介绍了2H桥级联电路结构，研究和分析了用于多电平逆变器的三种不同的多载波PWM调制策略，并分析了逆变器侧输出电压频谱。在上述调制策略基础上结合多参考波调制方法，采用新型的多参考波和多载波的PWM技术，在Matlab/Simulink环境下构建了PWM调制模型。仿真结果与典型的多载波PWM策略结果的比较显示，新型的多载波控制方法能够小幅减小总谐波的失真率（THD），改善了输出电压频谱。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：lili123
设计了一种数字跟踪式复合结构的压电陶瓷驱动电源。采用数字式自适应信号源，驱动高精度运放OP07和高压大电流运放PA04组成复合式放大器，通过合理的相位补偿、保护电路设计和散热计算，实现高精度低漂移的压电陶瓷驱动。
上传时间： 2013-10-19
上传用户：aeiouetla
为研究功率型锂离子电池性能，对某35 Ah功率型锂离子电池单体进行了充放电特性试验和分析，由此获得功率型电池在不同温度和不同倍率下的充放电特性、内阻特性和温升特性。研究结果表明，低温下电池的充放电内阻较大，充放电性能衰减显著；常温下电池的内阻较小，充放电温升较小，大电流充放电的容量稳定性好，质量比能量高，作为电传动车辆主要或辅助动力源具有良好的应用前景。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：清风冷雨
种高精度数控直流电流源的设计与实现
上传时间： 2013-10-12
上传用户：时代电子小智
LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅動器，具有一個 4V 至 36V 的寬輸入電壓範圍，並可通過編程以高達 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流
上传时间： 2013-11-09
上传用户：xhwst
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列，這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：playboys0
基于LabVIEW的高精度电流源设计与实现
上传时间： 2013-11-11
上传用户：cuiyashuo
介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
上传时间： 2013-10-08
上传用户：642778338
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
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