赛灵思的新型可扩展式处理平台架构可为开发人员提供无与伦比的系统性能、灵活性、可扩展性和集成度，并为降低系统功耗、成本和缩小尺寸进行了精心优化。 可扩展式处理平台基于 ARM 的双核 Cortex™-A9MPCore 处理器以及赛灵思的 28nm 可编程逻辑之上，采用以处理器为核心的设计方案，并能定义通过标准设计方法实施的综合处理器系统。这种方案可为软件开发人员在功能齐备且强大的优化型低成本低功耗处理平台上提供熟悉的编程环境。
上传时间： 2013-11-02
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摘要：介绍了一种利用CPLD芯片设计的数字钟电路，该系统采用自顶向下的层次模块化 设计手段构建电路，代表了BDA的发展趋势。文中结合实例详尽介绍了原理图设计输入方 式以及设计过程。
上传时间： 2013-10-09
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上传时间： 2013-11-04
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针对半潜式钻井平台中设备类型多样、设备接口众多以及已有子系统监控层次不齐等问题，为满足集成监控系统的易维护、易操作、可扩展以及复用能力强等要求，采用基于OPC技术规范标准的通信方法，通过OPC驱动程序将KOSRDK工具包设计的OPC服务器程序和组态软件iFIX开发的客户端连接，使得异构数据能够以统一的OPC数据格式进行传输，实现对半潜式钻井平台的监控功能。
上传时间： 2013-10-23
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枕式包装机原理
标签： 枕式包装机
上传时间： 2013-10-10
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TPF100电能滤波控制器是集滤波控制和无功补偿与一体的多功能型控制器，主要应用于以中频炉为典型负载的滤波装置上，合理有效的控制滤波回路的投入和切除。采用全数字化设计，包含两路交流模拟电流和一路交流电压模拟量的数据采集和处理。采用高亮大屏幕OLED中文液晶屏显示，可实时显示负载及电网功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、频率的平均值、谐波总畸变率、1－13次谐波含量和输出口投切状态等信息，可以快速查看滤波效果。各种操作界面均为中文界面，数字输入。取样物理量为负载功率，控制方式为前馈式，可控制6路交流接触器。具有过压、欠压、电容过电流和电容放电时间等保护功能。具有手动和自动两种补偿方式。
上传时间： 2013-12-20
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直驱式永磁同步风力发电机性能研究
上传时间： 2014-01-14
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DES系列在线式密度（浓度）传感器根据阿基米德原理：P=ρgh,一定高度液柱的静压力与该液体的密度成正比，因此可根据压力测量仪表测出的静压数值来衡量液体的密度。检测端利用膜盒压力测量元件，直接测量液柱的静压值，再通过程序处理，将静压值转换成介质的密度值。 DES 系列在线式密度（浓度）传感器采用先进检测技术，其主要部件包括：一对高精度差压传感器及其直接接触液体的一对感压膜片，两个膜片之间有一个温度传感器以补偿被测液体的温度变化，再通过专用软件计算介质的密度。
上传时间： 2013-12-17
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用PLC改进鼠笼式异步电动机的起制动控制
上传时间： 2013-10-28
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