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静电测试仪

  • 电动汽车逆变器大功率igbt模块新型封装技术研究

    电动汽车、混合动力汽车、燃料电池汽车为代表的新能源汽车是实现节能减排目标的重要行业之一。IGBT模块作为新能源汽车的核心,其发展受到广泛关注.IGBT模块发展的关键在于改善封装方式。本文指出了日前的封装材料在电动汽车逆变器大功率IGBT模块的封装过程中存在的缺陷,引入了新型连接材料纳米银焊膏。为了验证纳米银焊膏的连接性能,以确定其能否应用在所需的1GBT模块的制作过程中,本文首先设计了单个模拟芯片的烧结连接实验,通过微x射线断层扫描仪、剪切实验、1描电镜等检测手段,对烧结后的连接层进行了全方位的检测,结果发现虽然连接层没有发现明显的缺陷,但是剪切强度较低,经过分析猜想可能是磁控溅射镀层的质量并不十分可靠,因此又设计用真芯片和小块镀银铜板的烧结连接实验,连接传况良好,剪切实验的过程中,发现是芯片先出现破损,这证明了连接的质量是可靠的。因此可以将纳米银焊膏应用在IGBT模块的制作中。本文重点介绍了整个IGBT模块的制作方法。采用和之前单个芯片烧结相类似的操作过程,完成整个模块的烧结。烧结完成后通过微 射线断层扫描仪对烧结的质量进行了检测,通过检测发现连接层质量良好。模块烧结连接之后,更做出最终成型的IGBT模块,还需要经过外壳设计与制造、打线、灌度、组装等工T艺,从而得到最终的成品,并通过晶体管特性测试仪对模块的基本电性能进行了检测。

    标签: 电动汽车 逆变器 igbt模块 封装

    上传时间: 2022-06-20

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  • IEC 61000-4-2 2001版本,ESD静电测试标准

    本文档为ESD测试相关的国际标准,IEC 61000-4-2 2001版本,包括空气放电和接触放电,内容涵盖测试方法,实验台的设置,以及相关模型参数的配置,如150 pF/330 Ω 和 330 pF/330 Ω 两种放电模块。

    标签: ESD

    上传时间: 2022-06-21

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  • IGBT失效分析技术

    近年来,对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件,利用静态测试仪3716,SEM(Scanning Electrom Microscope,扫描电子显微镜)、EDX(Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射线光谱仪)、FIB(Focused lon beam,聚焦高子束)切割、TEM(Thermal Emmision Microscope,高精度热成像分析仪)等多种分析手段对模块应用当中失效的1GBT芯片进行电特性分析、芯片解剖并完成失效分析,并基于相应的失效模式提出了封装改进方案。1,对于栅极失效的情况,本论文先经过电特性测试完成预分析,并利用THEMOS分析出栅极漏电流通路,找到最小点并进行失效原因分析,针对相应原因提出改进方案。2,针对开通与关断瞬态过电流失效,采用研磨、划片等手段进行芯片的解剖。并用SEM与EDX对芯片损伤程度进行评估分析,以文献为参考进行失效原因分析,利用saber仿真进行失效原因验证。3,针对通态过电流失效模式,采用解剖分析来评估损伤情况,探究失效原因,并采用电感钳位电路进行实验验证。4,针对过电压失效模式,采用芯片解剖方式来分析失效点以及失效情况,基于文献归纳并总结出传统失效原因,并通过大量实验得出基于封装的失效原因,最后采用saber仿真加以验证。

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:1208020161

  • 电磁兼容中的接地技术

    摘要:讨论了电磁兼容中的的接地技术,包括接地的种类和目的、接地方式、屏蔽地、设备地、系统地,其目的在于安全运行和提高电力电子设备的电磁兼容能力。关键词:接地技术;电磁兼容;干扰1引言接地技术最早是应用在强电系统(电力系统、输变电设备、电气设备)中,为了设备和人身的安全,将接地线直接接在大地上。由于大地的电容非常大,一般情况下可以将大地的电位视为零电位。后来,接地技术延伸应用到弱电系统中。对于电力电子设备将接地线直接接在大地上或者接在一个作为参考电位的导体上,当电流通过该参考电位时,不应产生电压降。然而由于不合理的接地,反而会引入了电磁干扰,比如共地线干扰、地环路干扰等,从而导致电力电子设备工作不正常。可见,接地技术是电力电子设备电磁兼容技术的重要内容之一,有必要对接地技术进行详细探讨。2接地的种类和目的电力电子设备一般是为以下几种目的而接地:2.1安全接地安全接地即将机壳接大地。一是防止机壳上积累电荷,产生静电放电而危及设备和人身安全;二是当设备的绝缘损坏而使机壳带电时,促使电源的保护动作而切断电源,以便保护工作人员的安全。

