这是我用proteus调通的DS18B20，里面有DS18B20的资料和程序，
上传时间： 2013-09-30
上传用户：dancnc
很多网友渴望自己设计电路原理图（SCH）、电路板（PCB），同时希望从原始SCH到PCB自动布线、再到成品PCB电路板的设计周期可以缩短到1天以内！是不是不可能呢？当然不是，因为现在的EDA软件已经达到了几乎无所不能的地步！由于电子很重实践，可以说，不曾亲自设计过PCB电路板的电子工程师，几乎是不可想象的。 很多电子爱好者都有过学习PROTEL的经历，本人也是一样，摸索的学习，耐心的体会，充分的体会什么是成功之母。不希望大家把不必要的时间浪费在学习PROTEL的初期操作上，在这里做这个教程是为了给渴望快速了解和操作PROTEL的初学者们一个走捷径的机会，教程大家都可以看到，可以省走很多不必要的弯路及快速建立信心，网络的魅力之一就在于学习的效率很高。由于本人的水平很有限，所以教程做的比较浅，就是教大家：1.画画简单的原理图（SCH）2.学会创建SCH零件 2.把原理图转换成电路板（PCB） 3.对PCB进行自动布线 4.学会创建PCB零件库 5.学会一些常用的PCB高级技巧。鉴于此，如果您这方面已经是水平很高的专业人士，无需看此教程。 同时也愿这些简单的图片教程可以使大家在今后的电子电路设计之路上所向披靡。 关于教程涉及软件版本：此教程采用的样板软件是PROTEL99SE汉化版，99SE是PROTEL家族中目前最稳定的版本，功能强大。采用了*.DDB数据库格式保存文件，所有同一工程相关的SCH、PCB等文件都可以在同一*.DDB数据库中并存，非常科学，利于集体开发和文件的有效管理。还有一个优点就是自动布线引擎很强大。在双面板的前提下，可以在很短的时间内自动布通任何的超复杂线路！ 关于软件的语言：采用的是主菜单汉化版，有少量的深层对话框是英文的，重要的细节部分都在教程中作了中文注释，希望大家不要对少量的英文抱有恐惧的心理，敢于胜利是学习的一个前提。再就是不要太急于求成，有一颗平常心可以避免欲速则不达的问题。我可以向大家保证，等大家学会了自动布线，就会对设计PCB信心百倍。 5天（每天2小时），你就可以搞定PROTEL99SE的常规操作了。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：wpwpwlxwlx
低通滤波器设计
上传时间： 2014-12-23
上传用户：frank1234
Filter_Solutions_2009中文教程——低通滤波器设
标签： Filter_Solutions 2009 教程 低通
上传时间： 2014-12-23
上传用户：xywhw1
高通滤波为实现高频信号能正常通过，而低于设定临界值的低频信号则被阻隔、减弱。但是阻隔、减弱的幅度则会依据不同的频率以及不同的滤波程序而改变。文中阐述了对电压转移函数推导分析及电路性能的要求，并利用Multisim仿真软件对其频幅特性的分析进行。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：liufei
Butterworth函数的高阶低通滤波器的有源设计
标签： Butterworth 函数 低通滤波器 有源
上传时间： 2013-11-20
上传用户：旗鱼旗鱼
针对传统第二代电流传输器（CCII）电压跟随不理想的问题，提出了新型第二代电流传输器（CCCII）并通过采用新型第二代电流传输器（CCCII）构成二阶电流模式带通滤波器，此滤波器只需使用2个电流传输器和2个电容即可完成设计。设计结构简单，其中心频率可由电流传输器的偏置电流控制。利用HSpice软件仿真分析并验证了理论设计的准确性和可行性。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：jqy_china
为了解决声表面波滤波器插损太大，造成有用信号衰减严重，弥补插损又会引起底部噪声抬高的问题。该文设计了一种用LC集总元件实现的窄带带通滤波器，其特点是插入损耗小，成本低，带外衰减大，较好解决了因声表面波滤波器插损大而引起的一系列问题，不会引起通道底部噪声的抬高。仿真结果证明了该设计方案的可行性。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：13517191407
LCD线路
上传时间： 2014-12-23
上传用户：huaidan
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
