谐振温度计的首次使用，具有古老的意义，值得力学及电子信息学生学习了解。
上传时间： 2021-08-02
上传用户：噜啦啦
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
上传用户：GGMD
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上传时间： 2021-11-08
上传用户：tigerwxf1
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上传时间： 2021-11-11
上传用户：kid1423
有源带通滤波器有源低通滤波器有源高通滤波器有源陷波器有源谐振滤波器5个Multisim源码文件
上传时间： 2021-11-12
上传用户：ibeikeleilei
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上传时间： 2021-11-14
上传用户：wwa875
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上传时间： 2021-11-19
上传用户：突破自我
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标签： 放大器
上传时间： 2021-11-20
上传用户：shjgzh
低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振(Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法，以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSFET 的开关损耗，从而提高可靠性。此外，更软的开关改善了电源的EMI 特性，允许设计人员减少使用滤波器的数目，因而降低成本。本文将描述准谐振架构背后的理论及其实施，并说明这类反激式电源的使用价值。
标签： 电源
上传时间： 2021-11-23
上传用户：hao123
LLC谐振腔半桥变压器设计问题.pdfThe design equations of LLC-SRC were listed as:
上传时间： 2021-12-03
上传用户：jiabin
