晶闸管-可控硅专辑-14册-131M 晶闸管变流技术应用图集-269页-6.7M.pdf
上传时间： 2013-06-18
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晶闸管-可控硅专辑-14册-131M 晶闸管变流技术题例及电路设计-291页-5.6M.pdf
上传时间： 2013-07-20
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专辑类-电工电力专辑-99册-1.27G 电容投入涌流及限止方法-12页-0.5M.pdf
上传时间： 2013-07-16
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专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G 电子工程手册系列丛书-二极管、闸流晶体管实用手册-917页-10.0M.pdf
上传时间： 2013-04-24
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专辑类-数字处理及显示技术专辑-106册-9138M 流密码学及其应用-290页-4.4M.pdf
上传时间： 2013-05-18
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专辑类-国标类相关专辑-313册-701M GB-T15290-1994-电子设备用电源变压器和滤波扼流圈总技术条件.pdf
上传时间： 2013-05-26
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恒流驱动源研究及在太阳能LED路灯中的应用
上传时间： 2013-04-24
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超级电容器是一种介于电池和静电电容之间的新型储能元件，其功率密度比电池高数十倍，能量密度比静电电容高数十倍。具有充放电速度快、对环境无污染、循环寿命长等优点，有希望成为21世纪的新型绿色能源。 设计了一个主回路以BUCK降压电路为主，控制回路以单片机89C51为核心的超级电容器充放电测试系统，用于测试超级电容器充放电性能。本系统通过检测超级电容器的端电压、电流和温度，并将采集到的信号由ADC0809转换为数字信号，送入89C51分析处理后，再经DAC0832输出，调节脉宽调制器TL494的电压信号，调整PWM的输出值，控制BUCK转换电路中MOSFET功率开关的占空比，从而改变输出直流电压的大小，实现恒流控制。超级电容器充电方法采用分阶段恒流充电，依照充电状态的不同，适时调整充电电流大小，避免过充电造成超级电容器损害。在其控制方法和实现手段上，主要通过单片机的设定值与实测值的比较来控制电路的输出，也可以通过模糊控制技术来实现，并用MATLAB进行了仿真实验，仿真结果证明采用模糊控制能够取得更好的效果。在整个系统的保护功能方面，采用了过压、过流以及过热等的保护方法，实现软硬件对系统的保护。 利用本测试系统可以对超级电容器进行恒电流充放电，其充放电曲线基本上呈现线性。模糊控制能针对电容器充电状态的不同，适时给予不同的充电电流，不至于发生大电流过充造成超级电容器受损的情况，确保使用寿命。 解决了系统的电磁兼容，从而能够保证系统能够安全可靠地工作。在电路装置硬件电路、软件以及印制电路板设计中所采取了一些抗干扰措施，可以有效地预防一些干扰带来的误差，提高了系统的可靠性和稳定性。
上传时间： 2013-04-24
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直流偏磁是变压器的一种非正常工作状态，是指在变压器的励磁电流中出现了直流分量。在直流输电系统中，由于换流站的工作特性，有直流电流分量流过换流变压器的绕组，产生直流偏磁现象，这一现象将对换流变压器的正常运行产生不利的影响，如励磁电流发生畸变、变压器铁心损耗增加及铁心高度饱和引起的漏磁通增加。因此，从电磁场的角度分析这一现象是必要的。 由于铁磁材料的非线性，不能应用叠加原理分析直流偏磁时的励磁情况。为此，本文应用了二维瞬态场路直接耦合有限元法，借助大型有限元分析软件Ansoft，定量分析了在不同等级直流偏磁电流作用下，换流变压器空载运行状态下的励磁电流波形情况，结果表明，直流偏磁使铁心中的磁通密度发生偏移，对应的励磁电流波形呈现正负半波极不对称的形状，并且直流偏磁量越大励磁电流的畸变越严重。 在求出直流偏磁量与励磁电流峰值关系的基础上，应用一种基于铁心空载损耗数据的方法，定量分析了在不同等级直流偏磁电流作用下，换流变压器铁心损耗情况，结果表明，随着直流偏磁电流的增加，铁心损耗也会随之增加，这会导致铁心温升上升，严重时会导致铁心局部过热，影响变压器的正常运行。 在漏磁场分析中，讨论了变压器漏磁场的类型和作用，经过合理简化，建立了换流变压器二维漏磁场计算模型，应用二维瞬态场路直接耦合有限元法，分析了不同等级直流偏磁电流作用下，换流变压器漏磁场分布情况，结果表明，随着直流偏磁量的增加，不同位置处漏磁场分量的变化规律基本不变，但漏磁在增加，且不同位置漏磁分量增加的速率不同。
上传时间： 2013-06-25
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电源是电子设备的重要组成部分，其性能的优劣直接影响着电子设备的稳定性和可靠性。随着电子技术的发展，电子设备的种类越来越多，其对电源的要求也更加灵活多样，因此如何很好的解决系统的电源问题已经成为了系统成败的关键因素。 本论文研究选取了BICMOS工艺，具有功耗低、集成度高、驱动能力强等优点。根据电流模式的PWM控制原理，研究设计了一款基于BICMOS工艺的双相DC-DC电源管理芯片。本电源管理芯片自动控制两路单独的转换器工作，两相结构能提供大的输出电流，但是在开关上的功耗却很低。芯片能够精确的调整CPU核心电压，对称不同通道之间的电流。本电源管理芯片单独检测每一通道上的电流，以精确的获得每个通道上的电流信息，从而更好的进行电流对称以及电路的保护。 文中对该DC-DC电源管理芯片的主要功能模块，如振荡器电路、锯齿波发生电路、比较器电路、平均电流电路、电流检测电路等进行了设计并给出了仿真验证结果。该芯片只需外接少数元件就可构成一个高性能的双相DC-DC开关电源，可广泛应用于CPU供电系统等。 通过应用Hspice软件对该变换器芯片的主要模块电路进行仿真，验证了设计方案和理论分析的可行性和正确性，同时在芯片模块电路设计的基础上，应用0.8μmBICMOS工艺设计规则完成了芯片主要模块的版图绘制，编写了DRC、LVS文件并验证了版图的正确性。所设计的基于BICMOS工艺的DC-DC电源管理芯片的均流控制电路达到了预期的要求。
上传时间： 2013-06-06
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