为了缩短加法电路运行时间，提高FPGA运行效率，利用选择进位算法和差额分组算法用硬件电路实现32位加法器，差额分组中的加法单元是利用一种改进的超前进位算法实现，选择进位算法可使不同的分组单元并行运算，利用低位的运算结果选择高位的进位为1或者进位为零的运算结果，节省了进位选择等待的时间，最后利用XILINX进行时序仿真，在FPGA上进行验证，可稳定运行在高达50兆的频率，理论分析与计算机仿真表明该算法切实可行、有效并且易于实现。
上传时间： 2013-12-19
上传用户：jshailingzzh
8位加法器和减法器设计实习报告
上传时间： 2013-10-22
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十六位模数转换器AD7705+及其应用
上传时间： 2013-10-12
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高速数据转换器评估平台(HSDCEP)是基于PC的平台，提供评估Maxim RF数/模转换器(RF-DAC，支持更新速率≥ 1.5Gsps)和Maxim数字上变频器(DUC)的齐全工具。HSDCEP可以在每对数据引脚产生速率高达1.25Gbps的测试码型，支持多达4条并行16位LVDS总线。通过USB 2.0端口将最长64兆字(Mw)、每字16位宽的数据码型装载至HSDCEP存储器
上传时间： 2013-10-25
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PADS元件引脚定义
上传时间： 2013-11-14
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色环电阻识别小程序V1.0--功能说明： 1、能直接根据色环电阻的颜色计算出电阻值和偏差； 2、能根据电阻值，反标电阻颜色； 3、支持四环、五环电阻计算； 4、带万用表直读数； 色环电阻识别小程序--使用说明： 1、选择电阻环数；（四环电阻或五环电阻） 2、如果是“色环转阻值”则：鼠标点击对应环的颜色，然后点按钮“色环→阻值” 3、如果是“阻值转色环”则：输入相应阻值、单位、精度，点按钮“阻值→色环” 国家标称电阻值说明： ★E6±20%系列：1.0、1.5、2.2、3.3、4.7、6.8 E12±10%系列：1.0、1.2、1.5、1.8、2.2、2.7、3.3、3.9、4.7、5.6、6.8、8.2、9.1 E24 I级±5%：1.0、1.1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、2.7、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.5、8.2、9.1 使用注意事项： 1、请不要带电和在路测试电阻，这样操作既不安全也不能测出正确阻值； 2、请不要用手接触到电阻引脚，因为人体也有电阻，会使测试值产生误差； 3、请正确选择万用表的档位（电阻档）和量程（200、20K、2M量程)
上传时间： 2014-12-24
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创建PCB元件管脚封装
上传时间： 2014-12-24
上传用户：chenjjer
Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例，简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计)，其中DRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度，低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM时钟频率133M。因为频率较高，设计过程中我们需要考虑DRAM的数据、地址和控制线是否需加串阻。下面，我们以数据线D0仿真为例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司网站下载各器件IBIS模型。然后打开Hyperlynx,新建LineSim File(线路仿真—主要用于PCB前仿真验证)新建好的线路仿真文件里可以看到一些虚线勾出的传输线、芯片脚、始端串阻和上下拉终端匹配电阻等。下面，我们开始导入主芯片DSP的数据线D0脚模型。左键点芯片管脚处的标志，出现未知管脚，然后再按下图的红线所示线路选取芯片IBIS模型中的对应管脚。 3http://bbs.elecfans.com/ 电子技术论坛 http://www.elecfans.com 电子发烧友点OK后退到“ASSIGN Models”界面。选管脚为“Output”类型。这样，一样管脚的配置就完成了。同样将DRAM的数据线对应管脚和3245的对应管脚IBIS模型加上(DSP输出，3245高阻，DRAM输入)。下面我们开始建立传输线模型。左键点DSP芯片脚相连的传输线，增添传输线，然后右键编辑属性。因为我们使用四层板，在表层走线，所以要选用“Microstrip”，然后点“Value”进行属性编辑。这里，我们要编辑一些PCB的属性，布线长度、宽度和层间距等，属性编辑界面如下：再将其它传输线也添加上。这就是没有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最远直线间距1.4inch，对线长为1.7inch)。现在模型就建立好了。仿真及分析下面我们就要为各点加示波器探头了，按照下图红线所示路径为各测试点增加探头：为发现更多的信息，我们使用眼图观察。因为时钟是133M，数据单沿采样，数据翻转最高频率为66.7M，对应位宽为7.58ns。所以设置参数如下：之后按照芯片手册制作眼图模板。因为我们最关心的是接收端(DRAM)信号，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手册的输入需求设计。芯片手册中要求输入高电平VIH高于2.0V，输入低电平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一个NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信号(不长于3ns)：按下边红线路径配置眼图模板：低8位数据线没有串阻可以满足设计要求，而其他的56位都是一对一，经过仿真没有串阻也能通过。于是数据线不加串阻可以满足设计要求，但有一点需注意，就是写数据时因为存在回冲，DRAM接收高电平在位中间会回冲到2V。因此会导致电平判决裕量较小，抗干扰能力差一些，如果调试过程中发现写RAM会出错，还需要改版加串阻。
上传时间： 2013-11-05
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针对模块电源的发展趋势和有源钳位电路的工作原理，研究了一种采用磁放大技术和固定伏特秒控制技术的有源钳位正激软开关电路，并对该电路的工作过程进行了详细的理论分析。在此基础上，设计了一款25 W的电源样机。经过测试，验证了该理论分析的正确性，在整个负载范围内完全实现了主开关管和钳位开关管的软开关变换，软开关实现的条件不依赖于变压器的参数。在采用肖特基二极管整流的情况下，满载输出的转换效率在89%以上。
上传时间： 2013-11-04
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C2000™ MCU 系列采用了 32 位架构、先进的外围电路和模拟集成，可在多种应用中实现完美的性能和实时控制。独特且功能齐全的外围电路包括一个无以伦比的单片 12.5-MSPS ADC、高分辨率 PWM、增强型捕获单元等等。根据对系统的限制，如最低的待机电流、成本要求或最小的解决方案尺寸需求，TI 提供最佳的产品为使用 C2000 MCU 的系统提供支持。
上传时间： 2013-10-27
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