设计了一种数字跟踪式复合结构的压电陶瓷驱动电源。采用数字式自适应信号源,驱动高精度运放OP07和高压大电流运放PA04组成复合式放大器,通过合理的相位补偿、保护电路设计和散热计算,实现高精度低漂移的压电陶瓷驱动。
上传时间: 2013-10-19
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为研究功率型锂离子电池性能,对某35 Ah功率型锂离子电池单体进行了充放电特性试验和分析,由此获得功率型电池在不同温度和不同倍率下的充放电特性、内阻特性和温升特性。研究结果表明,低温下电池的充放电内阻较大,充放电性能衰减显著;常温下电池的内阻较小,充放电温升较小,大电流充放电的容量稳定性好,质量比能量高,作为电传动车辆主要或辅助动力源具有良好的应用前景。
上传时间: 2013-11-13
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种高精度数控直流电流源的设计与实现
上传时间: 2013-10-12
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LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅動器,具有一個 4V 至 36V 的寬輸入電壓範圍,並可通過編程以高達 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流
上传时间: 2013-11-09
上传用户:xhwst
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR),整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间: 2013-10-27
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凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列,這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。
上传时间: 2013-11-12
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基于LabVIEW的高精度电流源设计与实现
上传时间: 2013-11-11
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介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
上传时间: 2013-10-08
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间: 2014-12-03
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TI33072高转换率单电源运算放大器
上传时间: 2014-11-30
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