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大电流

  • 车载电源OBD

    输出3A 宽输入大电流输出   方便好用  CX8505完善的充电解决方案  

    标签: 车载电源

    上传时间: 2016-03-12

    上传用户:z11ou

  • USB充电协议智能识别 过流保护方案

    5802是一款单通道高性能USB限流开关,自带USB充电协议智能识别(DCP)和双色LED充电状态指示功能,内部集成35豪欧高击穿电压NMOS,可以抵抗输出短路时的瞬间大电流和高脉冲,保证系统工作的高效率和可靠性,5802集成了USB充电协议智能识别功能(DCP),可以自动检测苹果、三星和BC1.2充电协议,以最快速度给手机充电,此外5802还集成了双色LED充电状态指示功能。 联系人:唐云先生(销售工程)   手机:13530452646(微信同号) 座机:0755-33653783 (直线) Q Q: 2944353362

    标签: USB 充电协议 智能识别 方案 过流保护

    上传时间: 2019-03-18

    上传用户:lryang

  • ULN2003

    ULN2003是高耐压、大电流复合晶体管阵列,由七个硅NPN 复合晶体管组成,每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

    标签: 2003 ULN

    上传时间: 2021-06-26

    上传用户:xiangshuai

  • 汽车直流继电器HFE82V-200W 数据手册

    新能源汽车用大电流大功率直流继电器技术手册 变频器可用

    标签: 直流继电器

    上传时间: 2021-11-03

    上传用户:2431247090

  • SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装

    ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构,进一步降低了导通电阻;同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装,改善了开关特性,使开关损耗可以降低35%左右。此次,针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题,我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。关于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列,除了导通电阻很低,还通过采用4引脚封装使开关损耗降低了35%,对此我们非常感兴趣。此次,想请您以4引脚封装为重点介绍一下该产品。首先,请您大致讲一下4引脚封装具体是怎样的封装,采用这种封装的背景和目的是什么。首先,采用4引脚封装是为了改善SiCMOSFET的开关损耗。包括SiCMOSFET在内的电源开关用MOSFET和IGBT,被作为开关元件广泛应用于各种电源应用和电源线路中。必须尽可能地降低这种开关元件产生的开关损耗和传导损耗,但不同的应用,其降低损耗的方法也不尽相同。作为其中的一种手法,近年来发布了一种4引脚的新型封装,即在MOSFET的源极、漏极、栅极三个引脚之外,另外设置了驱动器源极引脚。此次的SCT3xxxxR系列,旨在通过采用最新的沟槽栅极结构,实现更低的导通电阻和传导损耗;通过采用4引脚封装,进一步发挥出SiC本身具有的高速开关性能,并降低开关损耗。那么,我想详细了解一下刚刚您的概述中出现的几个要点。首先,什么是“驱动器源极引脚”?驱动器源极引脚是应用了开尔文连接原理的源极引脚。开尔文连接是通过电阻测量中的4个引脚或四线检测方式,在电流路径基础上加上两条测量电压的线路,以极力消除微小电阻测量或大电流条件下测量时不可忽略的线缆电阻和接触电阻的影响的方法,是一种广为人知的方法。这种4引脚封装仅限源极,通过使连接栅极驱动电路返回线的源极电压引脚与流过大电流的电源源极引脚独立,来消除ID对栅极驱动电路的影响。

    标签: sic mosfet 封装

    上传时间: 2021-11-07

    上传用户:joshau007

  • 开关电源设计资料.pdf

    ,从耐压、电流能力看,可控硅目前仍然是最高的,在某些特定场合,仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合,功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT,特别是IGBT获得了更多的使用,开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件

    标签: 开关电源

    上传时间: 2021-11-24

    上传用户:hai7ying

  • TMC5160中文版数据手册

    TMC5160中文版数据手册,用于步进电机驱动电路设计,具有大电流,低噪声,高速性能好等特点

    标签: tmc5160

    上传时间: 2021-12-08

    上传用户:aben

  • 便携式12V铅酸蓄电池充电器的研制.doc

    便携式12V铅酸蓄电池充电器的研制.doc目前一部分变电站的直流后备电源采用了12V阀控式铅酸蓄电池,由于个体差异,有的电池在运行中会发生电池电压落后现象,在整组电池均衡充电不能解决这个问题时,则需要单独对这些落后电池进行处理。原先由于没有适用的充电器对其进行补充充电,而造成现场维护困难,为了解决这一问题,我们研制了智能化便携式充电器,经过现场工作人员长期使用,证明该充电器使用方便,充电性能及可靠性均满足要求。铅酸电池充电一般采用两阶段充电方式,即大电流补充充电阶段,均衡充电阶段和浮充电阶段。在大电流补充充电阶段,硫酸铅转化为负极板上的金属铅和正极板上的二氧化铅,当绝大部分硫酸铅完成转化以后,电池开始产生过充电反应,此时应大大降低充电电流以避免电池失水或阀控式铅酸蓄电池密封阀动作,在均衡充电结束时,充电器应自动转入浮充电状态。为了获得铅酸蓄电池的最大容量和延长其使用寿命,充电器的输出特性应该与电池的特性很好地配合。本充电器仅考虑了对电池的补充充电和短时间浮充电,因而未配置测量电池温度的传感元件。但变电站的充电机应考虑阀控式铅酸蓄电池的温度特性。

    标签: 铅酸蓄电池 充电器

    上传时间: 2021-12-09

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  • 国产MOS预驱动芯片EG3013 手册

    高端悬浮自举电源设计,耐压可达100V内建死区控制电路自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力 专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动HIN 输入通道高电平有效,控制高端HO 输出LIN 输入通道低电平有效,控制低端LO 输出外围器件少静态电流小:4.5mA 封装形式:SOP-8

    标签: mos

    上传时间: 2022-01-02

    上传用户:wwa875

  • 锂电池升压芯片 IC电路图和PCB图和BOM

    1, 锂电池升降压固定3.3V输出,电流150MA,外围仅3个电容2, 锂电池升压固定5V输出,外围仅3个电容3, 锂电池DC-DC升降压芯片,输出1-2A4, 锂电池升压5V 600MA,8uA低功耗 5, 锂电池升压到5V,8.4V,9V6, 锂电池升压到5V,8.4V,9V,12V7, 锂电池升压5V2A8, 锂电池升压5V3A9, 锂电池充电管理IC,可实现边充边放电10,  锂电池稳压LDO,和锂电池DC-DC降压大电流芯片锂电池常规的供电电压范围是3V-4.2V之间,标称电压是3.7V。锂电池具有宽供电电压范围,需要进行降压或者升压到固定电压值,进行恒压输出,同时根据输出功率的不同,(输出功率=输出电压乘以输出电流)。不同的输出电流大小,合适很佳的芯片电路也是不同。

    标签: 锂电池 升压芯片

    上传时间: 2022-01-11

    上传用户:d1997wayne