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集电极开路

开集极电路(英语:OpenCollector,俗称“集电极开路门”或“OC门”),是一种集成电路的输出装置。OC门实际上只是一个NPN型三极管,并不输出某一特定电压值或电流值。OC门根据三极管基极所接的集成电路来决定(三极管发射极接地),通过三极管集电极,使其开路而输出。而输出设备若为场效应晶体管(MOSFET),则称之为漏极开路(英语:OpenDrain,俗称“OD门”),工作原理相仿。通过OC门这一装置,能够让逻辑门输出端的直接并联使用。两个OC门的并联,可以实现逻辑与的关系,称为“线与”,但在输出端口应加一个上拉电阻与电源相连。
  • 模拟电子Multisim仿真电路仿真实验150例Multisim工程源码

    模拟电子Multisim仿真电路仿真实验150例Multisim工程源码RCL无源谐振滤波器.ms8RLC无源低通滤波器.ms8从零起调的稳压电源.ms8共发射极固定偏置电路1.ms8共发射极固定偏置电路2.ms8共发射极简单.ms8共发射极简单偏置电路1.ms8共发射极简单偏置电路2.ms8共基极固定.ms8共基极固定电路.ms8共基极简单电路.ms8共集电极固定电路.ms8共集电极射极跟随器.ms8减法器.ms8切比雪夫低通滤波器.ms8加法器.ms8单电源差放.ms8双电源差放.ms8反相放大器.ms8反相过零比较器.ms8同相放大器.ms8回差比较器.ms8微分器.ms8有源低通滤波器.ms8有源带通滤波器.ms8有源谐振滤波器.ms8有源陷波器.ms8有源高通滤波器.ms8标准三角波发生器.ms8积分器.ms8简易波形发生器.ms8跟随器.ms8过零比较器.ms8门限比较器.ms8非零起调稳压电源.ms8-------

    标签: 模拟电子 multisim

    上传时间: 2021-12-11

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  • 离线式开关电源电路设计及电路原理图pcb变压器资料解析

    离线式开关电源电路设计及电路原理图pcb变压器资料解析功能描述  DK124 是一款离线式开关电源芯片,最大输出功率达到 24W。不同于 PWM 控制器和外部 分立功率 MOS 组合的解决方案,DK124 内部集成了 PWM 控制器、700V 功率管和初级峰值 电流检测电路,并采用了可以省略辅助供电绕组的专利自供电技术,因此极大地简化了 外围应用电路,减少了原件数量,电路尺寸和重量,特别适用于成本敏感的反激式开关 电源。 产品特点 l 全电压输入 85V—265V l 内置 700V 高压功率管 l 内部集成了高压启动电路,无需外部启动电阻 l 内置 16mS 软启动电路 l 内置高低压功率补偿电路,使高低压最大输出功率保持一致 l 专利的自供电技术,无需外部辅助绕组供电 l 内置频率调制电路,简化了外围 EMI 设计成本 l 完整的过压、过温、过流、过载、输出开路/短路保护 应用领域

    标签: 开关电源 电路设计 变压器

    上传时间: 2022-02-22

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  • PT4211-30V350mA高亮度LED恒流驱动器 ALTIUM AD设计硬件原理图+PCB文件

    PT4211-30V350mA高亮度LED恒流驱动器 ALTIUM AD设计硬件原理图+PCB 工程文件 概述    PT4211是一款连续电感电流导通模式的降压恒流源,专门针对用于驱动1-3颗串联LED而设计。PT4211可接受的输入电压范围从5伏到30伏,输出电流可调至最大350mA。    PT4211 内置功率开关,采用高端电流采样方式,通过一个外部电阻设定LED平均电流。专用调光DIM引脚可以接受宽范围的PWM调光信号。当DIM的电压低于0.4伏时,功率开关关断,PT4211进入极低工作电流的待机状态。     PT4211采用SOT23-5封装。    关键特性极少的外部元器件输入电压范围从5V到30V最大输出350mA电流专用调光管脚可接受PWM调光3%的输出电流精度LED开路自然保护高达93%的效率输出可调的恒流控制方法软过温保护尽大可能减少高温下LED闪烁

