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离子注入

  • Renesas ISL78600模拟前端AFE的BMS锂电池管理系统

    本BMS系统方案基于瑞萨的ISL78600汽车级(AEC-Q100)锂离子电池管理解决方案(BMS)专为满足下一代电动汽车应用的严格安全性,可靠性和性能要求而设计。我们的电池平衡和安全产品组合采用高度集成的ISL78600锂离子电池管理和安全监控IC,具有许多优点,可显着降低HEV / PHEV / EV电池组及其相关的电池管理成本系统。可监控多达12个串联电池。该部件提供准确的监控,电池平衡和广泛的系统诊断功能。包含三种电池平衡模式:手动平衡模式,定时平衡模式和自动平衡模式。当满足主机微控制器指定的电荷转移值时,自动平衡模式终止平衡功能。适用领域:微型汽车,高尔夫球车,场地车、物流车等电池节数少于48串的BMS一体机解决方案。能适用各类型锂离子电池:锰酸锂、三元、磷酸铁锂等;参考标准:QC/T897、GB28046。

    标签: isl78600 模拟前端 afe bms 锂电池管理系统

    上传时间: 2022-06-07

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  • 锂电池电量检测系统设计

    锂离子电池是1990年后逐渐发展起来的新一代电池,锂电池较传统的镍镉、镍氢等电池在很多方面具有优势,例如工作电压高、质量轻、能量密度大、体积小、自放电率小、无记忆效应、循环寿命长等特点,因此,锂电池作为主要能源在笔记本、手机等便携式电子设备上的应用已非常普及。如今,新面市的磷酸铁锂电池拥有非常好的市场前景,因其具有优良的电池性能。但是,如何准确检测电池的剩余电量一直是一个值得研究的问题,因其只能间接测量,不易保证准确性。锂电池的应用发展已越来越迅速,怎样精确估计电池电量也变得越来越重要。  目前,测量结果不准确、不全面是一部分锂电池电量检测系统存在的主要问题,因其忽略了能够影响电池性能的重要因素,即温度参数,另外还有电池自身的老化(SOH)及内阻变化等。而随着电池使用次数的增加,电池不断老化,电池容量就会逐渐减小,若缺少了电池额定容量满循环校准这一步骤,将会加大电量的测量误差,这一误差还会随电池使用频率累积增大。  本文主要以MSP430单片机微控制器为核心,针对便携式的小功率产品,设计一个锂电池电量检测系统,并对锂电池组的充、放电过程进行保护。锂电池组的电流、电压、温度参数将被系统控制器及时采集,为电池组剩余电量的检测和电池组充放电保护提供理论依据。  本文首先详细介绍了锂电池的特性和优点,分析了其充放电特性。其次,在电池开路和负载的情况下,提出了多种估算方法并结合温度校正来估算锂电池的剩余容量,并将影响电池电量检测的各种因素也考虑了进去,以实现锂电池电量的准确估计。再次,设计了系统的硬件电路,设计了软件程序。最后,对设计结果进行了有效性验证。

    标签: 锂电池 电量检测系统

    上传时间: 2022-06-09

    上传用户:wangshoupeng199

  • CS5080E 两节锂电池升压充电控制芯片手册

    CS5080E是一款5V输入,支持双节锂电池串联应用,锂离子电池的升压充电管理IC.CS5080E集成功率MOS,采用异步开关架构,使其在应用时仅需极少的外围器件,可有效减少整体方案尺寸,降低BOM成本。CS5080E的升压开关充电转换器的工作频率为600KHz最大2A输入充电,转换效率为90%。

    标签: cs5080e 锂电池 充电管理

    上传时间: 2022-06-13

    上传用户:jiabin

  • IGBT驱动电路的设计.

    电力电子技术包括功率半导体器件与1C技术、功率变换技术及控制技术等几个方面,其中电力电子器件是电力电子技术的重要基础,也是电力电子技术发展的“龙头"。从1958年美国通用电气(GE)公司研制出世界上第一个工业用普通晶闸管开始,电能的变换和控制从旋转的变流机组和静止的离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子技术的诞生。到了70年代,晶闸管开始形成由低压小电流到高压大电流的系列产品。同时,非对称晶闸管、逆导晶闸管、双向品闸管、光控晶闸管等品闸管派生器件相继问世,广泛应用于各种变流装置。由于它们具有体积小、重量轻、功耗小、效率高、响应快等优点,其研制及应用得到了飞速发展。由于普通晶闸管不能自关断,属于半控型器件,因而被称作第一代电力电子器件。在实际需要的推动下,随着理论研究和工艺水平的不断提高,电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展,先后出现了GTR,GTO、功率MOSET等自关断、全控型器件,被称为第二代电力电子器件。近年来,电力电子器件正朝着复合化、模块化及功率集成的方向发展,如IGPT,MCT,HVIC等就是这种发展的产物

    标签: igbt 驱动电路

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:qdxqdxqdxqdx

  • 600VFS结构IGBT的设计

    本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法,并通过和国内某知名代工线合作,完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论,然后结合代工线的特点,进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设计,最后完成版图设计并进行工艺流片。所设计的器件工艺流程为:先进行器件背面的FS层制作,然后进行正面结构(包括元胞和终端)的制作,最后再进行背面的P+区注入和金属化。2、对流片获得的600V FS-IGBT器件进行了主要电学参数的测试和分析。测试结果为:耐压大于700V、正向导通压降低于1.15V、阈值电压4.1-4.5V。满足设计要求。/本论文的研究成果对于促进我国FS结构IGBT的研究和产业化具有很好的参考价值,通过进一步改进工艺及结构,提高产品良率,最终可以形成有竞争力的产品。

