单开关(或称单晶体管)正激转换器是一种最基本类型的基于变压器的隔离降压转换器，广泛用于需要大降压比的应用。这种转换器的优点包括只需单颗接地参考晶体管，及非脉冲输出电流减小输出电容的均方根纹波电流含量等。但这种转换器的功率能力小于半桥或全桥拓扑结构，且变压器需要磁芯复位，使这种转换器的最大占空比限制在约50%。此外，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关的漏电压变化达输入电压的两倍或更多，使这种拓扑结构较难于用在较高输入电压的应用。
上传时间： 2013-12-22
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一般指连接交流电源的线圈称之为「一次线圈」(Primamary coil)；而跨于此线圈的电压称之为「一次电压」。在二次线圈的感应电压可能大于或小于一次电压，是由一次线圈与二次线圈问的「匝数比」所决定的。因此，变压器区分为升压与降压变压器两种。
标签： 变压器
上传时间： 2013-12-28
上传用户：gxmm
反激式开关电源变压器设计
上传时间： 2014-01-13
上传用户：zxh122
设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2～3 GHz频段内的损耗小于1．35 dB，其功率合成效率高达76 以上，适合多模多频段射频前端的应用。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ewtrwrtwe
基于高频谐振电路研制的高压脉冲电容器充电电源, 采用IGBT 构成电源的软开关电路和闭环变频控制充电电流的方式。对输出端负载大范围变化引起的谐振频率漂移, 采用微调开关时间, 保证了变换器开关零切换, 显著降低了导通、关断时IGBT 的损耗.
上传时间： 2014-12-24
上传用户：aeiouetla
热故障通常为变压器内部局部过热、温度升高。根据其严重程度，热性故障常被分为轻度过热(一般低于150℃)、低温过热(150—300℃)、中温过热(300～700℃)、高温过热(一般高于700℃)四种故障隋况。电故障通常指变压器内部在高电场强度的作用下，造成绝缘性能下降或劣化的故障。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：yoleeson
正激式变压器开关电源输出电压的瞬态控制特性和输出电压负载特性，相对来说比较好，因此，工作比较稳定，输出电压不容易产生抖动，在一些对输出电压参数要求比较高的场合，经常使用。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：我累个乖乖
差动保护整定范例一： 三圈变压器参数如下表： 变压器容量Se 31500KVA 变压器接线方式 Yn，y，d11 变压器变比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV侧TA变比nTA 300/5 35KV侧TA变比nTA 1000/5 10KV侧TA变比nTA 2000/5 TA接线 外部变换方式 一次接线 10kV侧双分支 调压ΔU ±8×1.25% 电流互感器接线系数Kjx 当为Y接线时为1，当为Δ接线时为 区外三相最大短路电流 假设为1000A(此值需根据现场情况计算确定) 计算： 高压侧二次额定电流 中压侧二次额定电流 低压侧二次额定电流
上传时间： 2013-11-01
上传用户：edisonfather
这里本站向大家介绍的逆变器（见图1）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。它的输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：农药锋6
▶CCD摄像机和其它低功率应用▶24VAC，15VDC和12VDC备用输出型号▶适用于120VAC、230VAC和24VAC电源的型号▶隔离变压器，适用于24VAC▶已获安全机构认证
上传时间： 2013-11-10
上传用户：shirleyYim
