读取油藏数值模拟软件eclipse中的井位所在网格，然后计算某井附近n个网格的有效厚度、渗透率、含水饱和度的平均值。
上传时间： 2013-12-31
上传用户：yoleeson
外挂附VB源代码源码，功能主要是模拟键盘输出，自动加血加魔法，和自动打怪
上传时间： 2017-08-08
上传用户：顶得柱
Aidaohuakai( 楼主 ) 2013-8-22 11:45:24 只看该作者23307 | 41倒序浏览 论坛上对mpu6050的资料和讨论并不多，很多坛友都说驱动失败，老是显示0. 以下就谈谈我的一些血与泪的教训： 昨天开始接触mpu6050，在网上查了很多资料，下载程序，准备一展身手。首先看了mpu6050中文资料，之后又看了那个mpu6050的测试程序，把这些看明白之后就开始写程序了。我不是直接把程序复制过去，只是复制mpu6050的地址和初始化，IIC并没有复制，就复制我上次写的24C02的那个程序，想不到，这给了我血与泪的教训，我原来是直接把IIC复制过来的，并没有多留意。之后初始化mpu6050，写入地址，读出数据，下载到单片机之后，LCD上显示000001，我感到郁闷，之后又调试，以为是显示不对，又写显示，之后又下载，结果还是老样，这样半天就过去了。驱动没成功，又怀疑芯片或引脚有问题，继续调试，也没成功。就一一对应地看了地址，又看了初始化，发现没错，调试还是不成功。最后干脆不接IIC总线，竟然发现了个天大的秘密，接不接IIC，LCD都显示000001，我又用示波器测试波形，发现波形正确。在网上又查了别人的资料，在论坛上也很少有关于mpu6050的资料，也看了比别人的一些讨论。很多坛友都说驱动失败，老是显示0. 没办法，一天就这样过去了，今天早上，我又仔细看了程序，出乎我的想象，竟然是IIC的那个地址没改，原来写24C02的那个地址是a0，还是原封不动，把我吓了一跳。把这些改过来之后，一切正常，能显示加速度和陀螺仪。血与泪的教训啊，是自己不细心造成的，忘记改地址！今天早上竟然花了不到2个钟就调出来了，惊喜之时就写了这个分享，希望对大家有用。
标签： 圆点博士小四轴
上传时间： 2015-04-14
上传用户：wusheng4495
《GRE/GMAT/LSAT长难句300例精讲精练》是GRE超人气名师陈琦老师团队的又一本新作，也是“再要你命3000”的新成员，从之前的词汇、短语、练习，提升到长难句层面，相信学完本书后，考生在备考阶段肯定会更上一层楼。另外，本书的“六字真经”——倒装、省略、长句，一定会颠覆你的语法学习观，让你从今往后享受阅读带来的乐趣。 《GRE/GMAT/LSAT长难句300例精讲精练》不仅仅局限于书上文字内容的讲解，为了方便读者的理解，陈琦老师还精心挑选了50例录制了讲解视频，时不时“出现”给你“打点鸡血”，特别是在介绍本书学习方法的部分也录制了视频讲解，你还会担心看不懂吗？你还会觉得看书很枯燥吗？琦叔相伴，备考路上不再孤单。
上传时间： 2015-08-22
上传用户：东大寺的
实现对照片中 人脸定位、识别、处理背景颜色，可更改照片亮度、饱和度等功能
上传时间： 2016-08-28
上传用户：giraffe
FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。
标签： Finfet
上传时间： 2016-11-28
上传用户：Nicole_K
圣诞圣诞所多所多所多所多双方都发顺丰的双丰收水电费是否
标签： 天堂
上传时间： 2018-06-12
上传用户：aa6546351
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
标签： Protection CMOS ESD ICs in
上传时间： 2020-06-05
上传用户：shancjb
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程 的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些 可靠度的問題。
标签： ESD_Technology
上传时间： 2020-06-05
上传用户：shancjb
2SB772是PNP大功率三极管。 基本参数如下： 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）： 1.1V @ 150mA, 3A 电流 - 集电极截止（最大）： 100μA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ：100 @ 100mA, 2V 功率 - 最大 ：12.5W 频率 - 转换 ：100MHz
上传时间： 2021-06-25
上传用户：xiangshuai