    标签: 电磁兼容 接地技术

    上传时间: 2022-06-25

    上传用户:XuVshu

  • gjb 1649-1993 电子产品防静电放电控制大纲

    电子防护领域非常专业的经典资料,供大家选选择参考学习

    标签: 电子防护

    上传时间: 2022-06-25

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  • LED芯片封装设计与制作—LED工艺的研究

    本文大致可划分为四大部分。首先简单探讨LED,其次重点论述LED封装技术,然后简单介绍LED相关术语、LED相关工具,最后总结。经过对大量文献的阅读分析论证,LED封装技术主要涉及到封装设计、封装材料、封装设备、封装过程、封装工艺五大方面。封装设计是先导,封装材料是基础,封装设备是关键,封装过程是支柱,封装工艺是核心。封装过程大致可分为固品、焊线、灌胶、测试、分光五个阶段。封装工艺,主要体现为生产过程中的各个阶段各个环节各个步骤的技术要领和注意事项,在LED封装生产中至关重要,否则即使芯片质量好、辅材匹配好、设备精度高、封装设计优,若工艺不正确或品控不严格,最终也会影响LED封装产品的合格率、可靠性、热学特性及光学特性等。总之,合格的工艺能保证LED器件的质量,改进的工艺能降低LED器件的成本,先进的工艺能提高LED器件的性能。因此,本文重点在于对LED封装工艺进行分析和综合,简单介绍了封装设计,封装材料、封装设备、封装过程,详细地说明了封装工艺,总结了LED封装工艺的技术要领、注意事项,明确了LED封装有哪些工序、流程、制程、过程、环节,每个工序用什么材料,材料怎么检查怎么仓储怎么使用,用什么工具,工具怎么使用,操作步骤顺序和方法是怎样的,操作中要注意哪些事项,执行要达到什么标准,还分析了死灯的原因,介绍了LED封装生产过程中的静电防护措施。

    标签: led

    上传时间: 2022-06-26

    上传用户:zhaiyawei

  • 电磁兼容中接地技术详解

    接地是电路或系统正常工作的基本技术要求之一,也是EMC性能高低之关键因素。在电子设备中,合理地应用接地技术,能抑制电磁噪声,大大提高系统的抗干扰能力,减少 EMI,并且良好的接地对电磁场有很好的屏蔽作用,能释放设备机壳上积累的大量的电荷,从而避免产生静电放电效应。在设计一个产品时,在设计期间就考虑到接地是最经济的方法。一个设计良好的接地系统,不仅从 PCB,而且能从系统的角度防止辐射和进行系敏感度的防护。有关接地系统所关心的重要领域包括:①通过对高频元件的仔细布局,减小电流环路的面积或使其极小化。②对PC 系统分区时,使高带宽的高频电路与低频电路分开。③设计PCB系统时,使干扰电流不通过公共的接地回路影响其他电路。

    标签: 电磁兼容 接地技术

    上传时间: 2022-06-26

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  • IEC61000-4-5电磁兼容测试标准

    本标准等同采用IEC61000-4-5;1995《电磁兼容第4部分:试验和测量技术第5分部分:浪涌(冲击)抗扰度试验》。本标准是《电磁兼容试验和测量技术》系列国家标准的之一,该系列标准包括以下标准:GB/T17626.1-1998电磁兼容试验和测量技术抗扰度试验总论GB/T17626.2-1998电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验GB/T17626.3-1998电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验GB/T17626.4-1998电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验GB/T 17626.5-1999电磁兼容试验和测量技术浪涌(冲击)抗扰度试验GB/T17626.6-1998电磁兼容试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度GB/T17626.7-1998电磁兼容试验和测量技术供电系统及所连设备谐波、谐间波的测量和测量仪器导则GB/T17626.8-1998电磁兼容试验和测量技术工频磁场抗扰度试验GB/T17626.9-1998电磁兼容试验和测量技术脉冲磁场抗扰度试验GB/T17626.10-1998电磁兼容试验和测量技术阻尼振荡磁场抗扰度试验GB/T17626.11-1999电磁兼容试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压渐变抗扰度试验GB/T17626.12-1998电磁兼容试验和测量技术振荡波抗扰度试验本标准的附录A是标准的附录。本标准的附录B是提示的附录。本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国电磁兼容标准化联合工作组归口。本标准起草单位:电子工业部标准化研究所、机械工业部广州电器科学研究所、电力工业部武汉高压研究所等。本标准主要起草人:陈世钢、王素英、姚带月、聂定珍、文芳。

    标签: 电磁兼容

    上传时间: 2022-06-29

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  • 保险丝选型指南

    保险丝选型指南,静电保护,PTC

    标签: 保险丝 PTC

    上传时间: 2022-06-29

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  • 华大半导体MCU选型表

    信立诚科技主推低成本高性价比HC32F030F8TA-LQFP32可替换STM32F030K6T6,HC32F030F8TA比STM32F030K6T6单片机多集成了硬件除法器、蜂鸣器、电压比较器和低电压检测,独立PWM比STM32F030C8T6更丰富,12 位 1Msps 采样的高速高精度 SARADC,内置运放,可比ST单片机能测量到外部更微弱信号。HC32F030F8TA防静电可达8KV,比ST的防静电能力更强。

    标签: MCU

    上传时间: 2022-07-01

    上传用户:qingfengchizhu