薄膜硅电池生产线的问题 •设备投资过大 •技术升级过快 •生产工艺不成熟 •电池效率仍较低 •电池的长期寿命有待验证(电池的稳定性仍不好)
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ruan2570406
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
基于槽式聚光热电联供系统，深入分析晶硅电池阵列和砷化镓电池阵列在高倍聚光下的输出特性及输出功率的影响因素+ 研究结果表明，聚光光强下砷化镓电池阵列输出性能优于晶硅电池阵列，高光强会导致光伏电池禁带宽度变窄，短路电流成倍增加，增加输出功率，但同时耗尽层复合率变大，开路电压降低，制约阵列的输出功率；高光强还引起电池温度升高，电池阵列串联内阻增加+ 分析表明聚光作用下电池阵列串联内阻对输出功率影响巨大，串联内阻从&!增加!!，四种电池阵列输出功率分别损失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上传时间： 2013-10-18
上传用户：赵一霞a
当光照较弱时漏电电阻对光电流的影响较小，而对开路电压的影响较大 当光照较强时，二极管电流远大于漏电电流，此时并联电阻对光电池影响较小，串联电阻对开路电压机会没有影响，但对短路电流影响很大。 所以要制备并联电阻较大但串联电阻较小的光电池，提高其填充因子FF。 砷化镓电池的旁路电阻大于1K，对输出特情基本没有影响，当总串联电阻增加到5时，电池的转换效率就要下降30%，可见串联电阻对砷化镓太阳能电池的影响是较大的，最近对于硅电池，要求实用化的产品的串联电阻在0.5以下。 影响太阳能电池转换效率的一些因素 主要以硅电池为例 光生电流的光学损失，有三种：
上传时间： 2014-01-21
上传用户：离殇
1． 对薄膜形成与生长中相关物理过程及现象进行分析和建模。 2． 利用蒙特卡罗（Monte Carlo）方法和分子动力学（Molecular Dynamics）方法对薄膜形成与生长过程进行计算机模拟。 3． 对多孔硅形成的模拟。
标签： Molecular Dynamics Monte Carlo
上传时间： 2015-09-04
上传用户：Divine
硅稳压管
上传时间： 2013-08-02
上传用户：eeworm
劲量7号电池资料
标签： 电池资料
上传时间： 2013-06-11
上传用户：eeworm
KAR高精薄膜贴片系列--KAT
上传时间： 2013-06-14
上传用户：eeworm
电池相关资料 14册 pdf版
标签： 电池
上传时间： 2013-06-25
上传用户：eeworm
硅微机械传感器
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
