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门极驱动

  • IGBT驱动器驱动能力计算

    引言我们在选择和设计IGBT驱动器时经常会碰到一些问题和不确定因素。部分原因是厂家对IGBT描述的不够充分;另一方面是由于IGBT手册中所给的输入结电容Ciss值与在应用中的实际的输入结电容值相差甚远。依据手册中的Ciss值作设计,令许多开发人员走入歧途。下面给出了不同功率等级的驱动电路选择和设计的正确计算的步骤。1 确定IGBT门极电荷以及门极电容对于设计一个驱动器来讲,最重要的参数是门极电荷,在很多情况下,IGBT数据手册中这个参数没有给出,另外,门极电压在上升过程中的充电过程也未被描述。无论如何,门极的充电过程相对而言能够简单地通过测量得到。因而要驱动一个IGBT,我们最好使用一个专用的驱动器。除此之外,在设计中至少我们知道在应用中所需的门极电压(例如±15V)首先,在负载端没有输出电压的情况下,我们可以作如下计算。门极电荷可以利用公式计算

    标签: igbt 驱动器 驱动

    上传时间: 2022-06-21

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  • 新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型品体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流,广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中,电机控制器、辅助动力系统,电动空调中,IGBT有着广泛的使用,大功率IGB多应用于电机控制器中,由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大,IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中,在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升,可通过温度传感器来进行检测,并由相应的电路来实现保护;过压一般发生在IGBT关断时,较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压,可通过采用缓冲电路来钳制,或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流,很快就会损坏1GBT,主控制板的过流保护根本来不及,必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中,保护功能设计得是否完善,对系统的安全运行尤其重要。

    标签: 新能源汽车 电机控制器 igbt

    上传时间: 2022-06-22

    上传用户:XuVshu

  • 伺服与变频的异同

    伺服与变频:伺服与变频的一个重要区别是: 变频可以无编码器,伺服则必须有编码器,作电子换向用. 一、两者的共同点:     交流伺服的技术本身就是借鉴并应用了变频的技术,在直流电机的伺服控制的基础上通过变频的PWM方式模仿直流电机的控制方式来实现的,也就是说交流伺服电 机必然有变频的这一环节:变频就是将工频的50、60HZ的交流电先整流成直流电,然后通过可控制门极的各类晶体管(IGBT,IGCT等)通过载波频率 和PWM调节逆变为频率可调的波形类似于正余弦的脉动电,由于频率可调,所以交流电机的速度就可调了(n=60f/2p ,n转速,f频率, p极对数)   二、谈谈变频器:    简单的变频器只能调节交流电机的速度,这时可以开环也可以闭环要视控制方式和变频器而定,这就是传统意义上的V/F控制方式。现在很多的变频已经通过数学 模型的建立,将交流电机的定子磁场UVW3相转化为可以控制电机转速和转矩的两个电流的分量,现在大多数能进行力矩控制的著名品牌的变频器都是采用这样方 式控制力矩,UVW每相的输出要加摩尔效应的电流检测装置,采样反馈后构成闭环负反馈的电流环的PID调节;ABB的变频又提出和这样方式不同的直接转矩 控制技术,具体请查阅有关资料。这样可以既控制电机的速度也可控制电机的力矩,而且速度的控制精度优于v/f控制,编码器反馈也可加可不加,加的时候控制 精度和响应特性要好很多。 三、谈谈伺服:   驱动器方面:伺服驱动器在发展了变频技术的前提下,在驱动器内部的电流环,速度环和位置 环(变频器没有该环)都进行了比一般变频更精确的控制技术和算法运算,在功能上也比传统的伺服强大很多,主要的一点可以进行精确的位置控制。通过上位控制 器发送的脉冲序列来控制速度和位置(当然也有些伺服内部集成了控制单元或通过总线通讯的方式直接将位置和速度等参数设定在驱动器里),驱动器内部的算法和 更快更精确的计算以及性能更优良的电子器件使之更优越于变频器。   电机方面:伺服电机的材料、结构和加工工艺要远远高于变频器驱动的交流电机 (一般交流电机或恒力矩、恒功率等各类变频电机),也就是说当驱动器输出电流、电压、频率变化很快的电源时,伺服电机就能根据电源变化产生响应的动作变 化,响应特性和抗过载能力远远高于变频器驱动的交流电机,电机方面的严重差异也是两者性能不同的根本。就是说不是变频器输出不了变化那么快的电源信号,而 是电机本身就反应不了,所以在变频的内部算法设定时为了保护电机做了相应的过载设定。当然即使不设定变频器的输出能力还是有限的,有些性能优良的变频器就 可以直接驱动伺服电机!!! 四、谈谈交流电机:   交流电机一般分为同步和异步电机   1、交流同步电机:就是转子是由永磁材料构成,所以转动后,随着电机的定子旋转磁场的变化,转子也做响应频率的速度变化,而且转子速度=定子速度,所以称"同步"。    2、交流异步电机:转子由感应线圈和材料构成。转动后,定子产生旋转磁场,磁场切割定子的感应线圈,转子线圈产生感应电流,进而转子产生感应磁场,感应 磁场追随定子旋转磁场的变化,但转子的磁场变化永远小于定子的变化,一旦等于就没有变化的磁场切割转子的感应线圈,转子线圈中也就没有了感应电流,转子磁 场消失,转子失速又与定子产生速度差又重新获得感应电流。。。所以在交流异步电机里有个关键的参数是转差率就是转子与定子的速度差的比率。   3、对应交流同步和异步电机变频器就有相映的同步变频器和异步变频器,伺服电机也有交流同步伺服和交流异步伺服,当然变频器里交流异步变频常见,伺服则交流同步伺服常见。  

