N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：thesk123
基于改善快恢复二极管的的动态特性，通过对二极管的横、纵向参数来进行分析，理论上提出了快恢复二极管的设计方法，并且结合SILVACO-TCAD仿真软件进行验证；得出了现代快恢复二极管应降低阳极浓度、减小基区少子寿命，采用加缓冲层的结论；这种结构极大的改善了快恢复二极管的正向导通特性，达到了优化动态特性的目的。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：xc216
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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BP算法的C语言实现--三层神经元网络（适合普通BP算法和改进型BP[带缓冲项]算法）
上传时间： 2014-01-21
上传用户：asdfasdfd
framebuffer 设备即帧缓冲设备（简写fb）提供了显示接口的抽象描述。他 同时代表着显示接口的存储区，应用程序通过定义好的函数访问，不需要知道底 层的任何操作。
标签： framebuffer 设备 显示接口 帧
上传时间： 2013-11-27
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AEM新型叠层多元陶瓷片式熔断器应用指南
上传时间： 2013-07-11
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三层结构下反求工程ＣＡＤ／ＣＡＭ／ＣＡＥ系统集成
上传时间： 2013-07-24
上传用户：eeworm
第三层交换 PDF
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上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
反激型开关电源的软缓冲技术
上传时间： 2013-07-06
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Protel 99 SE 多层电路板设计与制作 视频版
上传时间： 2013-06-09
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