随着电子仪器、电子设备的广泛使用，特别是家用电器的普及，家用电器的用电安全性问题不可忽视。泄漏电流、绝缘电阻、电气强度并称为电气安全性能中的3大电参数。其中泄漏电流，尤其是工作温度下的泄漏电流是1个最能确切反映实际工作状态的安全电参数;也是一个对人体安全有着直接影响的电参数。因为，当电源线一端接地，人体触及电器外壳的情况下，电器泄漏电流会通过人体流人大地，可能导致人身伤亡。因此，漏电检测无论是对家用电器还是对人的自身安全都具有十分重要的意义，通过对漏电的检测，可以根据漏电的情况作出具体的反应，从而保护电路及人身财产安全。
上传时间： 2013-05-17
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加密算法一直在信息安全领域起着无可替代的作用,它直接影响着国家的未来和发展.随着密码分析水平、芯片处理能力和计算技术的不断进步,原有的数据加密标准(DES)算法及其变形的安全强度已经难以适应新的安全需要,其实现速度、代码大小和跨平台性均难以继续满足新的应用需求.在未来的20年内,高级加密标准(AES)将替代DES成为新的数据加密标准.高级加密标准算法是采用对称密钥密码实现的分组密码,支持128比特分组长度及128比特、192比特与256比特可变密钥长度.无论在反馈模式还是在非反馈模式中使用AES算法,其软件和硬件对计算环境的适应性强,性能稳定,密钥建立时间优良,密钥灵活性强.存储需求量低,即使在空间有限的环境使用也具备良好的性能.在分析高级加密标准算法原理的基础上,描述了圈变换及密钥扩展的详细编制原理,用硬件描述语言(VHDL)描述了该算法的整体结构和算法流程.详细论述了分组密码的两种运算模式(反馈模式和非反馈模式)下算法多种体系结构的实现原理,重点论述了基本体系结构、循环展开结构、内部流水线结构、外部流水线结构、混合流水线结构及资源共享结构等.最后在XILINX公司XC2S300E芯片的基础上,采用自顶向下设计思想,论述了高级加密标准算法的FPGA设计方法,提出了具体模块划分方法并对各个模块的实现进行了详细论述.圈变换采用内部流水线结构,多个圈变换采用资源共享结构,密钥调度与加密运算并行执行.占用芯片面积及引脚资源较少,在芯片选型方面具有很好的适应性.
上传时间： 2013-06-20
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计算机图形学中真实感成像包括两部分内容：物体的精确图形表示；场景中光照效果的适当的描述。光照效果包括光的反射、透明性、表面纹理和阴影。对物体进行投影，然后再可见面上产生自然光照效果，可以实现场景的真实感显示。光照明模型主要用于物体表面某点处的光强度计算。面绘制算法是通过光照模型中的光强度计算，以确定场景中物体表面的所有投影像素点的光强度。Phong明暗处理算法是生成真实感3D图像最佳算法之一。但是由于其大量的像素级运算和硬件难度而在实现实时真实感图形绘制中被Gotuaud明暗处理算法所取代。VLSI技术的发展以及对于高真实感实时图形的需求使得Phong明暗处理算法的实现成为可能。利用泰勒级数近似的Fast Phong明暗处理算法适合硬件实现。此算法需要存储大量数据的ROM。这增加了实现的难度。 本文完成了以下工作： 1、本文简述了实时真实感图形绘制管线，详细叙述了所用到的光照明模型和明暗处理方法，并对几种明暗处理方法的效果作了比较，实验结果表明Fast Phong明暗处理算法适用于实时真实感图形绘制。 2、在熟悉Xilinx公司FPGA芯片结构及其开发流程的基础上，结合Xilinx公司提供的FPGA开发工具ISE 7.1i，仿真工具为ISE simulator，综合工具为XST；完成了Fast Phong明暗处理模块的FPGA设计与实现。综合得到的电路的最高频率为54.058MHz。本文的Fast Phong明暗处理硬件模块适用于实时真实感图形绘制。 3、本文通过误差分析，提出了优化的查找表结构。通过在FPGA上对本文所提结构进行验证。结果表明，本方案在提高速度、精度的同时将ROM的数据量从64K*8bit减少至13K*8bit。
上传时间： 2013-06-21
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1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大 2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性 3.极高的精确度，在进行自动装配时有高度的准确性 4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性 5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计 6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性 7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源 8.由于ESR低，频率特性良好，故最适合于高频，高密度类型的电源
上传时间： 2013-04-24
