电流反馈式运算放大器应用电路指南
上传时间： 2014-12-21
上传用户：z754970244
介绍了一款不要求负参考电压 (VREF) 的电流源 DAC/运算放大器接口。尽管该建议电路设计提供了一款较好的有效解决方案，但必须注意的是：如果 DAC 的最大兼容电压作为运算放大器输入 (VDAC+) 正端的设计目标，则负端 (VDAC–) 的 DAC 电压将会违反最大兼容输出电压，因为存在最初并不那么明显的偏置。下面的讨论，将对出现这种偏置的原因进行解释，并提出一种解决问题的简单方法。之后，我们将讨论在 DAC 和运算放大器之间插入一个滤波器的方法。
上传时间： 2013-10-22
上传用户：gut1234567
为了测量某试件多点温度，且温度跨度很大，还要达到要求精度，本文利用几种不同类型的传感器（AD590、PT1000和K型热电偶）进行采集，其输出形式（电流源、电阻和热电势）和大小均不相同，设计了电源电路、信号转换电路和放大抬升电路，使各种传感器的输出达到统一的1～5 V的标准信号；在实验室利用高精度电压、电流源和电阻箱分别对热电偶、AD590和PT1000进行模拟，结果表明该方法可行，调理电路的相对精度可达到0.1级。
上传时间： 2013-12-11
上传用户：回电话#
ADM1073 –48 V热插拔控制器，可通过动态控制置于电源路径中外部N沟道FET上的栅极电压，精确限制该电源产生的电流。内部检测放大器可以检测连接在电源VEE和SENSE引脚之间的检测电阻上的电压。该电平体现了负载电流水平。检测放大器具有100 mV (±3%)的预设控制环路阈值。这意味着当检测电阻上检测到100 mV的电压时，电流控制环路就会调节负载电流。这样检测电阻值可以设置促使环路进行调节的电流水平。100 mV除以RSENSE可以得到电流值，此时检测电阻会促使环路进行调节。
上传时间： 2013-10-30
上传用户：packlj
1) 全数字化设计，交流采样，人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示，数字输入。 4) 电容器控制方案支持三相补偿、分相补偿、混合补偿方案，可通过菜单操作进行设置。 5) 电容器投切控制程序支持等容/编码（1：2、 1：2：3、 1：2：4：8…）等投切方式。 6) 具有手动补偿/自动补偿两种工作方式。 7) 提供电平控制输出接口（+12V），动态响应优于20MS。 8) 取样物理量为无功功率，具有谐波测量及保护功能。 9) 控制器具有RS-485通讯接口，MODBUS标准现场总线协议，方便接入低压配电系统。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：dancnc
针对传统第二代电流传输器（CCII）电压跟随不理想的问题，提出了新型第二代电流传输器（CCCII）并通过采用新型第二代电流传输器（CCCII）构成二阶电流模式带通滤波器，此滤波器只需使用2个电流传输器和2个电容即可完成设计。设计结构简单，其中心频率可由电流传输器的偏置电流控制。利用HSpice软件仿真分析并验证了理论设计的准确性和可行性。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：jqy_china
文中简要介绍了电流型运放的特性，着重对电流型运放的应用电路进行测试，研究电流型运放的应用特性。实验中，选择典型电流型运放及电压型运放构建负阻变换器、电压跟随器和同相比例放大器，通过对此3类应用电路的测试，分析、总结运放参数对特殊应用电路的影响，为电路设计者在具体电路的设计中恰当选择适合的放大器提供参考。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：13736136189
介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器（CCII）的电流模式积分器电路，能广泛应用于无线通讯、射频等高频模拟电路中。通过采用0.18 μm工艺参数，进行Hspice仿真，结果表明：电流传输器电压跟随的线性范围为-1.04～1.15 V，电流跟随的线性范围为-9.02～6.66 mA，iX/iZ的-3 dB带宽为1.6 GHz。输出信号的幅度以20dB/decade的斜率下降，相位在低于3 MHz的频段上保持在90°。
上传时间： 2014-06-20
上传用户：lvchengogo
本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。 前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试，说用了个 1KΩ的电阻，就没有任何问题了。 我很失望他没有问我为什么要这么做，这可能是大多数电子爱好初学者存在的问题，他们的动手能力很强，但是并不注重基本的理论知识。他们大多数情况下都是“依葫芦画瓢”，借用现成的电路使用，就连参数和器件型号的选择都疏于考虑。
上传时间： 2013-11-02
上传用户：ZJX5201314
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
