铂热电阻

热电阻是利用铂丝的电阻值随着温度的变化而变化这一基本原理设计和制作的，按0℃时的电阻值R(℃)的大小分为10欧姆（分度号为Pt10）和100欧姆（分度号为Pt100）等，测温范围较大，适合于-200~850℃.10欧姆铂热电阻的感温原件是用较粗的铂丝绕制而成，耐温性能明显优于100欧姆的铂热电阻，主要用于650℃以上的温区：100欧姆铂热电阻主要用于650℃以下的温区，虽也可用于650℃以上温区，但在650℃以上温区不允许有A级误差。

Altera_FPGA管脚弱上拉电阻的软件设置方法

Altera_FPGA管脚弱上拉电阻的软件设置方法

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上传时间： 2013-08-13

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256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)

采用单片机的8位输出口，每个输出口接入1只电阻，其阻值为2n次方，由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联)，此电阻接入比较器并控制可控硅导通角，实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。

标签： 256 DA驱动调光计算电阻

上传时间： 2013-10-26

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mos管门级驱动电阻计算

mos管门级驱动电阻计算

标签： mos 门级计算驱动电阻

上传时间： 2013-12-19

上传用户：王楚楚
更改ADM1073的电流限值

ADM1073 –48 V热插拔控制器，可通过动态控制置于电源路径中外部N沟道FET上的栅极电压，精确限制该电源产生的电流。内部检测放大器可以检测连接在电源VEE和SENSE引脚之间的检测电阻上的电压。该电平体现了负载电流水平。检测放大器具有100 mV (±3%)的预设控制环路阈值。这意味着当检测电阻上检测到100 mV的电压时，电流控制环路就会调节负载电流。这样检测电阻值可以设置促使环路进行调节的电流水平。100 mV除以RSENSE可以得到电流值，此时检测电阻会促使环路进行调节。

标签： 1073 ADM 电流限值

上传时间： 2013-10-30

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热继电器和温度继电器的区别

热继电器和温度继电器

标签： 热继电器温度继电器

上传时间： 2014-12-23

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上下拉电阻小结

上下拉电阻的小结，希望对大家有用

标签： 下拉电阻

上传时间： 2013-10-21

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CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

标签： CoolMOS VDMOS 导通电阻分

上传时间： 2013-10-21

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0欧电阻的作用

0欧电阻的作用

标签： 电阻

上传时间： 2014-12-23

上传用户：Yukiseop
I2C上拉电阻取值问题

I2C 的上拉电阻可以是1.5K，2.2K，4.7K，电阻的大小对时序有一定影响，对信号的上升时间和下降时间也有影响，一般接1.5K 或2.2K.

标签： I2C 上拉电阻

上传时间： 2013-11-07

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色环电阻计算

软件色环电阻计算

标签： 色环电阻计算

上传时间： 2014-11-23

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