LTC3260 可利用反相输入电压在其充电泵输出端(VOUT) 上提供高达 100mA 电流。另外，VOUT 还充当一个负 LDO 稳压器 (LDO-) 的输入电源。充电泵频率可由单个外部电阻器在 50kHz 至 500kHz 的范围内调节。
上传时间： 2014-12-24
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以C8051F330为核心,开发单端正激型开关电源充电器,C8051F330负责电流环及电压环采样及对应脉宽PWM输出,控制主电路MOSFET管,构成负反馈.
上传时间： 2013-12-25
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电压电流负反馈的仿真程序，用matlab语言实现，经过测试可以运行
上传时间： 2013-12-25
上传用户：waizhang
单端双极输入信号的推荐电路如图 1 所示。Vs+ 是放大器的电源；负电源输入接地。VIN 为输入信号源，其表现为一个在接地电位（±0 V）附近摆动的接地参考信号，从而形成一个双极信号。RG 和 RF 为放大器的主增益设置电阻。VOUT+和 VOUT- 为 ADC 的差动输出信号。它们的相位差为 180o，并且电平转换为VOCM。
上传时间： 2013-10-31
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采用一种具有双参数控制的结构实现并网运行和负序电流的消除，直流侧的电压控制环作为并网的基础控制，同时提取电网电压和逆变器输出电压的负序分量并加以控制，当两者相等时就可以达到消除负序电流的目的，然后对负序电压的获取以及电流的跟踪控制作了分析。最后利用Matlab/Simulink对系统进行仿真，验证了系统的可行性。
上传时间： 2013-10-16
上传用户：h886166
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
在医用电阻抗层析成像（Electrical Impedance Tomography）系统中电压控制电流源的性能十分重要，大部分报道的电压控电流源电路在低频时有较高的输出阻抗但是在高频时性能大幅减弱。通过分析生物阻抗测量系统对电压控制电流源的需求，同时回顾一些已有的电压控制电流源电路，包括双运放负反馈电路、跨导运算放大器、AD844，设计了一种基于AD8610的电压控制电流源。并通过电路实验验证了此电压控制电流源的性能，同时提出了改进方案。该电压电流源不仅频率和幅值可控、精度高，而且有较高的输出阻抗。
上传时间： 2013-11-05
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一种新型的逆变器双环控制技术(提出了一种逆变器双环控制技术,该方案内环为单周期控制,外环采用K 系数法设计 的补偿器。仿真结果证明了该控制策略最显著的优点是:对输入电压的大扰动具有很好抑制 性、负载变化时具有鲁棒性以及带非线性负载时高品质的输出波形。)
上传时间： 2014-01-10
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讨论了不同不平衡控制目标下转子正、负序电流指令值计算原则, 设计了正 、反转同步速 旋转坐标系中 DFIG 的双 dq 转子电流控制器的不平衡控制方案, 实现了不平衡电网电压条件下转 子正 、负序电流的独立跟踪控制,有效地提高了小值稳态不平衡电网条件下风电机组的不间断运行能力 。
上传时间： 2021-10-12
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