本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法,并通过和国内某知名代工线合作,完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论,然后结合代工线的特点,进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设计,最后完成版图设计并进行工艺流片。所设计的器件工艺流程为:先进行器件背面的FS层制作,然后进行正面结构(包括元胞和终端)的制作,最后再进行背面的P+区注入和金属化。2、对流片获得的600V FS-IGBT器件进行了主要电学参数的测试和分析。测试结果为:耐压大于700V、正向导通压降低于1.15V、阈值电压4.1-4.5V。满足设计要求。/本论文的研究成果对于促进我国FS结构IGBT的研究和产业化具有很好的参考价值,通过进一步改进工艺及结构,提高产品良率,最终可以形成有竞争力的产品。
标签: igbt
上传时间: 2022-06-19
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题,阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立,并解决了这两个工艺中关键问题,使得工艺获得好的成品率,提高了产品的可靠性,实现了大规模量产。流程(一)介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司(ASMC)开发的一种特殊工艺,工艺采用特殊背面去应力工艺,通过机械应力和背银沾污的控制,将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法,通过这种方法的监控,大幅度提高了产品良率,本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践,对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程(二)讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术,使得金硅合金质量得到大步的提升,并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题,为企业获得了很好的效益。
上传时间: 2022-06-26
上传用户:1208020161
k-means聚类算法在二维平面上的可视化实现 聚类时可以设置类数和迭代阈值 聚类结果用色彩和类圆清楚的表现出来
上传时间: 2015-08-04
上传用户:CSUSheep
二维点集合聚类的图像化演示程序 用它可以很直观的看到聚类的整个过程
上传时间: 2015-10-25
上传用户:qunquan
聚类可视化讲解,中央研究院统计科学研究院
上传时间: 2013-12-26
上传用户:chenxichenyue
本书是清华大学自动化教材,主要讨论统计模式识别理论和方法,包括了贝叶斯决策理论、线性和非线性判别函数、近邻规则、经验风险最小化、特征提取和选择、聚类分析、人工神经网络、模糊模式识别、模拟退火和遗传算法,以及统计学习理论和支持向量机等内容,还介绍了模式识别在人脸识别、说话人语音识别及字符识别等中的应用实例。
上传时间: 2014-01-04
上传用户:qw12
此文档是K类均值聚类和模拟退火结合的软硬件化分算法。众所周知,模拟退火算法的通用性,此算法是模拟退火的改进,较单纯的SA更优秀。
上传时间: 2013-12-19
上传用户:h886166
subclutering initializing fcm: 开发语言:matlab 功能:使用减法聚类初始化fcm算法的聚类中心,可以快速找到合适的初始聚类中心
标签: subclutering initializing fcm matlab
上传时间: 2014-01-20
上传用户:lingzhichao
针对小车在行驶过程中的寻迹要求,设计了以AT89C51单片机为核心的控制电路,采用模块化的设计方案,运用色标传感器、金属探测传感器、超声波传感器、霍尔传感器组成不同的检测电路,实现小车在行驶中轨迹、探测预埋金属铁片、躲避障碍物、测量车速等问题检测,并对设计的电路进行了理论分析和实际测试。结果表明,该智能小车具有很好的识别与检测的能力,具有定位精度、运行稳定可靠的特点。
上传时间: 2013-12-09
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基于槽式聚光热电联供系统,深入分析晶硅电池阵列和砷化镓电池阵列在高倍聚光下的输出特性及输出功率的影响因素+ 研究结果表明,聚光光强下砷化镓电池阵列输出性能优于晶硅电池阵列,高光强会导致光伏电池禁带宽度变窄,短路电流成倍增加,增加输出功率,但同时耗尽层复合率变大,开路电压降低,制约阵列的输出功率;高光强还引起电池温度升高,电池阵列串联内阻增加+ 分析表明聚光作用下电池阵列串联内阻对输出功率影响巨大,串联内阻从&!增加!!,四种电池阵列输出功率分别损失$*,*(-,*.,’)-,**,)&-和%(,&!- +
上传时间: 2013-10-18
上传用户:赵一霞a