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机翼极限环振荡（LCO）是典型的非线性气动弹性问题，严重的会造成机翼的结构破坏。为了精确捕捉极限环振荡初始临界点，准确预测极限环的幅值，为机翼的设计提供准确的数据参考，本文综合考虑了气动与结构非线性的影响，提出了一种松耦合气动弹性仿真方法。在子迭代过程中分别采用LUSGS双时间推进和多步推进法交替求解气动和结构动力学方程；一种高效的插值技术应用于耦合界面数据的映射与传递；采用精确动网格技术模拟气体的非定常流动。对标准模型切尖三角翼的跨音速极限环振荡的计算与分析，表明相比同类仿真方法，通过此方法得到结果与实验值吻合更好；证明了结构几何非线性与气动非线性是诱发LCO的重要原因。耦合仿真方法保真度高，能为强非线性结构的强度设计提供重要依据。
上传时间： 2013-10-22
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文章介绍了石英晶体振荡器的特点及性能参数，由于人工测量繁琐，且容易出错等不足，提出了一种智能测量方法。该方法利用计算机控制技术，实现自动测试石英晶体振荡器的性能参数，并打印测试结果，减少了强度，提高了检测效率。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：yy541071797
在研究和分析指纹图像的强度场和方向场原理基础上，根据人眼的视觉原理，提出一种指纹图像分割与增强的方法。按照指纹图像前景色梯度大，背景色梯度小，可以将指纹前景色很好的分割出来。并且通过纹线方向进行滤波增强处理，可以得到良好的效果。对随机抽取的指纹图像分割和增强的实验证明，取得了满意的结果。此方法的优点是将指纹纹线断裂处很好的连接，可以广泛应用于指纹图像的预处理过程当中。
上传时间： 2013-12-15
上传用户：lps11188
微弱信号检测装置 四川理工学院 刘鹏飞、梁天德、曾学明 摘要： 本设计以TI的Launch Pad为核心板，采用锁相放大技术设计并制作了一套微弱信号检测装置，用以检测在强噪声背景下已知频率微弱正弦波信号的幅度值，并在液晶屏上数字显示出所测信号相应的幅度值。实验结果显示其抗干扰能力强，测量精度高。 关键词：强噪声；微弱信号；锁相放大；Launch Pad Abstract: This design is based on the Launch Pad of TI core board, using a lock-in amplifier technique designed and produced a weak signal detection device, to measure the known frequency sine wave signal amplitude values of the weak in the high noise background, and shows the measured signal amplitude of the corresponding value in the liquid crystal screen. Test results showed that it has high accuracy and strong anti-jamming capability. Keywords: weak signal detection; lock-in-amplifier; Launch Pad 1、引言 随着现代科学技术的发展，在科研与生产过程中人们越来越需要从复杂高强度的噪声中检测出有用的微弱信号，因此对微弱信号的检测成为当前科研的热点。微弱信号并不意味着信号幅度小，而是指被噪声淹没的信号，“微弱”也仅是相对于噪声而言的。只有在有效抑制噪声的条件下有选择的放大微弱信号的幅度，才能提取出有用信号。微弱信号检测技术的应用相当广泛，在生物医学、光学、电学、材料科学等相关领域显得愈发重要。 2、方案论证 针对微弱信号的检测的方法有很多，比如滤波法、取样积分器、锁相放大器等。下面就针对这几种方法做一简要说明。 方案一：滤波法。 在大部分的检测仪器中都要用到滤波方法对模拟信号进行一定的处理，例如隔离直流分量，改善信号波形，防止离散化时的波形混叠，克服噪声的不利影响，提高信噪比等。常用的噪声滤波器有：带通、带阻、高通、低通等。但是滤波方法检测信号不能用于信号频谱与噪声频谱重叠的情况，有其局限性。虽然可以对滤波器的通频带进行调节，但其噪声抑制能力有限，同时其准确性与稳定性将大打折扣。
上传时间： 2013-11-04
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基于喇叭的共振原理，提高扬声器的发声强度并尽可能的降低因振动而消耗的能量，从而提高喇叭的效率。依照理论计算数据作为后续试验基础，通过多组试验对比，分别对输入谐振频率进行调节，来检测各组试验的音量即声能。试验结果表明当输入谐振频率与喇叭的固有频率相同时，喇叭出现共振，此时检测喇叭的声能是相对较弱的。
标签： 喇叭共振
上传时间： 2013-12-20
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对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
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