本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法，并通过和国内某知名代工线合作，完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论，然后结合代工线的特点，进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设计，最后完成版图设计并进行工艺流片。所设计的器件工艺流程为：先进行器件背面的FS层制作，然后进行正面结构（包括元胞和终端）的制作，最后再进行背面的P+区注入和金属化。2、对流片获得的600V FS-IGBT器件进行了主要电学参数的测试和分析。测试结果为：耐压大于700V、正向导通压降低于1.15V、阈值电压4.1-4.5V。满足设计要求。/本论文的研究成果对于促进我国FS结构IGBT的研究和产业化具有很好的参考价值，通过进一步改进工艺及结构，提高产品良率，最终可以形成有竞争力的产品。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
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MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时，最好加一个负偏电压，且负偏电压比MOSFET 大， IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内；开通时，驱动电压最佳值为15V 10％ ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和，这时通态压降也比较低，同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ，则IGBT 通态损耗较大， IGBT 处于欠压驱动状态；若 VGE >20V ，则难以实现电流的过流、短路保护，影响 IGBT 可靠工作。2 栅极驱动功率的计算由于IGBT 是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT ，或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压，栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公式为：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f对一般情况 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，则 PAV 简化为： PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。栅极峰值电流 I GP 为：
上传时间： 2022-06-21
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在UPS中使用的功率器件有双极型功率品体管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率品体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用 IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对 IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥 IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情况和使用中的注意事项。2.IGBT在UPS中的应用情况绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种MOSFET 与双极晶体管复合的器件。据东芝公司资料，1200V/100A 的IGBT的导通电阻是同一耐压规格的功率 MOSFET 的1/10，而开关时间是同规格 GTR的1/10。由于这些优点，IGBT广泛应用于不间断电源系统（UPS）的设计中。这种使用 IGBT的在线式UPS具有效率高，抗冲击能力强、可靠性高的显著优点。UPS主要有后备式、在线互动式和在线式三种结构。在线式 UPS以其可靠性高，输出电压稳定，无中断时间等显著优点，广泛用于通信系统、税务、金融、证券、电力、铁路、民航、政府机关的机房中。本文以在线式为介绍对象，UPS中的1GBT的应用。
上传时间： 2022-06-22
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IGBT是MOSFET和GTR的复合器件，它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点，又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件，特别是在大功率的场合，已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上，针对风电变流器实验平台和岸电电源的实际应用，选择了各自的IGBT模块。然后对IGBT的驱动电路进行了深入地研究，详细地说明了IGBT对栅极驱动的一些特殊要求及应该满足的条件。接着对三种典型的驱动模块进行了分析，同时分别针对风电变流器实验平台和岸电电源，设计了三菱的M57962AL和Concept的2SD315A驱动模块的外围驱动电路。对于大功率的设备，电路中经常会遇到过流、过压、过温的问题，因此必要的保护措施是必不可少的。针对上述问题，本文分析了出现各种状况的原因，并给出了各自的解决方案：采用分散式和集中式过流保护相结合的方法实现过电流保护；采用缓存吸收电路及采样检测电路以防止过电压的出现；通过选择正确的散热器及利用铂电阻的特性来实施检测温度，从而使电路能够更好地可靠运行。同时，为了满足今后1.5MW风电变流器和试验电源等更大功率设备的需求，在性价比上更倾向于采用IGBT模块串、并联的方式来取代高耐压、大电流的单管1GBT.本文就同一桥臂的IGBT串联不均压，并联不均流的问题进行了阐述，并给出了相应的解决方案。最后针对上述的不平衡情形，采用PSpice对其进行仿真模拟，并通过加入均压、均流电路后的仿真结果，有效地说明了电路的可行性。
