零漂移放大器可动态校正其失调电压并重整其噪声密度。自稳零型和斩波型是两种常用类型，可实现 nV 级失调电压和极低的失调电压时间/温度漂移。放大器的 1/f 噪声也视为直流误差，也可一并消除。零漂移放大器为设计师提供了很多好处：首先，温漂和 1/f 噪声在系统中始终起着干扰作用，很难以其它方式消除，其次，相对于标准的放大器，零漂移放大器具有较高的开环增益、电源抑制比和共模抑制比，另外，在相同的配置下，其总输出误差低于采用标准精密放大器的输出误差
上传时间： 2013-11-23
上传用户：kristycreasy
要想获得最低的失调和漂移性能，斩波稳定(自稳零)放大器可能是唯一的解决方案。最好的双极性放大器的失调电压为25 V，漂移为0.1 V/ºC。斩波放大器尽管存在一些不利影响，但可提供低于5 V的失调电压，而且不会出现明显的失调漂移，
上传时间： 2013-12-25
上传用户：z754970244
PADS_LOGIC_从零开始学习,你也可以快速成为高手！！！
标签： PADS_LOGIC 零
上传时间： 2013-10-27
上传用户：亚亚娟娟123
零序电压电流
上传时间： 2013-10-13
上传用户：laozhanshi111
非隔离或隔离式电源驱别
上传时间： 2013-10-27
上传用户：dudu1210004
AL-WDZ196型系列微机小电流系统接地选线装置 本装置适用于0.4KV～66KV中性点不接地或经电阻、消弧线圈接地的小电流接地系统。可广泛用于电力系统的发电厂、变电站、水电站及化工、冶金、煤炭、铁路等大型厂矿企业的供电系统。 在电力系统中，把中性点不接地或经消弧线圈、电阻接地的系统叫小电流接地系统,在小电流接地系统中最常见的故障是单相接地。小电流接地系统发生单项接地故障时，凡是对地有电容的线路都将有零序电流通过，但由于零序电流较小，又有很大的分散性，选择接地线路有一定困难；若系统中有消弧线圈，困难更大。 单相接地时接地电流较小，按电力系统安全运行规程的规定，发生单相接地故障后可继续运行1至2小时，但此时系统非故障相对地电压升高为线电压，若不及时处理，极易发展成两相短路使故障扩大。弧光接地还会引起全系统过电压。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：希酱大魔王
AL-LJ(K)系列零序电流互感器 保定奥兰电气科技有限责任公司生产的AL-LJ(K)系列零序电流互感器经电力工业部电气设备质量检测中心检测，质量优于国标GB1208-1997《电流互感器》，具有精度高，线性度好，运行可靠，安装方便，外型美观等特点。 零序电流互感器（电缆型）的孔径范围为Ф40～Ф360，有各种容量、变比、准确限值系数，可与小电流接地选线装置、继电器、仪表等配套使用，实现对系统的检测和保护。装置具有灵敏度高，线性度好等优点。产品分整体式和组合式两类。互感器采用工程塑料外壳、树脂浇注全密封；外型美观、安装方便、节省安装空间、规格品种多，可适用各种保护装置和电力系统各种运行方式（中性点接地，中性点不接地，大电阻接地，小电阻接地和消弧线圈接地）的需要。 空格：用于小电流接地选线装置 A：与DD11/60型继电器配合使用 J：用于微机型继电保护 B：与DL11/0.2型继电器配合使用 保定市奥兰电气科技有限责任公司开发生产的零序电流互感器是一种套在电缆上的CT，它的一次绕组为穿过CT内孔的三相一次导体电缆，它的一次电流是一次三相电流的向量和（在正常、三相平衡时为0），当发生一次系统单相接地时三相平衡关系被打破，这时零序电流互感器的二次就有电流输出，供给保护装置，实现保护和监控。 零序电流互感器的一次绝缘就是电缆自身绝缘，所以这种零序电流互感器可以套在任一电压等级的电缆上。
标签： 零序电流互感器
上传时间： 2013-10-30
上传用户：fengzimili
4_10kV三相干式非晶合金变压器专用技术规范
上传时间： 2013-11-20
上传用户：JamesB
非接触式感应充电电路
上传时间： 2013-11-05
上传用户：cjl42111
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
