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调光电源

  • 镁合金微弧氧化电源驱动电路的可靠性分析

    微弧氧化是一种新型的表面处理方法,利用该电路可输出双端不对称的高压脉冲,且脉冲幅值、频率、占空比均在一定范围内连续可调。本文首先介绍了微弧氧化电源技术的发展现状,然后对试验中使用过的几种IGBT驱动模块M57959、2ED300、2SD315 3种驱动电路的结构、工作原理和使用性能做了详细分析对比。实验表明,Eupec系列的2ED300驱动电路结构简单,可靠性高,适用于大功率微弧氧化电源的驱动。

    标签: 镁合金 氧化 可靠性分析 电源驱动电路

    上传时间: 2014-01-21

    上传用户:hahayou

  • 基于LM317_337的双路输出可调直流稳压电源

    lm317 电源设计

    标签: 317 337 LM 双路输出

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:llandlu

  • 开关电源用隔离误差放大器 (FOD2711、FOD2712、FOD2741、FOD2742、FOD2743)

    这几款是仙童生产专门用于开关电源中的隔离误差放大器,它能替换传统开关电源中光耦817+TL431的隔离反馈组合,FOD27XX系列光耦,它将可控精密稳压源直接集成到光耦内部因此它可以省略掉外接TL431,这是非常有利于提升产品和集成度和可靠性的。

    标签: FOD 2711 2712 2741

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:kinochen

  • 基于STM32的晶闸管三相调压电路的设计

    SCR三相调压触发电路已有不少设计与应用,文中提出了一种简化的基于STM32的调压触发电路设计方案,并完成了系统的软硬件设计。该设计主要采用了光电隔离并利用三相电源自身的相间换流特性,只用三组触发信号就可以达到控制六只晶闸管导通角的作用。软件部分采用了STM32芯片多个高性能定时器及周边AD接口,完成了高精度触发信号发生、PID控制调压等功能。通过实验表明该系统简便可靠,达到了设计要求。

    标签: STM 32 晶闸管 三相调压电路

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:wfymay

  • 基于单片机控制的开关电源模块

    传统的开关电源一般以恒流或恒压工作,不能根据负载调节输出电压或电流,本文中,我们设计了一种数字控制的开关电源模块。该电源模块是以TI公司的MSP430为控制核心,通过数字PID调节器控制反馈输出来实现的。首先介绍了该电源模块的工作原理及整体设计方案,其次介绍了部分关键电路的硬件设计,给出了主程序及部分子程序的流程图。与传统的开关电源相比,该电源模块具有体积小、精度高、电路简单、输出电压连续可调等优点。

    标签: 单片机控制 开关电源模块

    上传时间: 2013-12-25

    上传用户:libenshu01

  • 1-3WLED驱动电源芯片方案

    SM7523是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能的原边反馈控制功率开关芯片,在全电压输入范围内实现高精度恒流输出,精度小于±3%,无需环路补偿,并可使系统节省光耦,TL431以及变压器辅助绕组等元件,降低成本。 芯片内部集成了逐周期峰值电流限制,FB过压保护,输出开/短路保护和开机软启动等保护功能,以提高系统的可靠性。

    标签: WLED 驱动电源 芯片方案

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:410805624

  • 高精度连续可调高压开关电源的设计

    高压开关电源

    标签: 高精度 连续可调 高压开关电源

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:

  • 0_10kV连续可调PWM稳压开关电源的设计

    开关电源设计

    标签: PWM 10 kV 连续可调

    上传时间: 2013-10-16

    上传用户:yangbo69

  • 自己设计改进的输出1.25V-36V,15A直流可调稳压电源

    电源 大功率

    标签: 1.25 36 15 输出

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:归海惜雪

  • 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。

    标签: CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源

    上传时间: 2014-12-03

    上传用户:88mao