v开关电源拓扑结构综述 v开关电源分类 v非隔离式拓扑举例 BUCK BOOST BUCK-BOOST v隔离式拓扑举例 正激式 反激式
上传时间： 2013-10-12
上传用户：manlian
开关电源可分为直流开关电源和交流开关电源，是按输出来区分的，交流开关电源输出的是交流电，而直流开关电源输出的是直流电，这里介绍的是直流开关电源。随着相关元器件的发展，直流开关电源以其高效率在很多场合代替线性电源而获得广泛应用。 直流开关电源与线性电源相比一般成本较高，但在有些特别场合却更简单和便宜，甚至几乎只能用开关电源，如升压和极性反转等。直流开关电源还可分为隔离的和不隔离的两种，隔离的是采用变压器来实现输入与输出间的电气隔离，变压器还便于实现多路不同电压或多路相同电压的输出。 直流开关电源结构复杂，设计和分析都有较特别的一套理论和方法，这里主要介绍6种基本的不隔离的直流开关电源结构形式和其特点，便于依据应用场合来选择使用。
上传时间： 2013-10-24
上传用户：wivai
常见DC/DC电源变换器的拓扑类型见表1～表3所列。表中给出不同的电路结构，同时也给出相应的电压及电流波形(设相关的电感电流为连续工作方式)。PWM表示脉宽调制波形，U1为直流输入电压，UDS为功率丌关管S1(MOSFFT)的漏一源极电压。ID1为S1的漏极电流。IF1为D1的工作电流，U0为输出电压，IL为负载电流。T为周期，t为UO呈高电平(或低电平)的时问及开关导通时间，D为占空比，有关系式：D=t/T。C1、C2均为输入端滤波电容，CO为输出端滤波电容，L1、L2为电感。 1、常见单管DC/DC电源变换器
上传时间： 2013-10-19
上传用户：1966640071
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
为分析基于LCL滤波器的双馈风电网侧变换器在不同电流反馈控制结构情况下的工作性能， 采取PI控制器对网侧变换器网侧电流反馈控制结构和变换器侧电流反馈控制结构的电流闭环根轨迹进行分析，对其在理想电网无阻尼电阻和有阻尼电阻、非理想电网无阻尼电阻3种情况下的特性进行了比较。分析及仿真结果表明变换器侧电流反馈控制结构控制算法相对较复杂，但是系统稳定性好，电网电流的谐波畸变率较低；而电网侧电流反馈控制结构较易实现网侧单位功率因数控制，但稳定性较差。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：huql11633
针对目前矩阵变换器电压传输比多数只能达到0.866的问题，进行了深入研究，设计了一种泵式矩阵变换器结构，使电压传输比任意可调,并从机理上解决了矩阵式变换器的传输比低的问题。
上传时间： 2013-11-19
上传用户：hanhanj
晶片wafer 平面工艺详细介绍
上传时间： 2013-11-21
上传用户：jesuson
这是程序匠人总结的，，C语言，结构体(struct) 用法，，非常精辟，理解很到位，看后保证收获很大，现在网上估计找不到了，，前几天匠人的博客进不了了，，，，
上传时间： 2014-11-27
上传用户：whymatalab
CPU卡COS系统文件结构详解
上传时间： 2013-10-17
上传用户：zhanditian
很全面的实验指导，无锡工艺单片机实验指导书。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：banyou
