从射频器件半导体的属性和模型入手的一本经典书籍，即使不做射频 芯片设计，从事射频电路设计的工程师如果能从半导体器件和模型深入研究一下半导体的属性，对于自己深入理解放大器也是大有好处的。
标签： 场效应晶体管 射频 微波 建模
上传时间： 2022-07-17
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DRV832X系列设备是集成门三相应用的驱动程序。设备提供三个半桥门驱动程序，每个驱动程序驱动高侧和低侧N通道功率MOSFET。DRV832X生成正确的门驱动电压使用集成电荷泵高压侧场效应晶体管和线性调节器低侧场效应晶体管。智能门驱动架构支持多达1-A源和2-A汇峰门驱动电流能力。DRV832X可以操作单电源供电，支持宽输入门驱动器的电源范围为6至60-V，4至60-V用于可选降压调节器。
标签： drv8320
上传时间： 2022-07-26
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乾坤工贸产品样本 二极管,三极管,场管,电阻,电容,电感,光耦管 ++
标签： 样本 二极管 三极管 光耦
上传时间： 2013-06-14
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两种双管反激型DC／DC变换器的研究和比较
标签： 双管反激 DC变换器 比较
上传时间： 2013-04-15
专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 两种双管反激型DC-DC变换器的研究和比较.pdf
标签： DC-DC 双管反激 变换器
上传时间： 2013-05-28
上传用户：Yukiseop
专辑类-元器件样本专辑-116册-3.03G 乾坤工贸产品样本-二极管-三极管-场管-电阻-电容-电感-光耦管-++-75.9M.zip
标签： 75.9 zip 样本 二极管
上传时间： 2013-06-30
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电压源型PWM逆变器在当前的工业控制中应用越来越广泛，在其应用领域中，交流电动机的运动控制是其很重要的组成部分。在PWM逆变器的控制过程中，设置死区是为了避免逆变器的同一桥臂的两个功率开关器件发生直通短路。尽管死区时间很短，然而当开关频率很高或输出电压很低时，死区将使逆变器输出电压波形发生很大畸变，进而导致电动机的电流发生畸变，电机附加损耗增加，转矩脉动加大，最终导致系统的控制性能降低，甚至可能导致系统不稳定。为此，需要对逆变器的死区进行补偿。本文针对连续空间矢量调制提出了一种改进的减小零电流钳位和寄生电容影响的死区效应补偿方法；针对断续空间矢量调制提出了通过改变空间矢量作用时间，来改变驱动信号脉冲宽度的补偿方法，并对这两种方法进行了理论分析和仿真研究。 本文首先详细分析了死区时间对逆变器输出电压和电流的影响，以及功率开关器件寄生电容对输出电压的影响。其次对已提出的减小零电流钳位和寄生电容影响的死区效应补偿方法进行了理论分析，该方法先计算出补偿电压，再对由零电流钳位现象引起的补偿电压极性错误进行校正，极性校正的参考量为d轴补偿电压的幅值，然而补偿电压的大小随电流的变化而变化，因此该方法存在电压极性校正时参考量为变化量的缺点，而且该方法只适用于id=0的控制方式，适用性较差。针对这些问题，本文提出了改进的减小零电流钳位和寄生电容影响的补偿方法，改进后的方法是先对由零电流钳位现象引起的电流极性错误进行校正，然后再计算补偿电压的大小，电流极性校正时的参考量为三相电流极性函数转化到γ-坐标系的函数sγ的幅值，sγ的幅值与补偿电压大小无关为恒定值，而且适用于任何控制方式，适应性强。再次把改进的减小零电流钳位和寄生电容影响的死区效应补偿方法应用到PMSM矢量控制系统中，采用MATLAB和Pspice两种方法进行了仿真研究，仿真结果验证了补偿方法的有效性。对两种仿真结果的对比分析，表明PSpice模型能更好的模拟逆变器的非线性特性。 最后，文章分析了连续空间矢量调制和断续空间矢量调制的输出波形的区别和死区对两种波形影响的不同。针对DSP芯片TMS320LF2407A硬件产生的断续SVPWM波，提出了根据电压矢量和电流矢量的相位关系，通过改变空间矢量作用时间，来改变驱动信号脉冲宽度，对其进行死区补偿的方法。给出了基本空间矢量作用时间调整的实现方法，并建立了MATLAB仿真模型，进行仿真研究，仿真结果验证了补偿方法的正确性和有效性。
标签： PWM 电压源 死区
上传时间： 2013-06-04
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LED数码管字型发生器，用了就知道，很好的。
标签： LED 数码管 字型 生成器
上传时间： 2013-04-24
上传用户：leesuper
MPU-2型恒功率晶闸管中频电源控制线路分析
标签： MPU 恒功率晶闸管 中频电源 分
上传时间： 2013-10-25
上传用户：zhangyigenius
VB开发的用于测试CRT彩管热拱效应的源程序代码。
标签： CRT 测试 效应 代码
上传时间： 2013-12-24
上传用户：小草123