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-19

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  • COMSOLMultiphysics等离子体数值模拟

    高温与低温等离子体高温等离子体一温度为108~109K,完全电离的等离子体一热平衡等离子体一热核聚变、太阳和恒星发射的等离子体低温等离子体一热等离子体(thermal plasma)稠密气压(大气压以上),温度103~105 K短脉冲放电(电晕放电)、电弧滑动喷射式放电电弧、高频、燃烧等离子体冷等离子体电子温度103~104K,气体温度低电子与离子或者中性粒子的碰撞过程中几乎不损失能量稀薄气压辉光放电、电晕放电、质阻挡放电描述等离子体的物理量密度-电子密度-离子密度-中性粒子密度温度-电子温度-离子温度-中性粒子温度(气体温度)-1 eV = 11600 K低温等离子体的产生和常见应用·辉光放电·电晕放电·介质阻挡放电·射频低温等离子体放电·滑动电弧放电·射流低温等离子体放电·大气压或次大气压下的辉光放电

    标签: comsol multiphysics 等离子体 数值模拟

    上传时间: 2022-06-20

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  • ICP中RF电源的功率控制的研究

    本论文主要研究自激式RF电源的功率控制,主要分为七个部分:第部分主要介绍ICP仪器的发展历史、RF电源的主流技术路线及国内外研究现状,指出了存在的部分问题,确立了本文研究主题。第二部分简介了ICP仪器的系统结构,重点介绍等离子炬光源以及自激式RF电源。首先从系统的角度介绍了ICP仪器的组成及工作原理,然后对等离子矩光源的产生条件及生成机理作了说明,并且对其在点火过程中表现的负载特性作了分析,最后从ICP仪器的分析性能方面说明了它对RF电源的设计要求,明确RF电源的设计指标。第三部分详细介绍了自激式RF电源的实现原理。按照信号流向首先介绍了作为跟踪等离子矩特性的振荡源——锁相环的原理,分别对其中的鉴相器、环路滤波器、压控振荡器和驱动电路等做了详细介绍。然后介绍了高频功率放大器的原理,确定了主要元件参数,并介绍了适用于自激式RF电源的电路结构。最后对阻抗匹配原理作了介绍,并重点介绍了集中参数元件匹配网络。第四部分详细介绍了本文所做的设计工作,包含软硬件设计。这部分仍然是按信号流向作说明,根据自激式RF电源的结构特点,针对这几部分选择合适的电路结构、元件参数等设计完成锁相环路、高效率E类推挽功率放大电路以及阻抗匹配网络。除此之外,还包括电路中的主要信号采样与检测、热设计、电磁兼容设计以及软件部分的设计说明。第五部分对本文采取的功率控制流程与策略作详细说明,介绍了如何通过改善控制流程和控制策略以提高RF电源性能。第六部分对所设计的RF电源进行了测试,表明本设计达到了预定的设计指标,说明此方法的可行性与实用性,并且分析了等离子炬的负载变化过程,对RF电源的设计提供了有益的参考。第七部分作了全文总结与展望。所设计RF电源成功点燃等离子炬,期间通过对RF电源的测试,并在ICP-AES整机上进行了系统验证,测试证明所设计的自激式RF电源与同类电源相比性能有所提升。

    标签: icp rf 电源 功率控制

    上传时间: 2022-06-23

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  • 基于SPI的OLED显示技术

    引言液晶显示器(LCD)作为一种成熟的显示技术已经深入到了人们生活的各个领域,但LCD也存在一些不足之处,例如亮度低、响应速度慢以及工作温度范围狭窄等。近年来各种新型显示器件不断出现,有机电致发光器件(OLEDD就是其中一种。有机发光显示是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的现象。与LCD相比,OLED能够主动发光(不需要背光源源,使用温度范围宽(-40℃~80℃),视角广(接近180°),同时具有厚度薄、功耗低的特点,且抗震性能优异。目前,OLED一般都具有8位数据并行接口,但在单片机IVO管脚资源紧张的情况下,采用八位数据总线方式就需要对单片机的IVO进行扩展,这样就增加了硬件电路的复杂程度。本文选用维信诺公司的VGG12864L-S002模块,用比较少的单片机口线实现显示信号的输入。

    标签: spi oled

    上传时间: 2022-06-24

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  • 开关升压型锂电池充电管理芯片FLD5302/3 技术手册

    开关升压型锂电池充电管理芯片FLD5302/3概述 为开关型两节或三节锂离子/锂 聚合物电池充电管理芯片,非常适合于便携 式设备的充电管理应用。 集电压和电 流调节器、预充、充电状态指示和充电截止 适配器自适应等功能于一体,采用 SOP-8 封装。 对电池充电分为三个阶段:预 充( Pre-charge )、恒流(CC/Constant Current)、恒压(CV/Constant Voltage)过程。 集成过压及过流保护,确保电芯的 安全。 

    标签: 锂电池 充电管理

    上传时间: 2022-06-25

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  • SSD1306-OLED驱动芯片中文手册

    SSD1306 是一个单片 CMOS OLED/PLED 驱动芯片可以驱动有机/聚合发光二极管点阵图形显示系统。由 128 segments 和 64 Commons 组成。该芯片专为共阴极 OLED 面板设计。SSD1306 中嵌入了对比度控制器、显示 RAM 和晶振,并因此减少了外部器件和功耗。有 256级亮度控制。数据/命令的发送有三种接口可选择: 6800/8000 串口, I2C 接口或 SPI 接口。适用于多数简介的应用,注入移动电话的屏显, MP3 播放器和计算器等。

    标签: ssd1306 oled

    上传时间: 2022-06-27

    上传用户:bluedrops