mos管门级驱动电阻计算
上传时间: 2013-12-19
上传用户:王楚楚
ADM1073 –48 V热插拔控制器,可通过动态控制置于电源路径中外部N沟道FET上的栅极电压,精确限制该电源产生的电流。内部检测放大器可以检测连接在电源VEE和SENSE引脚之间的检测电阻上的电压。该电平体现了负载电流水平。检测放大器具有100 mV (±3%)的预设控制环路阈值。这意味着当检测电阻上检测到100 mV的电压时,电流控制环路就会调节负载电流。这样检测电阻值可以设置促使环路进行调节的电流水平。100 mV除以RSENSE可以得到电流值,此时检测电阻会促使环路进行调节。
上传时间: 2013-10-30
上传用户:packlj
上下拉电阻的小结,希望对大家有用
标签: 下拉电阻
上传时间: 2013-10-21
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间: 2013-10-21
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0欧电阻的作用
标签: 电阻
上传时间: 2014-12-23
上传用户:Yukiseop
I2C 的上拉电阻可以是1.5K,2.2K,4.7K, 电阻的大小对时序有一定影响,对信号的上升时间和下降时间也有影响,一般接1.5K 或2.2K.
上传时间: 2013-11-07
上传用户:michael20
软件 色环电阻计算
上传时间: 2014-11-23
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计数器是一种重要的时序逻辑电路,广泛应用于各类数字系统中。介绍以集成计数器74LS161和74LS160为基础,用归零法设计N进制计数器的原理与步骤。用此方法设计了3种36进制计数器,并用Multisim10软件进行仿真。计算机仿真结果表明设计的计数器实现了36进制计数的功能。基于集成计数器的N进制计数器设计方法简单、可行,运用Multisim 10进行电子电路设计和仿真具有省时、低成本、高效率的优越性。
上传时间: 2013-10-11
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热电偶温度与输入信号对照表包括热电偶温度与绝对毫伏对照与热电阻温度与电阻值对照。
上传时间: 2013-10-12
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零漂移放大器可动态校正其失调电压并重整其噪声密度。自稳零型和斩波型是两种常用类型,可实现 nV 级失调电压和极低的失调电压时间/温度漂移。放大器的 1/f 噪声也视为直流误差,也可一并消除。零漂移放大器为设计师提供了很多好处:首先,温漂和 1/f 噪声在系统中始终起着干扰作用,很难以其它方式消除,其次,相对于标准的放大器,零漂移放大器具有较高的开环增益、电源抑制比和共模抑制比,另外,在相同的配置下,其总输出误差低于采用标准精密放大器的输出误差
上传时间: 2013-11-23
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