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网络电阻

  • 这是在网络上搜索的Protel常用库

    这是在网络上搜索的Protel常用库,整理后的汇总

    标签: Protel 网络 搜索

    上传时间: 2013-09-16

    上传用户:YKLMC

  • 基于非负矩阵分解的城市公交网络综合评价模型

      针对城市公交网络的评价问题,在综合考虑城市公交系统诸多因素的基础上,建立了城市公交网络系统的综合评价指标体系。然后利用非负矩阵分解的知识,提取出指标体系中的主要综合性指标。通过对银川市现有的公交网络进行综合评价后发现,文中所提出的方法可以克服传统的评价方法结果无明确几何意义和主观依赖性等缺点,从而可以更为有效的给出量化的评价结果。

    标签: 非负矩阵分解 城市 公交网络 模型

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:haohaoxuexi

  • 基于BP神经网络和灰色理论的示功图故障诊断

      抽油井故障诊断系统是油井系统产量的关键,为了更好更快地对当前油井系统进行诊断以保证石油的产量,人们利用各种各样的技术来完成这一目标。示功图的诊断法是油田有杆抽油诊断的主要方法,文章根据示功图诊断的特点,提取出灰度矩阵特征向量,运用神经网络对有杆抽油油田典型故障诊断进行建模,最后用实例验证了此方法的正确性。实验证明,本系统不仅可行性好,而且故障识别率高,对增加油井产量有重要意义。

    标签: BP神经网络 灰色理论 故障诊断

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:alex wang

  • 基于神经网络的某型飞机发动机故障诊断研究

      航空发动机故障诊断技术对避免飞行事故和降低飞行器运行成本是十分重要的。提出一种BP网络对某型飞机发动机进行故障诊断,但是由于BP网络收敛速度较慢而且容易陷入局部极小值,特别是BP网络通常只能给出一个解,受训练样本病态影响大。因此通过对BP网络的改进,建立了L-M算法神经网络的飞机发动机故障诊断模型。实验表明,该网络在一定程度上克服了BP网络存在的的问题,在逼近能力、分类能力和学习速度等方面均优于BP网络。为机务人员提供了有效的、科学的发动机故障诊断方法,该种评估手段较好地解决了发动机故障诊断问题,在飞行安全中发挥着越来越大的作用。

    标签: 神经网络 发动机 故障诊断 飞机

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:小儒尼尼奥

  • 256级DA驱动的调光计算(电阻系列化)

    采用单片机的8位输出口,每个输出口接入1只电阻,其阻值为2n次方,由单片机8位数据控制电阻是否接入(并联),此电阻接入比较器并控制可控硅导通角,实现数字控制的调光。本软件是由8位数据对总电阻的计算。该技术还可应用于数控的模拟负载电路、电压输出等电路中。

    标签: 256 DA驱动 调光计算 电阻

    上传时间: 2013-10-26

    上传用户:hjkhjk

  • 基于改进粒子群算法的舰船电力系统网络重构

    舰船电力系统网络重构可以看作为一个多目标、多约束、多时段、离散化的非线性规划最优问题。根据舰船电力系统特点,提出了一种改进的粒子群优化算法。在传统粒子群算法的基础上,运用混沌优化理论进行初始化粒子的初始种群,提升初始解质量;同时,引进遗传操作以改进粒子群算法易陷入局部极值的缺点。通过对典型的模型仿真表明,该算法具有更好的寻优性能,并且有效地提高了故障恢复的速度与精度。

    标签: 粒子群算法 电力系统 舰船 网络

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:AbuGe

  • mos管门级驱动电阻计算

    mos管门级驱动电阻计算

    标签: mos 门级 计算 驱动电阻

    上传时间: 2013-12-19

    上传用户:王楚楚

  • 上下拉电阻小结

    上下拉电阻的小结,希望对大家有用

    标签: 下拉电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:18165383642

  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291

  • 0欧电阻的作用

    0欧电阻的作用

    标签: 电阻

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:Yukiseop