摘要：对特殊的环境温度进行测量.不仅要求测量的实时性.而且要求测量的精确度.使测量的温度达到既定的标准。因此作者介绍了一种应用铂电阻进行高精度的温度测量系统.系统中以PT100铂电阻作为测温传感器.采用最小二乘法来消除测温系统的非线性.并应用24位高性能模数转换器AD7714对所输入的模拟信号进行模/数转换。AD转换器AD7714的应用保证了0.001摄氏度的测量分辨率.最小二乘法的非线性优化使系统的测量误差小于0.01%。关键词：温度测量 AD7714 AT89C51 单片机 非线性优化 最小二乘法 铂电阻
上传时间： 2013-11-20
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介绍应用虚拟仪器技术开发的血铅检测分析系统，该系统不仅造价低，且性能大大优于传统血铅分析仪。随着计算机技术的飞速发展，测试技术的精确度和灵活性都大为提高,并向着数字化和智能化发展。近年来，强大的面向对象的程序开发工具的出现，使编写大规模程序更加简洁和容易，也为虚拟仪器的出现提供了前提。虚拟仪器是当前测控领域的热点，已广泛应用于航天、通信、生物工程、电子、机械等领域。采用虚拟仪器技术构建的测试仪器开发效率高，可维护性强；测试精度、稳定性和可靠性都能够得到充分保证；具有很高的性价比，节省投资，便于设备更新和功能的转换与扩充。虚拟仪器用图形化编程软件LabVIEW进行开发。LabVIEW是一个通用的编程系统，它不但具有一般的数学运算、逻辑运算和输入输出功能，还带有专门的用于数据采集和仪器控制的库函数和开发工具，以及专业的数学分析程序包，可以满足复杂的工程计算和分析需要。在LabVIEW虚拟平台上进行仪器开发不但可行而且简单方便。本文将介绍在LabVIEW虚拟平台上开发的一套血铅分析仪。铅是人体惟一不需要的微量元素，它几乎对人体所有的器官都能构成损害。即使人体内有0.01μg的铅存在，也会对健康造成损害。而且，人们即便脱离了铅污染环境或经治疗使血铅水平明显下降，受损的器官和组织也不能修复。医生特别指出，并不是一定有什么临床症状才表明已有铅中毒发生。所以，铅对人体的危害十分严重并且不容易被察觉，检查人体铅的含量在临床上有着相当重要的意义。因此，血铅分析仪的开发有着深远的现实意义和工程意义。
上传时间： 2013-10-26
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编程AT89S51或52芯片，如下图放置AT89S52芯片，插好并口线和USB线或外接电源也可，这里我们用了USB取电，按右下电源切换开关给GB-01系统供电。
上传时间： 2013-11-10
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74系列选型参考 00 四2 输入与非门01 四2 输入与非门（OC）02 四2 输入与非门03 四2 输入与非门（OC）04 六反相器05 六反相器（OC）06 六高压输出反相缓冲器/驱动器（OC，30V）07 六高压输出缓冲器/驱动器（OC，30V）08 四2 输入与门09 四2 输入与门（OC）10 三3 输入与非门11 三3 输入与门12 三3 输入与非门（OC）13 双4 输入与非门（有施密特触发器）14 六反相器（有施密特触发器）
上传时间： 2013-10-28
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串行编程器源程序(Keil C语言)//FID=01:AT89C2051系列编程器//实现编程的读，写，擦等细节//AT89C2051的特殊处:给XTAL一个脉冲，地址计数加1;P1的引脚排列与AT89C51相反，需要用函数转换#include <e51pro.h> #define C2051_P3_7 P1_0#define C2051_P1 P0//注意引脚排列相反#define C2051_P3_0 P1_1#define C2051_P3_1 P1_2#define C2051_XTAL P1_4#define C2051_P3_2 P1_5#define C2051_P3_3 P1_6#define C2051_P3_4 P1_7#define C2051_P3_5 P3_5 void InitPro01()//编程前的准备工作{ SetVpp0V(); P0=0xff; P1=0xff; C2051_P3_5=1; C2051_XTAL=0; Delay_ms(20); nAddress=0x0000; SetVpp5V();} void ProOver01()//编程结束后的工作，设置合适的引脚电平{ SetVpp5V(); P0=0xff; P1=0xff; C2051_P3_5=1; C2051_XTAL=1;} BYTE GetData()//从P0口获得数据{ B_0=P0_7; B_1=P0_6; B_2=P0_5; B_3=P0_4; B_4=P0_3; B_5=P0_2; B_6=P0_1; B_7=P0_0; return B;} void SetData(BYTE DataByte)//转换并设置P0口的数据{ B=DataByte; P0_0=B_7; P0_1=B_6; P0_2=B_5; P0_3=B_4; P0_4=B_3; P0_5=B_2; P0_6=B_1; P0_7=B_0;} void ReadSign01()//读特征字{ InitPro01(); Delay_ms(1);//----------------------------------------------------------------------------- //根据器件的DataSheet，设置相应的编程控制信号 C2051_P3_3=0; C2051_P3_4=0; C2051_P3_5=0; C2051_P3_7=0; Delay_ms(20); ComBuf[2]=GetData(); C2051_XTAL=1; C2051_XTAL=0; Delay_us(20); ComBuf[3]=GetData(); ComBuf[4]=0xff;//----------------------------------------------------------------------------- ProOver01();} void Erase01()//擦除器件{ InitPro01();//----------------------------------------------------------------------------- //根据器件的DataSheet，设置相应的编程控制信号 C2051_P3_3=1; C2051_P3_4=0; C2051_P3_5=0; C2051_P3_7=0; Delay_ms(1); SetVpp12V(); Delay_ms(1); C2051_P3_2=0; Delay_ms(10); C2051_P3_2=1; Delay_ms(1);//----------------------------------------------------------------------------- ProOver01();} BOOL Write01(BYTE Data)//写器件{//----------------------------------------------------------------------------- //根据器件的DataSheet，设置相应的编程控制信号 //写一个单元 C2051_P3_3=0; C2051_P3_4=1; C2051_P3_5=1; C2051_P3_7=1; SetData(Data); SetVpp12V(); Delay_us(20); C2051_P3_2=0; Delay_us(20); C2051_P3_2=1; Delay_us(20); SetVpp5V(); Delay_us(20); C2051_P3_4=0; Delay_ms(2); nTimeOut=0; P0=0xff; nTimeOut=0; while(!GetData()==Data)//效验:循环读，直到读出与写入的数相同 { nTimeOut++; if(nTimeOut>1000)//超时了 { return 0; } } C2051_XTAL=1; C2051_XTAL=0;//一个脉冲指向下一个单元//----------------------------------------------------------------------------- return 1;} BYTE Read01()//读器件{ BYTE Data;//----------------------------------------------------------------------------- //根据器件的DataSheet，设置相应的编程控制信号 //读一个单元 C2051_P3_3=0; C2051_P3_4=0; C2051_P3_5=1; C2051_P3_7=1; Data=GetData(); C2051_XTAL=1; C2051_XTAL=0;//一个脉冲指向下一个单元//----------------------------------------------------------------------------- return Data;} void Lock01()//写锁定位{ InitPro01();//先设置成编程状态//----------------------------------------------------------------------------- //根据器件的DataSheet，设置相应的编程控制信号 if(ComBuf[2]>=1)//ComBuf[2]为锁定位 { C2051_P3_3=1; C2051_P3_4=1; C2051_P3_5=1; C2051_P3_7=1; Delay_us(20); SetVpp12V(); Delay_us(20); C2051_P3_2=0; Delay_us(20); C2051_P3_2=1; Delay_us(20); SetVpp5V(); } if(ComBuf[2]>=2) { C2051_P3_3=1; C2051_P3_4=1; C2051_P3_5=0; C2051_P3_7=0; Delay_us(20); SetVpp12V(); Delay_us(20); C2051_P3_2=0; Delay_us(20); C2051_P3_2=1; Delay_us(20); SetVpp5V(); }//----------------------------------------------------------------------------- ProOver01();} void PreparePro01()//设置pw中的函数指针，让主程序可以调用上面的函数{ pw.fpInitPro=InitPro01; pw.fpReadSign=ReadSign01; pw.fpErase=Erase01; pw.fpWrite=Write01; pw.fpRead=Read01; pw.fpLock=Lock01; pw.fpProOver=ProOver01;}
上传时间： 2013-11-12
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基于Altera公司FPGA芯片EP2C8Q208，嵌入MC8051 IP Core，用C语言对MC8051 IP Core进行编程，以其作为控制核心，实现系统控制。在FPGA芯片中，利用Verilog HDL语言进行编程，设计了以MC8051 IP Core为核心的控制模块、计数模块、锁存模块和LCD显示模块等几部分，实现了频率的自动测量，测量范围为0.1Hz~50MHz，测量误差0.01%。并实现测频率、周期、占空比等功能。
上传时间： 2013-10-14
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移动通信的相关知识。
上传时间： 2013-10-28
上传用户：himbly
01-接入分册• 01-ATM和DSL接口配置• 02-CPOS接口配置• 03-POS接口配置• 04-以太网接口配置• 05-WAN接口配置• 06-ATM配置• 07-DCC配置• 08-DLSW配置• 09-帧中继配置• 10-GVRP配置• 11-HDLC配置• 12-LAPB和X.25 配置• 13-链路聚合配置• 14-MODEM配置• 15-端口镜像配置• 16-PPP配置• 17-网桥配置• 18-ISDN配置• 19-MSTP配置• 20-VLAN配置• 21-端口隔离配置• 22-动态路由备份配置• 23-逻辑接口配置
上传时间： 2013-11-25
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ABB变频说明书
上传时间： 2013-11-12
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特点 最高輸入頻率 10KHz 计数速度 50/10000脈波/秒可选择 四种输入模式可选择(加算,減算,加減算,90度相位差加減算) 90度相位差加減算具有提高解析度4倍功能 输入脈波具有预设刻度功能 计数暂时停止功能 3组报警功能 15BIT类比输出功能 数位RS-485界面 2:主要規格 脈波輸入型式: Jump-pin selectable current sourcing(NPN) or current sinking (PNP) 脉波触发电位: HI bias (CMOS) (VIH=7.5V, VIL=5.5V) LO bias (TTL) (VIH=3.7V, VIL=2.0V) 最高输入频率: <10KHz (up,down,up/down mode) <3KHz (quadrature mode) 输出动作时间 : 0.1 to 99.9 second adjustable 输出复归方式: Manual(N) or automatic (R or C) can be modif 继电器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 显示值范围: -199999 to 999999 类比输出解析度: 15 bit DAC 输出反应速度: < 1/f+10ms(0-90%) 输出负载能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode <[(V+)-7.5V]/20mA for two-wire mode 输出之涟波: < 0.1% F.S. 通讯位址: "01"-"FF" 传输速度: 19200/9600/4800/2400 selective 通信协议: Modbus RTU mode 显示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm (.56") 参数设定方式: Touch switches 感应器电源: 12VDC +/-3%(<60mA) 记忆方式: Non-volatile E2PROM memory 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用环境条件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间： 2013-11-23
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