    标签: 伺服

    上传时间: 2013-11-17

    上传用户:maqianfeng

  • 单相全控桥式整流电路的设计

    1.1 什么是整流电路整流电路(rectifying circuit)把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成,20世纪70年代以后,主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。滤波器接在主电路与负载之间,用于滤除脉动直流电压中的交流成分。变压器设置与否视具体情况而定。变压器的作用是实现交流输入电压与直流输出电压间的匹配以及交流电网与整流电路之间的电隔离。可以从各种角度对整流电路进行分类,主要的分类方法有:按组成的期间可分为不可控,半控,全控三种;按电路的结构可分为桥式电路和零式电路:按交流输入相数分为单相电路和多相电路;按变压器二次侧电流的方向是单向还是双向,又可分为单拍电路和双拍电路1.2整流电路的发展与应用电力电子器件的发展对电力电子的发展起着决定性的作用,因此不管是整流器还是电力电子技术的发展都是以电力电子器件的发展为纲的,1947年美国贝尔实验室发明了晶体管,引发了电子技术的一次革命:1957年美国通用公司研制了第一个品闸管,标志着电力电子技术的诞生:70年代后期,以门极可关断晶闸管(GTO)、电力双极型晶体管(BJT)和电力场效应晶体管(power-MOSFET)为代表的全控型器件迅速发展,把电力电子技术推上一个全新的阶段:80年代后期,以绝缘极双极型品体管(IGBT)为代表的复合型器件异军突起,成为了现代电力电子技术的主导器件。另外,采用全控型器件的电路的主要控制方式为PWM脉宽调制式,后来,又把驱动,控制,保护电路和功率器件集成在一起,构成功率集成电路(PIC),随着全控型电力电子器件的发展,电力电电路的工作频率也不断提高。同时。电力电子器件的开关损耗也随之增大,为了减小开关损耗,软开关技术便应运而生,零电压开关(ZVS)和零电流开关(ZCS)把电力电子技术和整流电路的发展推向了新的高潮。

    标签: 整流电路

    上传时间: 2022-06-18

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  • IGBT模块的尔应用手册(图文版)

    IGBT模块的一些基本知识2·怎样读数据手册3.IGBT的驱动电路4,电压尖峰吸收回路5·短路6,IGBT模块的可靠性和实效分析7,仿真软件Melcosim的使用方法8.一些注意事项正的门极电压推荐15V(±10%)如右图所示Vog越高Vceat和Eon越小,损耗减小。但是16.5V以上的话短路耐量很小。所以正的门极电压为+15v±10%最合适。负的门极电压推荐5~10V右图表示开关损失与-Vcg的关系。-Voa=5V时Eoff不再变化,所以最小值设定为-Vo-5合适。另外,IGBT门极上会有尖峰电压重叠,为了防止不出现过大的负电压-Vgの的电压为5~10V最合适。(在一些场合无负压也是可以的)1类短路>桥臂直通>短路回路中电感较小,电流的上升速度极快>容易通过检测Vce(sat)实现保护II类短路>相间短路或对地短路短路回路ф电感稍大,电流的上升速度较慢>可以使用vce(sat),也可以使用霍尔来实现保护>这类短路,回路ф的电感是不确定的

    标签: igbt模块

    上传时间: 2022-06-21

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  • SiCOI MESFET的特性分析

    使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。

    标签: MESFET SiCOI 特性分析

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:PresidentHuang

  • 主从型IGCT逆变器及其在STATCOM中的应用

    本文针对6KV中压电网三相平衡负载的无功功率补偿,结合二极管箝位多电平逆变器和H桥级联多电平逆变器的特点,提出了一种能够直接并入电网的新型主从式的逆变器结构:主逆变器采用二极管箝位三电平逆变器,从逆变器采用三个H桥(即全桥)逆变器。主逆变器和H桥逆变器采用级联的形式连接,最后构成一个五电平的混联逆变器。从逆变器负责产生一个方波电压,构成输础正弦电压的基本成分:主逆变器产生输出电压的补偿部分以及负责消除低次谐波。对于主逆变器直流侧电容电压的平衡问题,本文提出了一种采用硬件电路平衡的方法,从而降低了PWM调制时控制方法的复杂性。因为集成门极换相晶闸管(IGCT)这种新型电力电子器件具有开关频率高、无缓冲电路、耐压高等优点,主电路选用IGCT作为开关器件。本文详细分析了用于STATCOM的主从型逆变器电路结构,同时给出了电路参数的确定方法,并对STATCOM逆变器输出电压的谐波进行了理论分析。根据本文提出的主从型逆交器结构特点,建立了基于瞬时无功理论的STATCOM系统动态控制模型,并给出了一种解藕反馈控制方法。最后通过仿真结果证明了所提出的这种主从型逆变器STA’rC0^I结构在消除谐波方面的优越性。

    标签: STATCOM IGCT 逆变器 中的应用

    上传时间: 2013-10-31

    上传用户:frank1234

  • 王兆安的电力电子技术第五版课后习题答案

    1. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。 或:uAK>0且uGK>0。

    标签: 电力电子技术

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:aig85

  • SDC11153 单相双极驱动电路

    标签: 11153 SDC 单相 双极驱动

    上传时间: 2013-11-24

    上传用户:czl10052678

  • 晶闸管的主要电参数

    晶闸管的主要电参数 晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降 VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。

    标签: 晶闸管 电参数

    上传时间: 2018-10-12

    上传用户:luyh1982