    标签: pt4211 led 驱动器

    上传时间: 2022-03-17

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  • PCB天线与微带天线

    天线是作无线电波的发射或接收用的一种 金属装置。无线电通信、广播、电视、雷达、导航、电子对抗、遥感、射电天文等工程系统,凡是利用电磁波来传递信息的,都依靠天线来进行工作。此外,在用电磁波传送能量方面,非信号的能量辐射也需要天线。一般天线都具有可逆性,即同一副天线既可用作发射天线,也可用作接收天线。同一天线作为发射或接收的基本特性参数是相同的。这就是天线的互易定理。射频天线设计TOP2.2 微带贴片天线微带贴片天线是由 贴在带有金属地板 的介质基片上的辐射贴片导体所构成的 如图3所示,根据天线辐射特性的需要,可以设计贴片导体为各种形状,通常贴片天线的辐射导体 与金属地板距离为几十分之一波长,假设辐射电场沿导体的横向与纵向两个方向没有变化,仅沿约为半波长(Ag/2)的导体长度方向变化.则微带贴片天线的辐射基本上是由贴片导体 开路边沿的边缘场 引起的,辐射方向基本确定,因此,一般适用于通讯方向变化不大的 RFID应用系统中,为了提高天线的性能并考虑其通讯方向性问题,人们还提出了各种不同的微带缝隙天线,如文献[5,6]设计了一种工作在 24 GHz的单缝隙天线和 5.9 GHz的双缝隙天线,其辐射波为线极化波;文献[7,81开发了一种圆极化缝隙耦合贴片天线,它是可以采用左旋圆极化和右旋圆极化来对二进制数据中的"R"进行编码.2.3偶极子天线在远距离耦合的 RFID应用系统中,最常用的是偶极子天线(又称对称振子天线).偶极子天线及其演化形式如图4所示,其中偶极子天线由两段同样粗细和等长的直导线排成一条直线构成,信号从中间的两个端点馈入,在偶极子的两臂上将产生一定的电流分布,这种电流分布就在天线周围空间激发起电磁场利用麦克斯韦方程就可以求出其辐射场方程:

    标签: pcb 天线

    上传时间: 2022-05-02

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  • 电磁感应加热控制系统的设计与实现

    本文所研究的课题为电磁感应加热控制系统的设计与实现。文章介绍了电磁感应加热的工作原理,系统预设功能要求及具体实现方案,分析了系统硬件电路和控制软件设计的整个过程,最终研制出一款功能完备、人机交互友好、工作稳定、性能优良的电磁感应加热系统。  该系统硬件电路部分主要包括主工作电路,IGBT驱动电路,同步电路和功率整定电路,锅具检测电路,电源电路,各种保护电路及主控制电路。保护电路具体包括上电延时保护IGBT,整流桥输出过压保护,IGBT集电极过压保护,市电过压、欠压保护,负荷电流过大保护,IGBT过温保护,锅底过温保护。主控制电路采用三星单片机作为主控芯片,通过调节PWM信号占空比控制输出功率。系统主要实现了功率控制、定时/预约、无锅检测、暂停、异常报警(无锅报警、市电过压/欠压报警、负荷电流过大报警、IGBT温度传感器失效报警、IGBT温度过高报警、锅底温度传感器失效报警、锅底温度过高报警)等功能,设置了6个按键可供用户操控,配置的液晶显示屏可以实时显示系统当前状态信息。  该系统控制软件设计部分,依据模块化程序设计思想,把系统预设功能需求划分为各个功能模块,然后分别设计了各功能模块的软件,最终完成了系统控制软件的设计。实现了系统的智能化,包括功率自动调节匹配,锅具自动检测,定时控制,预约时间到自动开机,异常自动保护报警,液晶屏实时显示系统状态信息。经过反复对系统软硬件联调,测试系统性能,结果表明本控制系统运行安全、稳定、可靠,达到了设计要求。

    标签: 电磁感应 液晶显示 控制系统

    上传时间: 2022-06-09

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  • 锂电池电量检测系统设计

    锂离子电池是1990年后逐渐发展起来的新一代电池,锂电池较传统的镍镉、镍氢等电池在很多方面具有优势,例如工作电压高、质量轻、能量密度大、体积小、自放电率小、无记忆效应、循环寿命长等特点,因此,锂电池作为主要能源在笔记本、手机等便携式电子设备上的应用已非常普及。如今,新面市的磷酸铁锂电池拥有非常好的市场前景,因其具有优良的电池性能。但是,如何准确检测电池的剩余电量一直是一个值得研究的问题,因其只能间接测量,不易保证准确性。锂电池的应用发展已越来越迅速,怎样精确估计电池电量也变得越来越重要。  目前,测量结果不准确、不全面是一部分锂电池电量检测系统存在的主要问题,因其忽略了能够影响电池性能的重要因素,即温度参数,另外还有电池自身的老化(SOH)及内阻变化等。而随着电池使用次数的增加,电池不断老化,电池容量就会逐渐减小,若缺少了电池额定容量满循环校准这一步骤,将会加大电量的测量误差,这一误差还会随电池使用频率累积增大。  本文主要以MSP430单片机微控制器为核心,针对便携式的小功率产品,设计一个锂电池电量检测系统,并对锂电池组的充、放电过程进行保护。锂电池组的电流、电压、温度参数将被系统控制器及时采集,为电池组剩余电量的检测和电池组充放电保护提供理论依据。  本文首先详细介绍了锂电池的特性和优点,分析了其充放电特性。其次,在电池开路和负载的情况下,提出了多种估算方法并结合温度校正来估算锂电池的剩余容量,并将影响电池电量检测的各种因素也考虑了进去,以实现锂电池电量的准确估计。再次,设计了系统的硬件电路,设计了软件程序。最后,对设计结果进行了有效性验证。

