一种基于FPGA实现的FFT结构\\r\\n调从基本元器件开始的计算机硬件系统的设计与实现,大多设置在自动控制系,形成了与应用系统结合的计算机教育。 1966年多处理器平台FPGA 学习目标 (1) 理解为什么嵌入式系统使用多处理器 (2) 指出处理器中CPU和硬件逻辑的折衷
上传时间： 2013-08-20
上传用户：linlin
对CPLD学习者有帮助，既讲解了硬件的结构，又讲述了VHDL语言的应用
上传时间： 2013-08-20
上传用户：leyesome
基于CPLD的双屏结构液晶控制器的研究与设计作者：黄丽薇.doc
上传时间： 2013-08-22
上传用户：leyesome
本文详细分析了COOLRUNNER系列CPLD的结构,特点及功能,使用VHDL语言实现数字逻辑,实现了水下冲击波记录仪电路的数字电路部分.
标签： COOLRUNNER CPLD
上传时间： 2013-08-26
上传用户：亚亚娟娟123
讲述CPLD和FPGA的结构，对初学者很有用。
上传时间： 2013-08-26
上传用户：奔跑的雪糕
节点是网络系统的基本控制单元，论文提出了一种基于CPLD和多处理器结构的控制网络节点设计方案，它能够提高单节点并行处理能力，其模块化结构增强了节点的可靠性。
上传时间： 2013-08-31
上传用户：shanxiliuxu
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
叙述了锁相环的应用及其结构特点, 较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：gxm2052
挠性印制板很容易在大应力的作用下造成开裂或断裂，在设计时常在拐角处采用抗撕裂结构设计以更好地改善FPC的抗撕裂的性能。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：crazyer
