阻容降压原理
标签： 阻容降压
上传时间： 2013-11-13
上传用户：吾学吾舞
移相控制的全桥PWM变换器是最常用的中大功率DC／DC变换电路拓扑形式之一。移相PWM控制方式利用开关管的结电容和高频变压器的漏电感或原边串联电感作为谐振元件，使开关管能进行零电压开通和关断，从而有效地降低了电路的开关损耗和开关噪声，减少了器件开关过程中产生的电磁干扰，为变换器提高开关频率、提高效率、减小尺寸及减轻质量提供了良好的条件。然而，传统的移相全桥变换器的输出整流二极管存在反向恢复过程，会引起寄生振荡，二极管上存在很高的尖峰电压，需增加阻容吸收回路进行抑制，文献提出了两种带箝位二极管的拓扑，可以很好地抑制寄生振荡。本文采取文献提出的拓扑结构，设计了一台280 W移相全桥软开关DC／DC变换器，该变换器输入电压为194～310 V，输出电压为76V。
上传时间： 2014-08-30
上传用户：thing20
计算RC（阻容）滤波时间常数的程序，有两种单位制，适合matlab65环境运行。
上传时间： 2013-12-24
上传用户：璇珠官人
玻璃中量子点之间电子的共振隧穿.摘要：在建立玻璃中阻容耦合双量子点模型的基础，通过分析双量子点的静电能和化学势，讨论了化学势随外加偏压的变化和共振隧穿现．随外加偏压的增大，当双量子点2个能级的化学势相等时发生共振隧穿现象，在 特性曲线上呈现电流峰．玻璃中不同间距的量子点用不同大小的耦合电容来表示．随着玻璃中2个量子点之间耦合电容的增大，2个量子点发生共振隧穿所需要的外加偏压随之增大．
上传时间： 2014-01-11
上传用户：xymbian
元器件样本专辑 116册 3.03G拓迪电子 阻,容,三极管,二极管 12.6M.rar
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
科普知识--常用阻容元器件的选型参考，给硬件工程师提供一些经验
标签： 阻容元器件
上传时间： 2022-05-27
上传用户：shjgzh
AL-FGB系列复合式过电压保护器 AL-FGB型三相复合式过电压保护器（简称AL-FGB）是我公司针对现行各类过电压保护器保护弱点而研制的新一代专利产品，将组容吸收器和避雷器的功能有机结合在一起，专用于35KV及以下中压电网中，主要用来吸收真空断路器、真空接触器在开断感性负载时产生的高频操作过电压，同时具有吸收大气过电压及其他形式的暂态冲击过电压的功能； 因此具备一系列其它类型过电压保护器无法比拟的优点。可广泛地应用于真空断路器操作的电动机、电抗器、变压器等配电线路中。 该产品使过电压保护器的整体功能实现了重大突破，是目前功能最全面、保护最完善的产品。符合国家产业政策及国家电气产品无油化、小型化、节能环保等发展趋势，具有显著的技术经济效益和广泛的社会效益，是我国电力建设尤其是城乡电网改造急需的产品。 该产品广泛应用于发电厂、变（配）电站、各种水利设施、矿山、石油、化工、冶金以及其他各类工业企业等。
标签： 过电压保护器
上传时间： 2013-10-11
上传用户：竺羽翎2222
IGBT关断电压尖峰是其中的主要问题，解决它的最有效方法是采用叠层母线连接器件。针对二极管籍位型三电平拓扑两个基本强追换流回路，本文用ANSOFT Q3D软件比较研究了三类适用于多层母线排的叠层方案，并提出了一种新颖的叠层母线分组连接结构，结合特殊设计的吸收电容布局，减小了各IGBT模块的关断过冲，省去阻容吸收电路，并优化了高频电流在不同电容间的分布，抑制电解电容发热。通过理论计算与仿真两种方式计算该设计方案的杂散电感，并用实验加以证实。本文还设计了大面积一体化水冷散热器，表面可以贴装15个功率器件和若干传感器和平衡电阻，采用水冷方式以迅速带走满载运行时开关器件的损耗发热，并能达到结构紧凑和防爆的效果。在散热器内部设计了细槽水道结构以避开100多个定位螺孔，同时可以获得更大的热交换面积。本文分析了SCALE驱动芯片的两类器件级短路保护原理，并设计了针对两类保护动作的阈值测试实验，以确保每个器件在安全范围内工作；设计了系统控制和三类系统级保护电路：驱动板和控制板的布局布线经过合理安排能在较强的电磁干扰下正常工作。论文最后，在电抗器、电阻器、异步感应电机等不同类型、各功率等级负载下，对变流模块进行了测试，并解决了直流中点电压平衡问题。各实验证实了设计理论并体现了良好的应用效果。
上传时间： 2022-06-22
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2014-12-24
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微型51/AVR 编程器套件装配说明书 请您在动手装配这个编程器之前，务必先看完本说明书，避免走弯路。 1．收到套件后请对照元器件列表检查一下，元件、配件是否齐全？ Used Part Type Designator ==== ================ ========== 1 1k R6 1 1uf 50V C11 5 2k2 R2 R3 R4 R5 R11 1 10K*8 RN1 2 11.0592MHZ Q1 Q2 1 12V,0.5W D2 2 15k R7 R8 2 21k R9 R10 4 33p C6 C7 C8 C9 1 47uf 25V C10 1 74HC164 IC6 2 78L05 IC4 IC5 1 100uf 25V C12 1 220R R1 1 AT89C51 IC2 1 B40C800(W02) D1 2 BS170 T1 T2 1 BS250 T3 1 DB9/F J2 1 J1X2 J1 1 LED GN5 D3 1 LM317L IC1 1 TLC2272 IC7 1 ZIF40 IC3 5 1uf C1 C2 C3 C4 C5 另外，套件配有1.5米串行电缆一根和配套的PCB一块，不含电源。编程器使用的15V交流电源或12V直流电源需要自己配套。2．装配要点：先焊接阻容元件，3个集成电路插座（IC2,IC7,IC6）其次是晶振， 全桥，稳压IC 等，然后焊接J2,最后焊接T1,T2,T3三只场效应管。焊接场效应管时务必按照以下方法：拔去电烙铁的电源，使用电烙铁余温去焊接三只场效应管，否则静电很容易损坏管子。这是装配成功的关键。这三只管子有问题，最典型的现象是不能联机。由于电源插座封装比较特殊，国内无法配套上，已改用电源线接线柱，可直接焊接在PCB板焊盘上，如下图1所示（在下图中两个红色圆圈内指示的焊盘），然后在连接到套件中配套的电源插座上。最近有朋友反映用15V交流比较麻烦，还要另外配变压器。如果要使用12V的直流电，无需将全桥焊上，将两个接线柱分别焊接在全桥的正负输出位置的焊盘上即可，如下图2所示，蓝色圆圈内指示的焊盘，连接电源的时候要注意正负极，不要接错了。方形焊盘是正极。40脚ZIF插座焊接前，应该将BR1飞线焊接好。注意：由于焊盘比较小，注意焊接温度，不要高温长时间反复焊接，会导致焊盘脱落。
上传时间： 2013-12-31
上传用户：caiguoqing
