文中简要介绍了电流型运放的特性，着重对电流型运放的应用电路进行测试，研究电流型运放的应用特性。实验中，选择典型电流型运放及电压型运放构建负阻变换器、电压跟随器和同相比例放大器，通过对此3类应用电路的测试，分析、总结运放参数对特殊应用电路的影响，为电路设计者在具体电路的设计中恰当选择适合的放大器提供参考。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：13736136189
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
分析了几种常用的热电偶冷端补偿方法的优缺点，根据1N4148在恒流条件下其管压降与温度的线性关系设计了一种基于PN结的热电偶冷端补偿电路。该补偿方法具有成本低、精度高、通用性强等优点，该电路可以对不同型号的热电偶进行冷端补偿，同时具有断偶检测功能。
上传时间： 2013-10-11
上传用户：pkkkkp
永久型数字式电位器X9313及其应用:
上传时间： 2013-11-12
上传用户：lijinchuan
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：summery
运算放大器作为模拟集成电路设计的基础，同时作为DAC校准电路的一部分，本次设计一个高增益全差分跨导型运算放大器。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：dvfeng
本教程旨在考察标定运算放大器的增益和带宽的常用方法。需要指出的是，本讨论适用于电压反馈(VFB)型运算放大器——电流反馈(CFB)型运算放大器将在以后的教程(MT-034)中讨论。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：大三三
为了解决高压大功率电机软启动技术实现难的问题，文中介绍一种基于单元级联型高压变频器的电机软起动应用方法，利用高压大功率变频器的特点，用其作为高压大功率电机的软启动器，使得高压大功率电机能够平稳、无冲击、大转矩启动。
上传时间： 2013-10-12
上传用户：pkkkkp
电流型PWM整流器因其良好的功率因数和直流电流源特性，可望在某些场合取代产生大量谐波的二极管或晶闸管相控整流装置，但是由于其本身的强耦合非线性特性，使得变流器常采用复杂的直接电流控制策略，从而使控制器的设计非常复杂。文中提出一种改进的基于d-q坐标系的间接电流控制方法，在电网电压平衡情况下，通过解耦控制，能获得线性的动态响应。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：asaqq