    标签: 锂电池 电量检测系统

    上传时间: 2022-06-09

    上传用户:wangshoupeng199

  • at89c52芯片资料中文版

    AT89C52是美国ATMEL,公司生产的低电压,高性能CMOS 8位单片机,片内含8k bytes的可反复擦写的Flash只读程序存储器和256 bytes的随机存取数据存储器(RAM),器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产,与标准MCS-51指令系统及8052产品引脚兼容,片内置通用8位中央处理器(CPU)和Flash存储单元,功能强大AT89C52单片机适合于许多较为复杂控制应用场合主要性能参数:·与MCS-51产品指令和引脚完全兼容.8k字节可重擦写Flash闪速存储器.1000次擦写周期静态操作:OHz-24MHz·三级加密程序存储器•256х8 hA部RAM•32编程1/0口线.3个16位定时/计数器•8个中断源·程串行UART通道低功耗空闲和掉电模式·PO口:P0口是一组8位漏极开路型双向1/0口,也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时,每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路,对端口P0写"1"时,可作为高阻抗输入端用.在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8位)和数据总线复用,在访问期间滋活内部上拉电阻.在Flash编程时,PO口接收指令字节,而在程序校验时,输出指令字节,校验时,要求外接上拉电阻。

    标签: at89c52

    上传时间: 2022-06-19

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  • 三菱第五代IGBT应用手册

    三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求,三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发,为人类的节能和环保不断努力。第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅片CSTBTIM技术,并具有正温度系数特征,与传统的沟槽型构造IGBT相比,降低了集电极一发射极间饱和电压,从而实现了更低损耗。同时改进了封装技术,大大减小了模块内部分布电感。本应用手册的出版,旨在帮助用户了解第5代IGBT和IPM模块的特性和工作原理,更加方便的使用三菱电机的半导体产品。三菱电机谨向所有购买和支持三菱半导体产品的用户表示诚挚的感谢。1.IGBT模块的一般认识1.1 NF系列IGBT模块的特点NF系列IGBT模块主要具有以下两大特点:1,采用第5代IGBT硅片在沟槽型IGBT的基础上增加电荷蓄积层的新结构(CSTBT)改善了关断损耗(Eoff)和集电极-发射极问饱和电压VEisat的折衷。插入式组合元胞(PCM)的使用增强了短路承受能力(SCSOA)并降低了栅极电容,从而降低驱动功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor载流子存储式沟槽硼型双极晶体臂

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-19

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  • 射频滤波器的研究与设计

    论文的主要工作和研究成果可以概括为以下几个方面:1,分析了微波射频滤波器的基本原理,频率变换规则。阐述了微波滤波器的新技术及其应用.2,研究分析了螺旋滤波器的基本理论,设计了一种工作在VHF/UHF波段的螺旋腔体带阻滤波器。论文以传统的带状线带阻滤波器作为着手点,采用电容耦合短截线谐振结构,将同轴线谐振器变换成螺旋线结构,有效地缩小了滤波器的体积。3,提出了一种结构新额的微带平面结构滤波器,采用双模谐振器结构形式。V/在辐射贴片上开十字交叉槽线来降低谐振频率。滤波器的输入输出请振臂使用L形开路结构,带外抑制非常好,高达-33dB,二次谐波被推移到基波的3倍频以外。论文采用理论分析与计算机辅助设计相结合的设计理念。对螺旋腔体带阻滤波器和双模微带带通滤波器进行了实物加工,实测结果与仿真结果相吻合.关键词:射频;滤波器;螺旋谐振器:双模谐振器

    标签: 射频滤波器

    上传时间: 2022-06-20

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  • MOSFET和IGBT区别

    MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ;SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素, 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外, IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路(见图1)可看出,完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾( voltage tail )出现。

    标签: mosfet igbt

    上传时间: 2022-06-21

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