虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

结构选择

  • CPLD/FPGA的入门教程 PDF

    该PDF文档是CPLD/FPGA的入门教程。里面叙述了PLD的基本结构,选择CPLD/FPGA的方式方法。

    标签: CPLD FPGA 入门教程

    上传时间: 2013-08-21

    上传用户:lizhizheng88

  • 基于CPLD的双屏结构液晶控制器的研究与设计

    基于CPLD的双屏结构液晶控制器的研究与设计作者:黄丽薇.doc

    标签: CPLD 液晶控制器

    上传时间: 2013-08-22

    上传用户:leyesome

  • COOLRUNNER系列CPLD的结构,特点及功能

    本文详细分析了COOLRUNNER系列CPLD的结构,特点及功能,使用VHDL语言实现数字逻辑,实现了水下冲击波记录仪电路的数字电路部分.

    标签: COOLRUNNER CPLD

    上传时间: 2013-08-26

    上传用户:亚亚娟娟123

  • 讲述CPLD和FPGA的结构

    讲述CPLD和FPGA的结构,对初学者很有用。

    标签: CPLD FPGA

    上传时间: 2013-08-26

    上传用户:奔跑的雪糕

  • 一种基于CPLD和多处理器结构的控制网络节点设计方案

    节点是网络系统的基本控制单元,论文提出了一种基于CPLD和多处理器结构的控制网络节点设计方案,它能够提高单节点并行处理能力,其模块化结构增强了节点的可靠性。

    标签: CPLD 多处理器 控制网络 节点设计

    上传时间: 2013-08-31

    上传用户:shanxiliuxu

  • 中文平台在PCB中放置字符串时选择SERF字体可显示中文但打印时乱码

    中文平台在PCB中放置字符串时选择SERF字体可显示中文但打印时乱码。\r\n在PCB中打印中文可使用汉字PCBHZ补丁。\r\n步骤:\r\n 1,安装中文平台;\r\n 2,将PCBHZ文件包放入Altium2004根目录;\r\n 3, 将DXP.RCS文件放入C:\\Documents and Settings\\个人文件夹\\Application Data\\Altium2004目录 \r\n 4,重新启动DXP2004.\r\n 5,在PCB界面中加载PCBHZ文件包中的hanzi库文件;\

    标签: SERF PCB 字符串 字体

    上传时间: 2013-09-16

    上传用户:金宜

  • intersil公司的旁路电容的使用与选择资料

    旁路电容的使用与选择,intersil公司的旁路电容的使用与选择资料。

    标签: intersil 旁路电容

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:qq521

  • 高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

    基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕度为63°。

    标签: CMOS 增益 低功耗 轨到轨

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:xlcky

  • 10 GHz介质振荡器的设计

    介绍了介质振荡器的理论和设计方法,选择并联反馈式结构,设计了一个工作频点为10 GHz的介质振荡器。为了提高振荡器的输出功率,同时改善相位噪声,本文对传统电路结构进行改进,采用了二级放大的方式,提高了有源网络的增益,降低了介质谐振器与微带线的耦合度,达到了预期目标。结果表明,本文的理论分析是正确的,设计方案是可行的。

    标签: GHz 10 介质振荡器

    上传时间: 2013-10-31

    上传用户:稀世之宝039

  • COOLMOS_原理结构

    看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下: 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson就大了。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢?

    标签: COOLMOS

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:标点符号