上传时间： 2022-06-22
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兼容WPC v1.2.4协议的7.5W/10W/15W多线圈无线充电发射控制器--IP6809一 概述IP6809是一款无线充电发射端控制SoC芯片,兼容WPC Qi v1.2.4最新标准，支持3线圈无线充电应用，支持A28线圈、MP-A8线圈，支持客户线圈定制方案，支持5W、苹果 7.5W、三星10W、15W充电。IP6809通过analog ping检测到无线接收器，并建立与接收端之间的通信，则开始功率传输。IP6809通过切换不同的工作线圈执行analogping并检测信号强度的方式确定接收机摆放位置，并选择信号最强的线圈执行充电动作。IP6809 解码从接收器发送的通信数据包，然后用PID算法来改变振荡频率从而调整线圈上的输出功率。一旦接收器上的电池充满电时，IP6809终止电力传输.片内集成全桥驱动电路和电压&电流两路ASK通讯解调模块，集成度高，降低方案尺寸和BOM成本. 二 特性兼容WPC v1.2.4标准支持5~15W多种应用单独5W应用快充充电器输入5~10W应用5V充电器输入5~10W升压应用9V~15V充电器输入5~10W降压应用12~19V充电器输入15W应用支持多线圈支持2~3个线圈支持自动检测接收线圈摆放位置通过特定IO的电平状态判断是2/3线圈输入耐压高达25V集成NMOS全桥驱动集成内部电压/电流解调支持FOD异物检测功能--高灵敏静态异物检测--支持动态FOD检测--FOD参数可调低静态功耗和高效率静态电流4mA实测系统充电效率高达79%兼容NPO电容和CBB电容支持成品固件在线升级针对供电能力不足的USB电源有动态功率调整功能（DPM）支持低至5V 500mA的充电器输入过压，过流保护功能支持PD3.0输入请求支持NTC用于系统各状态指示的3路LED支持客户灯显定制封装6mm×6mm 0.5pitch QFN40三 应用背夹、无线充电底座车载无线充电设备
标签： 无线充电
上传时间： 2022-06-25
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大瓦数降压型LED驱动推荐，80V耐压，外挂mos，主打调光，0.1%~100%电流控制，支援PWM调光，模拟调光，内置LED短路保护
上传时间： 2022-06-29
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1谐波和谐波分析2谐波治理方式及APF工作原理3我司APF系统架构及操作说明4部分厂家APF产品介绍5APF选型及应用场合注意事项主要参数对控制系统的影响（1）Udc越大，ic变化越快，但是器件耐压要求越高；（2）当Udc一定时，电容值越小，则直流母线电压波动越大，影响有源电力滤波器的补偿效果；电容值越大，则直流母线电压波动越小，但是电容体积和造价都会增加；（3）电感值L越大，电流的纹波越小，但补偿电流变化率就越小，电流跟踪能力就越弱；电感值越小，电流变化率越大，有源电力滤波器的动态响应速度越快，但电流变化就越剧烈，电流的纹波就越大（4）开关频率f越高，ic纹波越小，可以补偿的谐波次数越高，但对器件的要求越高，开关损耗也增大；开关频率越低，ic纹波电流越大，补偿效果越差
标签： 电力滤波器
上传时间： 2022-07-05
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第01讲-电子元器件-电阻.mp4 第02讲-电子元器件-电感电容保险丝.mp4 第03讲-电子元器件-IC变压器运算放大器.mp4 第04讲-电子元器件-TL431光耦.mp4 第05讲-电子元器件-二极管.mp4 第06讲-电子元器件-三极管.mp4 第07讲-电子元器件-MOS管.mp4 第08讲-电源常识-安规-PCB-插头.mp4 第09讲-电源常识差模共模干扰-EMI-变压器.mp4 第10讲-电源常识-雷击-静电-耐压-功率因素(1).mp4 第11讲-变压器设计.mp4 第12讲-变压器感量设计.mp4 第13讲-变压器绕制.mp4 第14讲-变压器效率.mp4 第15讲-绕制变压器实操.mp4 第16讲-电路原理反激式.mp4 第17讲-电路原理LM358.mp4 第18讲-BUCK电路原理.mp4 第19讲-快充QC2.0-QC3.0.mp4 第20讲-同步整流详解.mp4 第21讲-PFC电路详解.mp4 第22讲-BOOST电路原理.mp4 第23讲-RCC电路详解.mp4 …………
上传时间： 2013-04-15
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第01讲-电子元器件-电阻.mp4 第02讲-电子元器件-电感电容保险丝.mp4 第03讲-电子元器件-IC变压器运算放大器.mp4 第04讲-电子元器件-TL431光耦.mp4 第05讲-电子元器件-二极管.mp4 第06讲-电子元器件-三极管.mp4 第07讲-电子元器件-MOS管.mp4 第08讲-电源常识-安规-PCB-插头.mp4 第09讲-电源常识差模共模干扰-EMI-变压器.mp4 第10讲-电源常识-雷击-静电-耐压-功率因素(1).mp4 第11讲-变压器设计.mp4 第12讲-变压器感量设计.mp4 第13讲-变压器绕制.mp4 第14讲-变压器效率.mp4 第15讲-绕制变压器实操.mp4 第16讲-电路原理反激式.mp4 第17讲-电路原理LM358.mp4 第18讲-BUCK电路原理.mp4 第19讲-快充QC2.0-QC3.0.mp4 第20讲-同步整流详解.mp4 第21讲-PFC电路详解.mp4 第22讲-BOOST电路原理.mp4 第23讲-RCC电路详解.mp4 …………
上传时间： 2013-06-03
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