打标机的配套电源。针对激光打标设备的特点，电源还可管理水泵、指示光、振镜和Q开关几部分的开关。电源有LCD液晶显示，能提供电源工作的各个参数及其工作状态的显示，具备过压、过流、水温和水压报警功能，实为半导体激光器的理想电源。本电源还可以作为其它高精度恒流源，供设备使用。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：lifangyuan12
变频器功能参数很多，一般都有数十甚至上百个参数供用户选择。实际应用中，没必要对每一参数都进行设置和调试，多数只要采用出厂设定值即可。但有些参数由于和实际使用情况有很大关系，且有的还相互关联，因此要根据实际进行设定和调试。
上传时间： 2013-11-01
上传用户：lty6899826
一、变压器Np、Ns、Lp的计算二、如果要计算气隙长度Lg三、开关管Vce、Ic的计算（非连续）五.输出整流二极管Id、Vd的计算Flyback输出滤波电容设计流过输出电容C的纹波电流Ic=I2- Io 其中：I2为次级线圈电流 Ic的有效值可由下式计算：Icrms=[Ton/3T(I2p^2-I2pIo+Io^2 )+(Toff/T)* Io^2]^1/2 其中I2p=2io/(1- δmax) 此为输入电压最低、输出功率最大时状态。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：aesuser
单片机红外控制发射器设计
上传时间： 2013-11-25
上传用户：钓鳌牧马
上一节，仔细的把怎么建立一个好的工程模板说了一下，可以说是一个好的
上传时间： 2013-11-25
上传用户：shawvi
详细介绍用户指南
上传时间： 2013-11-15
上传用户：wivai
