雷达和通信系统中，采用镜频抑制混频器能够有效抑制镜像频率，提高系统的抗干扰能力，同时能够有效的回收镜频能量，提高工作效率。在介绍镜像干扰原理的基础上，文中给出了一种镜频抑制混频器的框图，该结构既能在接收机中作为镜频抑制混频器，还能在发射机中作为单边带调制器。本文对某型下变频器进行了干扰分析，与镜像抑制混频器进行了对比研究，提出了用镜像抑制混频器替代该型下变频器的可行性。
上传时间： 2013-10-30
上传用户：四只眼
模数转换器ADC0809引脚及内部框图
上传时间： 2013-11-19
上传用户：lingfei
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
叙述了锁相环的应用及其结构特点, 较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：gxm2052
挠性印制板很容易在大应力的作用下造成开裂或断裂，在设计时常在拐角处采用抗撕裂结构设计以更好地改善FPC的抗撕裂的性能。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：crazyer
本系统是以单片机的基本语言汇编语言来进行软件设计，指令的执行速度快，节省存储空间。为了便于扩展和更改，软件的设计采用模块化结构，使程序设计的逻辑关系更加简洁明了。使硬件在软件的控制下协调运作。 正文中首先简单描述系统硬件工作原理，且附以系统硬件设计框图，并介绍了单片机微处理器的发展史，论述了本次毕业设计所应用的各硬件接口技术和各个接口模块的功能及工作过程, 并具体描述了8052、8279及SED1520外接电路接口的软、硬件调试。其次阐述了程序的流程和实现过程。本文撰写的主导思想是软、硬件相结合，以硬件为基础，来进行各功能模块的编写。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：yxgi5
为了实现对Buck变换器直流输出电压的精确控制，优化变换器的性能，提出了一种基于双滑模面控制的控制策略，建立了数学模型，并推导了变换器滑模面的存在条件。通过仿真实验表明，采用双滑模面控制滑模变结构控制的Buck变换器具有滑模控制快速响应、鲁棒性强等特点。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：回电话#
结构电流模式与电压模式的比较 中文
上传时间： 2013-11-16
上传用户：1406054127
YJ 电源拓扑结构详述
上传时间： 2013-10-09
上传用户：顶得柱
