摘要: 研究用内腔式He- Ne 激光器做光源时, 硅光电池实验中光电检流计读数不稳定的现象。利用硅光电池分别观测在不加偏振片、加上偏振片时内腔式He- Ne 激光器输出的光强度, 得到激光经偏振片后输出光强随时间而变。利用共焦扫描干涉仪扫描出激光束的各个纵模, 实验表明, 内腔式He- Ne 激光器每个纵模的偏振方向随时间缓慢变化, 引起了实验中输出的光强变化。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：ArmKing88
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
石英具有非凡的机械和压电特性, 使得从19 世纪40 年代中期以来一直作为基本的时钟器件. 尽管在陶瓷, 硅晶和RLC电路方面有60 多年的研究, 在此之前没有哪种材料或技术能替代石英振荡器, 鉴于其异常的温度稳定性和相位噪声特性. 估计2006 年将有100亿颗石英振荡器被制造出来并放置到汽车, 数码相机, 工业设备, 游戏设备, 宽带设备,蜂窝电话, 以及事实上每一种数字产品当中. 石英振荡器的制造数量比地球上的人口还要多.
上传时间： 2013-10-17
上传用户：xinshou123456
针对目前现有的无线通信铁鞋系统在使用过程中出现的问题，提出一种新型的智能铁鞋设计方案。该系统的拓扑结构由协调器和采集器节点构成，利用ZigBee无线传感器网络实现节点间的互联组网，采用CC2531作为协调器节点的核心控制芯片，CC2530作为采集器的核心控制芯片。此外，采用CC2591作为末端放大器，以提高发射功率，进一步增大传输距离(由传统的75 m提高到1 km以上)。最后，利用VC++和SQL Server 2005实现了控制室铁鞋检测控制系统上位机的设计。实践表明，该系统可靠性高、传输距离远，能满足现场需求。
上传时间： 2013-10-14
上传用户：Wwill
硅基片上光互连技术
上传时间： 2013-12-14
上传用户：ysystc699
莱姆新型Rogowski线圈分裂铁芯电流传感器。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：1079836864
MSP40-V1.2-CHS[1]微硅压力传感器。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：ddddddd
铁电存储模块
上传时间： 2014-12-29
上传用户：lijianyu172
为了保证在高温条件下，正确使用高频硅PNP晶体管3CG120，文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170~340 ℃温度范围内序进应力加速寿命试验，发现在170~240 ℃，240~290 ℃，以及290~340 ℃分别具有不同的失效机理，并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：bensonlly
本书介绍了半导体器件设计和制造中用到的有关硅的一些物质性质的主要数据和公式.
上传时间： 2013-11-25
上传用户：erkuizhang
