器件数据手册专辑 120册 2.15GVMOS功率场效应晶体管及其应用 225页 3.2M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
里面包含多种功率放大器，有OCT和OTL功率放大器，主要器件有三极管和二极管等构成。
标签： 功率放大器
上传时间： 2016-12-06
上传用户：bestjgc
作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ，其 中 结 型 栅 结 构 （p 型 栅 ）和 共 源 共 栅 级 联 结 构 (C asco de)的 常 关 型 器 件 已 经 逐 步 实 现 产 业 化 ，并 在 通 用 电 源 及 光 伏 逆 变 等 领 域 得 到 应 用 。但 是 鉴 于 以 上 两 种 器 件 结 构 存 在 的 缺 点 ，业 界 更 加 期 待 能 更 充 分 发 挥 G a N 性能的 “ 真 ” 常 关 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面实用 化 ，仍 然 面 临 着 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 稳 定 性 方 面 的 挑 战 。
上传时间： 2021-12-08
上传用户：XuVshu
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需要测量样品所有尺寸， 但需满足以下四个条件• 样品必须具有均匀厚度的扁平形状。• 样品不能有任何隔离的孔。• 样品必须是均质和各向同性的。• 所有四个触点必须位于样品的边缘。
上传时间： 2022-01-03
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本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驱动电路原理和要求的基础上，对EXB841，M57962AL，2SD315A等几种驱动电路的工作特性进行了比较。并针对用于轻合金表面防护处理的特种脉冲电源主功率开关器件驱动电路运行中存在的问题对驱动电路提出了功能改进和扩展方案，进行了实验调试，并成功地应用于不同功率容量1GBT模块的驱动，运行情况良好，提高了电源的可靠性。针对电源设备的进一步功率扩容要求，采用IGBT模块串、并联运行方案。对并联模块的均流、同步触发、散热、布局、布线等问题进行了详细的分析和讨论，同时也讨论了串联模块的均压、驱动等问题，并用仿真电路对串并联模块的工作特性进行了仿真分析。最后将IGBT串并联方案成功地应用于表面处理特种电源中，实际运行表明1GBT模块的串并联扩容是可行的。关键i：IGBT，驱，串联，并联功率开关器件在电力电子设备中占据核心的位置，它的可靠工作是整个装置正常运行的基本条件。[1）在主电路拓扑设计和功率开关器件选取合理的前提下，如何可靠地驱动和保护主开关器件显得十分关键。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，是电力电子装置的重要部分，对整个设备的性能有很大的影响，其作用是将控制回路输出的PWM脉冲放大到足以驱动功率开关器件。简而言之，驱动电路的基本任务就是将控制电路传来的信号，转换为加在器件控制端和公共端之间的可以使其导通和关断的信号。同样的器件，采用不同的驱动电路将得到不同的开关特性。采用性能良好的驱动电路可以使功率开关器件工作在比较理想的开关状态，同时缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。因此驱动电路的优劣直接影响主电路的性能，因此驱动电路的合理化设计显得越来越重要。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
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HLW8032 是一款高精度的电能计量 IC,它采用 CMOS 制造工艺，主要用于单相应用。它能够测量线电压和电流，并能计算有功功率，视在功率和功率因素。 该器件内部集成了两个∑-Δ型 ADC 和一个高精度的电能计量内核。HLW8032 可以通过 UART口进行数据通讯，HLW8032 采用 5V 供电，内置 3.579M 晶振，8PIN 的 SOP 封装。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、适用环境能力强等优点，适用于单相两线制电力用户的电能计量。
上传时间： 2022-06-21
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0引言任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中，大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗，这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作，必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w，室温25℃时），必须保证1GBT的结温T，不超过其最大值Timar 50 ℃），因此必须采用适当的散热装置，将热量传导到外部环境。如果散热装置设计或选用不当，这些大功率器件因过热而损坏。为了在确定的散热条件下设计或选用合适的散热器，确保器件安全、可靠地工作，我们需进行散热计算。散热计算是通过计算器件工作时产生的损耗功率Pa、器件允许的结温T、环境温度T，求出器件允许的总热阻R，f-a）；：再根据Raf-a）求出最大允许的散热器到环境温度的热阻Rinf-）：最后根据Rbf-a）选取具有合适热阻的散热器。1 IGBT损耗分析及计算对于H型双极模式PWM系统中使用的1GBT模块，主要由IGBT元件和续流二极管FWD组成，它们各自发生的损耗之和就是IGBT本身的损耗。除此，加上1GBT的基极驱动功耗，即构成IGRT模块整体发生的损耗。另外，发生损耗的情况可分为稳态时和交换时。对上述内容进行整理可表述如下：
上传时间： 2022-06-21
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此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩSiCMOSFET时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
上传用户：zhaiyawei
几十年来在音频领域中，A 类、B 类、AB 类音频功率放大器一直占据“统治”地位，其发展经历了这样几个过程：所用器件从电子管、晶体管到集成电路过程；电路组成从单管到推挽过程；电路形成从变压器输出到OTL、OCL、BTL 形式过程。其基本类型是模拟音频功率放大器，它的最大缺点是效率太低。全球音视频领域数字化的浪潮以及人们对音视频设备节能环保的要求，迫使人们尽快开发高效、节能、数字化的音频功率放大器，它应该具有工作效率高，便于与其他数字化设备相连接的特点。D 类音频功率放大器是PWM 型功率放大器，它符合上述要求。近几年来，国际上加紧了对D 类音频功率放大器的研究与开发，并取得了一定的进展，几家著名的研究机构及公司已经试验性地向市场提供了D 类音频功率放大器评估模块及技术。这一技术一经问世立即显示出其高效、节能、数字化的显著特点，引起了科研、教学、电子工业、商业界的特别关注，现在这一前沿的技术正迅猛发展，前景一片光明。
上传时间： 2022-07-28
上传用户：zhaiyawei
压电器件
标签： 压电器件
上传时间： 2013-06-23
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