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磁通门

一种磁场测量元件,可用于电流测量中,精度较高。
  • IGBT门极驱动设计规范

    IGBT门极驱动设计规范,很详细的免费规范。

    标签: IGBT 门极驱动 设计规范

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:zaizaibang

  • 铁镍钼磁粉芯性能曲线

    铁镍钼磁粉芯性能曲线

    标签: 磁粉芯 性能

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:zuozuo1215

  • 各种门控开关电路

    各种门控开关电路

    标签: 门控 开关电路

    上传时间: 2013-10-16

    上传用户:410805624

  • 基于DSP的超磁致伸缩换能器驱动电源设计

    为了提高稀土超磁致伸缩换能器驱动电源的效率以及实用性,采用DSP器件TMS320F2812作为主控芯片,结合混合脉宽调制方法实现SPWM波形。采用半桥型逆变电路实现SPWM的功率放大,并对隔离驱动电路、反馈电路和滤波匹配电路进行合理而有效的设计,保证了换能器的输出效能。同时使用电流控制频率的方法实现谐振频率的自动跟踪。实验证明,该驱动电路输出频率稳定,波形失真度低,且能量转换效率较高。

    标签: DSP 磁致伸缩 换能器 电源设计

    上传时间: 2013-10-30

    上传用户:yueguizhilin

  • 开关电源设计__第二版_Switching_Power_Supply_Design__Second_Edition_(全)

    本书内容翔实、精炼,介绍了进行电源设计必须了解的几乎所有相关的知识,包括以下几个方面。   拓扑概述——常用的15种拓扑;功率开关管的最大电流应力和最大电压应力;对于有确定的输入输出电压、输出功率的功率开关管,最佳拓扑的选择;最佳拓扑的选择;最佳功率开关管的选择。   高频磁原理——铁氧体磁心磁带、集肤效应和邻近效应损耗。   变压器设计——与频率、磁密度、铁心面积和绕线面积以及拓扑有关的函数公式推导;磁心、线圈、变压器总损耗,以及温升的计算;使用常用拓扑的变压器设计实例。   直流电流偏置电感设计——导通直流偏置电流的电感设计。   磁放大器、缓冲器的设计以及谐振变换器。   反馈环稳定性。   主要拓扑的精确波形。 本书第二版增加了该领域内目前最受关注的关于电流的章节,包括功率因数校正、荧火灯使用的高频镇流器和笔记本电脑设计的低输入电压电源。 内容简介本书从最基本的开关变换器分析入手,系统地阐述开关电源电路(设计)的功率转换和脉宽调制原理、驱动电路与闭环反馈的稳定性及磁性元件的设计原则;对各功率变换器器件的参数选择和变换器各部分波形进行了定量分析;利用闭环反馈振荡机理,详细讨论了开关电源电流、电压环反馈系统的稳定性;论述高频开关电源在功率因数校正技术、软开关技术,以及电子镇流器技术等方面的最新动态和发展趋势。内容上不仅对各功率变换器的原理有详尽、系统的论述,同时给出多种新型的拓扑及对应电路反馈环的设计实例。 本书可以作为学习、研究高频开关电源的高校师生的教材,也可作为从事开关电源设计、开发的工程师的设计参考资料。

    标签: Switching_Power_Supply_Design Second_Edition 开关电源设计

    上传时间: 2013-11-21

    上传用户:13788529953

  • 同步整流技术简单介绍

    同步整流技术简单介绍大家都知道,对于开关电源,在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件,通常用的是整流二极管(利用它的单向导电特性),它可以理解为一种被动式器件:只要有足够的正向电压它就开通,而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高,快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功,并且整流二极管是一种固定压降的器件,举个例子:如有一个管子压降为0.7V,其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压,损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时,损耗为0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低,损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展,如GeForce 8800GTX显卡,其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V输出电流各高达24A)的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现,为广大用户提供更高转换效率(如多核R80,完全符合80PLUS标准)的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题?寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻(几毫欧到十几毫欧)极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了!作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件,功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件,必须要在其控制极(栅极)有一定电压才能允许电流通过,这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中,一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积,故小电流时,其压降和恒定压降的肖特基不同,电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率(20%)尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案,我们可以通过灌溉农田来理解:肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道,从源头下来的水源在中途渗漏了很多,十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道,除了一点点被太阳晒掉的损失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1,多核R80,其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET,在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A,则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V,损耗比例为0.04/4=1%,比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗,其技术的进步已不仅仅是一个量的变化,而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说,我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。

    标签: 同步整流

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:杏帘在望

  • 光电隔离器6N137应用

     6N137的结构原理如图1所示,信号从脚2和脚3输入,发光二极管发光,经片内光通道传到光敏二极管,反向偏置的光敏管光照后导通,经电流-电压转换后送到与门的一个输入端,与门的另一个输入为使能端,当使能端为高时与门输出高电平,经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时,输出高电平,但这个逻辑高是集电极开路的,可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。

    标签: 6N137 光电隔离器

    上传时间: 2014-03-24

    上传用户:skhlm

  • 逆变电路的基本工作原理

    单相桥式逆变电路为例:S1~S4是桥式电路的4个臂,由电力电子器件及辅助电路组成。S1、S4闭合,S2、S3断开时,负载电压uo为正S1;S1、S4断开,S2、S3闭合时,uo为负,把直流电变成了交流电。改变两组开关切换频率,可改变输出交流电频率。图5-1 逆变电路及其波形举例电阻负载时,负载电流io和uo的波形相同,相位也相同。阻感负载时,io滞后于uo,波形也不同(图5-1b)。t1前:S1、S4通,uo和io均为正。t1时刻断开S1、S4,合上S2、S3,uo变负,但io不能立刻反向。io从电源负极流出,经S2、负载和S3流回正极,负载电感能量向电源反馈,io逐渐减小,t2时刻降为零,之后io才反向并增大 (2)换流方式分类换流——电流从一个支路向另一个支路转移的过程,也称换相。开通:适当的门极驱动信号就可使其开通。关断:全控型器件可通过门极关断。半控型器件晶闸管,必须利用外部条件才能关断,一般在晶闸管电流过零后施加一定时间反压,才能关断。研究换流方式主要是研究如何使器件关断。本章换流及换流方式问题最为全面集中,因此在本章讲述1、器件换流利用全控型器件的自关断能力进行换流(Device Commutation)。2、电网换流由电网提供换流电压称为电网换流(Line Commutation)。可控整流电路、交流调压电路和采用相控方式的交交变频电路,不需器件具有门极可关断能力,也不需要为换流附加元件。3、负载换流由负载提供换流电压称为负载换流(Load Commutation)。负载电流相位超前于负载电压的场合,都可实现负载换流。负载为电容性负载时,负载为同步电动机时,可实现负载换流。

    标签: 逆变电路 基本工作

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:qingdou

  • 指纹识别门禁系统论文设计

    指纹识别门禁系统论文

    标签: 指纹识别 门禁系统 论文设计

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:雨出惊人love

  • 基于MCU新型智能励磁仪的设计与实现

    提出了一种以现代化的单片机控制技术为基础,结合D/A转换、模拟电子开关、功率放大、液晶显示和串行通信等技术实现对铁磁材料的磁滞回线进行测量的新方法,并在该方法的基础上成功设计并研制出一种新型智能励磁仪,将新仪器与分析仪、上位机等进行联机试验,结果表明新仪器具有更加友好的用户界面,所得实验数据的精度高、可靠性好。同时新仪器具有手动/自动两种工作模式,且可以实现与上位机的数据通信,自动化和智能化程度大大提高。

    标签: MCU 励磁 仪的设计

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:sunchao524